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하부의 캐소드 전극(250)과 상부의 애노드 전극(200) 사이에 다수개의 층으로 형성되는 반도체 소자에 있어서,상기 캐소드 전극(250) 위에 형성되며, 높은 도핑농도를 가지고 있는 탄화규소 기판(240)과,상기 탄화규소 기판(240)위에 형성되며, 높은 항복전압 특성을 갖기 위하여 낮은 농도로 도포된 베이스층(230)과, 상기 베이스층(230)위에 도포되며, 낮은 표면전하 농도 및 높은 전계강도를 갖는 열산화막층(220)과,상기 열산화막층(220)위에 도포되며, 높은 전계강도를 가지면서도 충분한 두께를 구현되는 폴리머 계통의 벤조사이클로부틴층(210)과,상기 열산화막층(220) 및 벤조사이클로부틴층(210)을 뚫고 베이스층(230)과 가로 방향으로 접촉하는 종단구조를 가지며, 상기 열산화막 및 벤조사이클로부틴층과 세로방향으로 접촉되는 애노드전극용 금속층(270)이 증착되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체소자
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제 1항에 있어서, 상기 열산화막 및 폴리머 계통의 벤조사이클로부틴층(210) 위로 금속층을 형성하여 구현되는 전계 구조판의 종단구조로서 양산되는 소자가 고전압용 쇼트키다이오드, MOSFET, IGBT, PiN, JFET 인 것을 특징으로 하는 반도체소자
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(a) 높은 도핑 농도를 가지고 있는 탄화규소 기판(240)위에 낮은 농도의 베이스층(230)이 형성되게한 후, 그 위에 고품질용 산화층(220)을 형성시키는 산화막층 형성단계와,(b) 상기 탄화규소 기판 (240)의 하단에 캐소드 전극을 형성하기 위해 오믹금속(250)을 기판에 증착시킨 후 열처리를 수행하는 캐소드 전극 형성단계와,(c) 일반적인 반도체 제조공정을 사용하여 높은 전계강도를 가지면서도 충분한 두께를 구현할 수 있는 절연층을 상기 산화막층 상기 산화막층(220)위에 도포하는 절연층 도포단계와,(d) 상기 절연층 (210) 및 산화층(220)을 뚫고 베이스층(230)과 가로 방향으로 접속되도록 하는 종단구조 형성단계와,(e) 상기 종단구조 형성단계 후, 쇼트키 접합 및 전계 구조판 구조를 형성하기 위해 애노드 전극용 금속(270)을 상기 종단구조(260) 위에 증착시키는 애노드 전극 형성단계와,로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법
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제 3항에 있어서, 상기 절연층 도포단계에서 사용되는 절연층은 폴리머 계열의 벤조사이클로부틴, 폴리에틸렌 테레프살레이트 (Polyethylene Terephthalate), 폴리프로필렌(Polypropylene), 폴리페닐렌 술파이트(PPS)중 어느 하나로 형성한 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법
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제 3항에 있어서,상기 종단구조 형성단계에서 형성되는 에노드층(200)은 가로 방향인 하부면으로 베이스층(230)과 접촉되고, 세로방향의 측면으로는 열산화막(220) 및 절연층(210)과 접촉된 상태로 쇼트키 접합 및 전계 구조판 구조를 이루도록 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법
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제 3항에 있어서, 상기 절연층은 폴리머 계열외에 Al2O3, SiN, Ta2O5 중 어느 하나의 강유전체를 사용한 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법
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