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도핑된 정공 전달층 및 이를 이용한 유기전계 발광소자

  • 기술번호 : KST2014012115
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기판; 상기 기판 위에 형성된 제1전극; 상기 제1전극과 대향되어 배치된 제2전극; 및 상기 제1전극과 제2전극 사이에 개재되며, 적어도 발광층 및 정공 전달층을 포함하는 유기층;을 포함하는 유기전계 발광소자로서, 상기 정공 전달층이 그 매트릭스와 이온결합에 의한 영구쌍극자 형성이 가능한 도펀트를 포함하는 유기전계 발광소자를 제공한다. 본 발명에 따른 정공 전달층을 포함하는 유기전계 발광소자는 매트릭스 물질과 도펀트 물질 사이에 이온결합을 가져 영구쌍극자를 형성하므로 향상된 p형 도핑 특성을 나타내며, 장시간 구동시 안정한 특성을 나타낸다. 또한 정공 전달층 형성시 기존의 방법에 의하면 용액 상태화한 고분자나 유기염(salt)을 만들어 스핀코팅 등의 방법으로 형성하므로 재료 준비의 어려움 및 공정상에서 용액공정과 진공공정을 반복하는 어려움이 있었으나, 본 발명에서는 동일한 진공증착에 의해 형성할 수 있으므로 제조공정상의 큰 제약을 받지 않고 대량 생산 적용이 가능하다. 도핑, 영구쌍극자, 정공 전달층
Int. CL H05B 33/20 (2006.01) H05B 33/18 (2006.01)
CPC H01L 51/5056(2013.01) H01L 51/5056(2013.01) H01L 51/5056(2013.01) H01L 51/5056(2013.01) H01L 51/5056(2013.01) H01L 51/5056(2013.01) H01L 51/5056(2013.01)
출원번호/일자 1020070138861 (2007.12.27)
출원인 재단법인대구경북과학기술원
등록번호/일자 10-0890910-0000 (2009.03.23)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20090402) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.12.27)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인대구경북과학기술원 대한민국 대구 달성군 현

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 우성호 대한민국 대구 북구
2 김영규 대한민국 대구 북구
3 조귀정 대한민국 대구 달성군 화
4 최병대 대한민국 대구 수성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남정길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 인화빌딩 *층 (삼성동)(특허법인(유한)아이시스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인대구경북과학기술원 대한민국 대구광역시 달성
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.12.27 수리 (Accepted) 1-1-2007-0938868-36
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.05.23 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.06.19 수리 (Accepted) 9-1-2008-0039289-12
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.08.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0450012-51
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.09.04 수리 (Accepted) 4-1-2008-5142779-99
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.10.22 수리 (Accepted) 1-1-2008-0732954-24
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.10.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0732952-33
8 등록결정서
Decision to grant		 2009.03.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0118541-27
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.23 수리 (Accepted) 4-1-2009-5053668-09
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2009-5066444-83
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.01.13 수리 (Accepted) 4-1-2010-5006262-09
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.06 수리 (Accepted) 4-1-2010-5060059-92
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.01.13 수리 (Accepted) 4-1-2011-5007932-94
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2012-5164104-34
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2012-5164108-16
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.11.11 수리 (Accepted) 4-1-2013-5149764-85
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5260250-39
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.18 수리 (Accepted) 4-1-2020-5134633-04
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판을 제공하는 단계; 및상기 기판 상에 정공 전달층을 형성하는 단계를 포함하는 유기전계 발광소자의 제조방법으로서,상기 정공 전달층이 a-NPB, m-MTDATA, MeO-TPD, 2-TNATA 및 ZnPc로 이루어진 군 중에서 선택되는 하나 이상의 매트릭스 물질과, 상기 매트릭스 물질과 이온결합에 의한 영구쌍극자 형성이 가능한 도펀트를 동시 진공증착하여 형성되는 유기전계 발광소자의 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 도펀트는 술폰산 화합물인 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자의 제조방법
3 3
제2항에 있어서, 상기 술폰산 화합물은 10-캠퍼술폰산(CSA, 10-camphorsulfonic acid), 2-아크릴아미도-2메틸-1-프로판술폰산(AMPSA, 2-acrylamido-2-methyl-1-propanesulfonic acid), 벤젠술폰산(BSA, benzenesulfonic acid), p-톨루엔술폰산(PTSA, p-toluenesulfonic acid), 5-술포살리실산(SSA, 5-sulfosalicylic acid), 나프탈렌술폰산(NSA, naphthalenesulfonic acid), 도데실벤젠술폰산(DBSA, dodecylbenzenesulfonic acid) 및 이들의 유도체로 이루어진 군 중에서 선택되는 하나 이상인 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자의 제조방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 정공 전달층의 두께는 20 내지 100 nm인 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자의 제조방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 도펀트 대 상기 매트릭스 물질의 몰 비가 1:1 내지 1:100000인 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자의 제조방법
6 6
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7 7
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