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탄소나노튜브 기반의 X-선관 구조

  • 기술번호 : KST2014011948
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 탄소나노튜브(CNT) 기반의 냉음극을 사용한 X-선관에 있어 관전류 변화에도 초점크기의 변화를 최소화 할 수 있도록 하여 결과적으로 일반적인 3극 구조 또는 집속전극이 한개 추가된 4극 구조 X-선관에 비해 보다 향상된 고분해능의 X-선 성능을 가지는 X-선관 구조에 관한 것이다. 이를 위한 본 발명은 전자빔의 방출원인 탄소나노튜브로 이루어진 음극부와; 탄소나노튜브에서 전자의 방출을 유도하는 게이트부와; 상기 방출된 전자의 집속을 유도하는 2중의 제1 및 제2 집속 전극부; 및 상기 방출된 전자를 가속하며 전자의 충돌로 X선을 발생시키는 양극부로 구성되어, 상기 제1 집속전극부는 상기 게이트부와 동일한 전압을 인가해 한 개의 집속전극을 사용할 때와 같이 초점위치를 양극 면 근처에 유지되도록 하고, 상기 제2 집속전극부에 인가되는 전압만을 조절해 게이트부의 전압 변화에도 초점크기의 변화를 최소화하여 집속효과를 향상시킴을 특징으로 한다.탄소나노튜브, 음극, 게이트부, 집속전극, 양극, 초점, 집속효과, 관전류
Int. CL H01J 35/04 (2011.01)
CPC H01J 35/06(2013.01) H01J 35/06(2013.01) H01J 35/06(2013.01)
출원번호/일자 1020060129120 (2006.12.18)
출원인 한국전기연구원
등록번호/일자 10-0867172-0000 (2008.10.30)
공개번호/일자 10-2008-0056341 (2008.06.23) 문서열기
공고번호/일자 (20081106) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.12.18)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장원석 대한민국 서울 관악구
2 김종욱 대한민국 서울 중랑구
3 최해영 대한민국 서울 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 주종호 대한민국 서울특별시 송파구 법원로**길 **, A동 *층 ***호 (문정동, H비지니스파크)(*T국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 (주)선재하이테크 부산광역시 기장군
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.12.18 수리 (Accepted) 1-1-2006-0933051-56
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2007.11.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0604103-96
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.01.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0024037-19
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.01.11 수리 (Accepted) 1-1-2008-0024038-65
5 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2008.04.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0229789-78
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.05.26 수리 (Accepted) 1-1-2008-0370568-12
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.05.26 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2008-0370566-21
8 등록결정서
Decision to grant
2008.10.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0538076-03
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.11.17 수리 (Accepted) 4-1-2009-5220117-37
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.11.08 수리 (Accepted) 4-1-2010-5207456-63
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.04 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006987-25
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
전자빔의 방출원인 탄소나노튜브로 이루어진 음극부;제1 전압이 인가됨에 따라 상기 탄소나노튜브에서 전자의 방출을 유도하는 게이트부;상기 방출된 전자의 집속을 유도하는 제1 및 제2 집속 전극부; 및상기 방출된 전자를 가속하며 상기 제1 및 제2 집속 전극부에 의해 집속 유도된 전자의 충돌로 X선을 발생시키는 양극부를 포함하고,상기 제1 집속 전극부는 상기 게이트부에 인가되는 상기 제1 전압이 인가되어 상기 게이트부에 의해 유도된, 상기 방출된 전자의 초점위치가 상기 양극부의 표면에 유지되도록 상기 방출된 전자를 제1 집속하여 제1 집속 전자를 생성하고, 상기 제2 집속 전극부는 인가되는 제2 전압에 따라 상기 제1 집속 전자를 상기 양극부의 표면의 중심으로 밀어 제2 집속하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 기반의 X-선관 구조
2 2
삭제
3 3
제1 항에 있어서, 상기 제2 전압은 O볼트 또는 마이너스 전압인 탄소나노튜브 기반의 X-선관 구조
4 4
제1 항에 있어서, 상기 게이트부 및 상기 제1 집속 전극부에 인가되는 상기 제1 전압을 발생하는 제1 전원; 및 상기 제2 집속 전극부에 인가되는 상기 제2 전압을 발생하는 제2 전원을 더 포함하는 탄소나노튜브 기반의 X-선관 구조
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.