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A) 직렬 연결된 다수 개의 반도체 스위치; B) 상기 반도체 스위치 중 제일 하단부의 반도체 스위치에 구동전원을 인가하는 능동 구동기; 및 C) 제일 하단부의 상기 반도체 스위치 이외의 반도체 스위치에 구동전원을 인가하는 저항, 캐패시터 및 다이오드로 구성된 다수개의 수동 구동기를 포함하는 펄스 발생기를 위한 반도체 스위치 구동회로
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청구항 1에 있어서, 상기 반도체 스위치가 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)인 것을 특징으로 하는 펄스 발생기를 위한 반도체 스위치 구동회로
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청구항 1에 있어서, 상기 반도체 스위치가 FET(Field Effect Transistor)인 것을 특징으로 하는 펄스 발생기를 위한 반도체 스위치 구동회로
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청구항 1에 있어서, 상기 수동 구동기는, 구동전원 인가 뿐만 아니라 RCD 스너버로 동작하는 것을 특징으로 하는 펄스 발생기를 위한 반도체 스위치 구동회로
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청구항 4에 있어서, 상기 각 수동 구동기는, 하나의 저항, 하나의 다이오드, 두 개의 제너 다이오드 및 하나의 캐패시터로 구성되는 것을 특징으로 하는 펄스 발생기를 위한 반도체 스위치 구동회로
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a) 직렬 연결된 다수개의 반도체 스위치; b) 상기 반도체 스위치 중 제일 하단부의 반도체 스위치에 구동전원을 인가하는 두 개의 능동 구동기; 및 c) 제일 하단부의 상기 반도체 스위치 이외의 반도체 스위치에 구동전원을 인가하는 저항, 캐패시터 및 다이오드로 구성된 다수개의 수동 구동기를 포함하는 것을 특징으로 하는 펄스 발생기를 위한 반도체 스위치 구동회로
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청구항 6에 있어서, 상기 반도체 스위치가 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)인 것을 특징으로 하는 펄스 발생기를 위한 반도체 스위치 구동회로
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8
청구항 6에 있어서, 상기 반도체 스위치가 FET(Field Effect Transistor)인 것을 특징으로 하는 펄스 발생기를 위한 반도체 스위치 구동회로
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청구항 6에 있어서, 상기 각 수동 구동기는, 세 개의 저항, 두 개의 다이오드, 세 개의 제너 다이오드, 하나의 캐패시터및 하나의 FET로 구성되는 것을 특징으로 하는 펄스 발생기를 위한 반도체 스위치 구동회로
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청구항 6에 있어서, 상기 각 수동 구동기는, 세 개의 저항, 두 개의 다이오드, 세 개의 제너 다이오드, 하나의 캐패시터및 하나의 FET로 구성되는 것을 특징으로 하는 펄스 발생기를 위한 반도체 스위치 구동회로
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