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탄화규소 수직접합형 전계효과 트랜지스터 장치

  • 기술번호 : KST2014011915
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 탄화규소 수직접합형 전계효과 트랜지스터 장치는, 불순물의 농도가 1E18 ~ 1E19cm-3 범위의 제1도전형 탄화규소 기판과; 상기 제1도전형 탄화규소 기판의 상면에 형성되는 5E15 ~ 5E16cm-3 범위의 제2도전형 탄화규소 제1에피박막층과; 상기 제1도전형 탄화규소 제1에피박막층의 표면에 이온주입을 통해 형성되고, 불순물의 농도가 5E17 ~ 5E18cm-3 범위이며 이온주입깊이가 0.2 ~ 0.5㎛ 범위의 제2도전형 게이트 및 제2도전형 매몰 게이트와; 상기 제1도전형 탄화규소 제1에피박막층 상부에 형성되는 제1도전형 탄화규소 제2에피박막층과; 상기 제1도전형 탄화규소 제2에피박막층 상면에 불순물의 농도가 1E19 ~ 1E20cm-3 범위로 이온주입되어 표면부터 0.15 ~ 0.25㎛ 깊이로 형성되는 제1도전형 소오스와; 상기 게이트와 소오스가 전기적으로 절연되도록 형성된 절연산화막과; 상기 게이트 및 소오스 상면에 상기 절연산화막과 절연되며, 니켈과 금이 순차적으로 증착되어 형성된 게이트 및 소오스 전극과; 상기 제1도전형 탄화규소 기판 하면에 형성되며, 니켈과 금이 순차적으로 증착되어 형성된 드레인 전극;을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 탄화규소 수직접합형 전계효과 트랜지스터 장치를 기술적 요지로 한다. 이에 따라 게이트와 매몰게이트 사이에 형성된 채널 폭을 게이트 전압의 변화로 제어할 수 있어 노말리-오프(normally-off) 특성을 얻을 수 있으며, 노말리-오프(normally-off) 특성을 얻기 위해 게이트 사이의 간격을 미세 패턴시킬 필요가 없어 공정이 편리하며, alignment 공정시 단차가 없으므로 단차로 인한 alignment 오차를 줄일 수 있는 효과가 있다. 반도체 탄화규소 수직접합형 전계효과트랜지스터 SiC VJFET Normally-off
Int. CL H01L 29/78 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01)
CPC H01L 29/66068(2013.01) H01L 29/66068(2013.01) H01L 29/66068(2013.01)
출원번호/일자 1020070114223 (2007.11.09)
출원인 한국전기연구원
등록번호/일자 10-0911883-0000 (2009.08.05)
공개번호/일자 10-2009-0048035 (2009.05.13) 문서열기
공고번호/일자 (20090811) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.11.09)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김상철 대한민국 경상남도 창원시
2 강인호 대한민국 경상남도 진주시
3 김남균 대한민국 경상남도 창원시
4 방 욱 대한민국 경상남도 창원시
5 주성재 대한민국 경상남도 창원시 가음정동

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인부경 대한민국 부산광역시 연제구 법원남로**번길 **, *층 (거제동, 대한타워)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.11.09 수리 (Accepted) 1-1-2007-0805389-93
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2009.04.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2009.05.15 수리 (Accepted) 9-1-2009-0029968-50
4 등록결정서
Decision to grant		 2009.05.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0215050-19
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.11.17 수리 (Accepted) 4-1-2009-5220117-37
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.11.08 수리 (Accepted) 4-1-2010-5207456-63
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.04 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006987-25
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번호 청구항
1 1
불순물의 농도가 1E18 ~ 1E19cm-3 범위의 제1도전형 탄화규소 기판과; 상기 제1도전형 탄화규소 기판의 상면에 형성되는 5E15 ~ 5E16cm-3 범위의 제2도전형 탄화규소 제1에피박막층과; 상기 제1도전형 탄화규소 제1에피박막층의 표면에 이온주입을 통해 형성되고, 불순물의 농도가 5E17 ~ 5E18cm-3 범위이며 이온주입깊이가 0
2 2
제 1항에 있어서, 제1도전형이 n형이고 제2도전형이 p형이거나 또는 제1도전형이 p형이고 제2도전형이 n형인 것을 특징으로 하는 탄화규소 수직접합형 전계효과 트랜지스터 장치
3 3
제 1항에 있어서, 제2도전형 게이트와 매몰게이트 사이의 간격이 0
4 4
제 1항에 있어서, 제2도전형 게이트와 매몰게이트의 이온주입 깊이가 0
5 5
제 1항에 있어서, 제1도전형 탄화규소 제2에피박막층의 두께가 0
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.