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고균등 자장발생용 초전도 자석의 설계법

  • 기술번호 : KST2014012062
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고균등 자장발생용 초전도 자석에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 자기공명영상장치(MRI)와 같이 일정공간 내에서 높은 자장균일도를 요구하는 시스템에 있어서, 상기 초전도 자석의 각 코일의 위치를 최적으로 배치하여 일정공간 내에서 균등한 자장을 갖으면서 누설자장에 의한 자기공명영상장치 주변의 자기적 교란을 허용범위 이내로 제한할 수 있는, 고균등 자장발생용 초전도 자석의 설계법에 관한 것으로서, 고균등 자장발생용 초전도 자석의 최적 형상을 도출하기 위해서 설계는 1단계 및 2단계로 나누어서 수행되며, 1단계에서는 선형계획법(Linear programming method)을 이용하여 주 코일(Main Coil) 및 차폐 코일(Shield Coil)의 초기 형상을 결정하고, 2단계에서는 1단계에서 도출된 초기 형상에 대하여 비선형계획법(Nonlinear programming method)을 적용하여 초전도 자석의 형상을 최적화한다. 본 발명에 따라 최적 설계된 고균등 자장발생용 초전도 자석을 자기공명영상장치에 이용하면 고해상도의 단층촬영영상을 얻을 수 있다. 고균등 자장발생용 초전도 자석, 자기공명영상장치, 자장균일도, 누설자장, 초기형상, 최적형상
Int. CL H01F 6/00 (2006.01)
CPC H01F 6/06(2013.01)H01F 6/06(2013.01)
출원번호/일자 1020020031174 (2002.06.03)
출원인 한국전기연구원
등록번호/일자 10-0473627-0000 (2005.02.17)
공개번호/일자 10-2003-0093589 (2003.12.11) 문서열기
공고번호/일자 (20050310) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2002.06.03)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 배준한 대한민국 경상남도창원시가음정
2 진홍범 대한민국 경기도수원시권선구
3 권영길 대한민국 경상남도창원시사파정동상남

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박래봉 대한민국 서울특별시 송파구 정의로*길 ** 힐스테이트에코송파 B동 ***호(로앤텍국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2002.06.03 수리 (Accepted) 1-1-2002-0174855-51
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2004.03.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2004.04.13 수리 (Accepted) 9-1-2004-0021780-15
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2004.07.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0293439-00
5 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2004.09.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2004-0415732-55
6 의견서
Written Opinion		 2004.09.14 수리 (Accepted) 1-1-2004-0415733-01
7 등록결정서
Decision to grant		 2005.01.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0039600-09
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.11.17 수리 (Accepted) 4-1-2009-5220117-37
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.11.08 수리 (Accepted) 4-1-2010-5207456-63
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.04 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006987-25
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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선형계획법을 이용하여 초전도 자석의 주 코일과 차폐 코일에 대해 8차까지의 자장 불균일 성분을 상쇄시키고, 원하는 중심자장을 발생시키기 위한 등호 조건 및 초전도 자석으로부터 일정거리 내의 누설자장을 5 gauss 이내로 제한하기 위한 부등호 조건을 가지며, 요소전류를 변수로 하여 전체 요소전류의 합이 최소가 되도록 초기 형상을 결정하는 제 1단계와; 상기 제 1단계에서 도출된 초기 형상을 초기치로 하여 주 코일 및 차폐 코일의 동작전류 및 내반경은 일정하게 고정하고, 상기 등호 조건 및 부등호 조건과 실제 제작 가능한 형상이 도출되기 위한 부등호 조건으로 제약되도록 하며, 소요선재길이를 변수로 하여 전체 소요선재길이의 합이 최소가 되도록 형상을 결정하는 제 2단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 고균등 자장발생용 초전도 자석의 설계법
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삭제
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제 1항에 있어서, 상기 실제 제작 가능한 형상은 두께, 길이 및 위치를 포함하는 것을 특징으로 하는 고균등 자장발생용 초전도 자석의 설계법
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제 1항에 있어서, 상기 실제 제작 가능한 형상은 두께, 길이 및 위치를 포함하는 것을 특징으로 하는 고균등 자장발생용 초전도 자석의 설계법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.