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전자를 방출하는 냉음극(cold cathode)에 의한 전자원(electron source); 상기 전자원에서 방출된 전자빔을 집속 및 가속시키는 그리드; 상기 전자빔을 감속하는 평판형 제1 개구부; 및 상기 제1 개구부를 통과하는 전자빔을 가속하는 평판형 제2 개구부를 포함하며,상기 전자원을 기준으로 상기 그리드에 VO가 인가되어, 상기 그리드 및 제 1 개구부는 -VO가 되며, 상기 제 1 개구부 및 상기 제 2 개구부 간에는 VO가 인가되도록 병렬연결된 하나의 직류전원을 통해 상기 전자빔의 가속 및 감속이 이루어지는 것을 특징으로 하는 냉음극 전자총
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제1항에 있어서, 상기 전자원(electron source)은 전계방출구조(Field Emitter Arrays: FEA)로 형성된 것을 특징으로 하는 냉음극 전자총
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제1항에 있어서, 상기 제1 개구부와 상기 제2 개구부 사이에 부가적 직류전원이 더 구비된 것을 특징으로 하는 냉음극 전자총
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제1항에 있어서, 상기 제1 개구부는 상기 전자원에서 발생되는 전자빔의 지름 보다 더 큰 것을 특징으로 하는 냉음극 전자총
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제1항에 있어서, 상기 그리드와 상기 제1 개구부 사이의 간격은 상기 제1 개구부의 지름 보다 작거나 동일한 것을 특징으로 하는 냉음극 전자총
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제1항에 있어서, 상기 제2 개구부의 형상이 원통형인 것을 특징으로 하는 냉음극 전자총
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제7항에 있어서, 상기 원통형의 제2 개구부는 상기 전자빔이 출사되는 방향으로 상기 제2 개구부의 지름이 작아지는 형상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 냉음극 전자총
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제8항에 있어서, 상기 제2 개구부는 적어도 2개 이상의 지름이 다른 원통형으로서, 상기 각 원통의 지름이 상기 전자빔이 출사되는 방향으로 단계적으로 작아지는 것을 특징으로 하는 냉음극 전자총
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제1항에 있어서, 상기 전자원과 상기 그리드 사이에 평판형 집속전극이 더 포함되는 것을 특징으로 하는 냉음극 전자총
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FEAs의 냉음극 전자원을 통해 전자를 방출하고, 상기 방출된 전자빔을 그리드를 통해 가속하는 단계; 상기 그리드를 통과하는 전자빔을 제1 개구부를 통해 감속하는 단계; 및 상기 감속된 전자를 제2 개구부를 통해 가속 및 집속하는 단계를 포함하며, 상기 전자빔이 감속 및 가속은 직류전원을 통해 이루어지고, 상기 전자빔의 집속은 개구의 지름이 단계적으로 좁아지는 제2 개구부에 의하여 집속되는 것을 특징으로 하는 전자빔 집속방법
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제11항에 있어서, 상기 직류전원은 하나의 직류전원으로 상기 전자원을 기준으로 상기 그리드에 Vo 가 인가되고, 상기 그리드와 제1 개구부가 -Vo 가 되며, 상기 제1 개구부와 상기 제2 개구부 사이에 Vo 가 인가되도록 병렬 연결시키는 것을 특징으로 하는 전자빔 집속방법
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