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1차전자를 방출하는 냉음극(cold cathode)에 의한 전자원(electron source); 상기 전자원에서 방출된 전자빔을 집속 및 가속시키는 제1그리드; 상기 제1그리드를 통과한 전자빔을 집속 및 가속시키고, 상기 제1그리드를 통과한 전자빔의 역학에너지의 일부를 전자기파 에너지로 변환하는 공진기를 포함하는 제2그리드; 및 상기 제2그리드를 통과한 전자빔과 충돌하여 2차전자를 발생시키는 2차전자 냉음극을 포함하며, 여기서, 상기 제1그리드 및 상기 제2그리드를 통과하는 전자빔의 집속 및 가속은 직류전원을 통해 이루어지는 것을 특징으로 하는 냉음극 클라이스트론 발진기
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제1항에 있어서, 상기 전자원(electron source)은 전계방출구조(Field Emitter Arrays: FEAs)로 형성된 것을 특징으로 하는 냉음극 클라이스트론 발진기
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제1항에 있어서, 상기 직류전원은 상기 전자원과 상기 제1그리드 사이에 제1전압이 인가되고, 상기 제1그리드와 상기 제2그리드 사이에 제2전압이 인가되며, 상기 제2그리드와 상기 2차전자 냉음극 사이에 제3전압이 인가되는 것을 특징으로 하는 냉음극 클라이스트론 발진기
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제3항에 있어서, 상기 제3전압은 상기 제2전압과 극성이 반대이고, 그 크기가 상기 제2전압 보다 작은 것을 특징으로 하는 냉음극 클라이스트론 발진기
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제1항에 있어서, 상기 2차전자 냉음극에서 1차전자와 충돌하는 부분에 MgO, GaP, GaAs, MgF2, CaF2, LiF, Al2O3, ZnO, CaO, SrO, SiO2 및 La2O3 중 어느 한 물질로 된 층이 형성된 것을 특징으로 하는 냉음극 클라이스트론 발진기
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제1항에 있어서, 상기 제1그리드 및 상기 제2그리드는, 통과하는 전자빔의 집속을 위한 전자석 또는 영구자석을 포함하는 것을 특징으로 하는 냉음극 클라이스트론 발진기
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1차전자를 방출하는 냉음극에 의한 전자원, 상기 전자원에서 방출된 전자빔을 집속 및 가속시키는 제1그리드, 상기 제1그리드를 통과한 전자빔을 집속 및 가속시키고 상기 제1그리드를 통과한 전자빔의 역학에너지의 일부를 전자기파 에너지로 변환하는 공진기를 포함하는 제2그리드, 및 상기 제2그리드를 통과한 전자빔과 충돌하여 2차전자를 발생시키는 2차전자 냉음극을 포함하는 냉음극 클라이스트론 발진기를 적어도 둘 이상 병렬로 연결하여 구성되며, 상기 제1그리드 및 상기 제2그리드를 통과하는 전자빔의 집속 및 가속은 직류전원을 통해 이루어지는 것을 특징으로 하는 다중 냉음극 클라이스트론 발진기
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전자빔을 통한 전자파를 발진하는 방법에 있어서, 냉음극 전자원(electron source)에 의하여 1차전자를 방출하는 단계; 상기 방출된 1차전자의 전자빔을 제1그리드 및 제2 그리드에 의하여 집속 및 가속하는 단계; 상기 제2그리드를 통과한 전자빔을 2차전자 냉음극에 충돌시켜 2차전자를 발생시켜 상기 제2그리드를 통과한 전자빔을 증폭하는 단계; 및 상기 제2그리드에 포함된 공진기에 의해 상기 증폭된 전자빔의 역학에너지의 일부를 전자기파 에너지로 전환하여 전자파를 발진하는 단계를 포함하는 전자파 발진 방법
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냉음극 전자원에 의하여 1차전자를 방출하는 단계, 상기 방출된 1차전자의 전자빔을 제1그리드 및 제2 그리드에 의하여 집속 및 가속하는 단계, 상기 제2그리드를 통과한 전자빔을 2차전자 냉음극에 충돌시켜 2차전자를 발생시켜 상기 제2그리드를 통과한 전자빔을 증폭하는 단계, 및 상기 제2그리드에 포함된 공진기에 의해 상기 증폭된 전자빔의 역학에너지의 일부를 전자기파 에너지로 전환하여 전자파를 발진하는 단계를 포함하는 전자파 발진 방법을 적어도 둘 이상 병렬적으로 처리하여 다중으로 전자파를 발진하는 다중 전자파 발진 방법
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