맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

염료감응 태양전지용 ｐ-ｎ 동종접합 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2014012119
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전도성 기판 위에 적층되며 금속산화물로 이루어진 n형 반도체층; 및 상기 n형 반도체층 위에 적층되며 도핑된 금속 산화물로 이루어진 p형 반도체층을 포함하는 염료감응 태양전지용 p-n 동종접합과 이의 제조방법 및 이를 포함한 염료감응 태양전지를 제공한다. 본 발명에 따르면 금속산화물층과 도핑된 금속산화물층 간의 p-n 동종접합을 제조할 수 있으며, 그 결과 포텐셜 드리프트를 통해 전자를 한 방향으로 흐르도록 할 수 있으므로 이를 염료감응 태양전지에 적용하면 전자재결합을 억제하여 전지의 효율을 향상시키는 효과가 있다. 염료감응 태양전지, TiO2, Cr-TiO2, ｐ-ｎ 동종접합, 다이오드
Int. CL H01L 31/068 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01G 9/2031(2013.01) H01G 9/2031(2013.01) H01G 9/2031(2013.01)
출원번호/일자 1020070136490 (2007.12.24)
출원인 재단법인대구경북과학기술원
등록번호/일자 10-0957468-0000 (2010.05.04)
공개번호/일자 10-2009-0068745 (2009.06.29) 문서열기
공고번호/일자 (20100514) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.12.24)
심사청구항수 6

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 재단법인대구경북과학기술원 대한민국 대구 달성군 현

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김참 대한민국 대구 달서구
2 도석주 대한민국 대구 수성구
3 이세근 대한민국 대구 수성구
4 이성준 대한민국 대구 달성군 화원읍

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 남정길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 인화빌딩 *층 (삼성동)(특허법인(유한)아이시스)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 재단법인대구경북과학기술원 대한민국 대구광역시 달성
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.12.24 수리 (Accepted) 1-1-2007-0926358-37
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.09.04 수리 (Accepted) 4-1-2008-5142779-99
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.10.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.11.11 수리 (Accepted) 9-1-2008-0072247-13
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.23 수리 (Accepted) 4-1-2009-5053668-09
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2009-5066444-83
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.05.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0217941-21
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.06.09 수리 (Accepted) 1-1-2009-0346527-88
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.06.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0346526-32
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.10.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0437841-68
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.12.21 수리 (Accepted) 1-1-2009-0788870-78
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.12.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0788868-86
13 보정요구서
Request for Amendment		 2010.01.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2010-0000070-17
14 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)		 2010.01.05 수리 (Accepted) 1-1-2010-0000124-91
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.01.13 수리 (Accepted) 4-1-2010-5006262-09
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.06 수리 (Accepted) 4-1-2010-5060059-92
17 등록결정서
Decision to grant		 2010.04.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0177264-15
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.01.13 수리 (Accepted) 4-1-2011-5007932-94
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2012-5164108-16
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2012-5164104-34
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.11.11 수리 (Accepted) 4-1-2013-5149764-85
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5260250-39
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.18 수리 (Accepted) 4-1-2020-5134633-04
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
TiO2의 졸을 형성하고, 여기에 고분자 바인더를 혼합하여 TiO2의 페이스트를 제공하는 단계; Cr 도핑된 TiO2의 졸을 형성하고, 여기에 고분자 바인더를 혼합하여 Cr 도핑된 TiO2의 페이스트를 제공하는 단계; 상기 TiO2의 페이스트를 전도성 기판 위에 도포 및 소성하여 n형 반도체층을 형성하는 단계; 및 상기 전도성 기판에 결합된 상기 n형 반도체층 위에 상기 Cr 도핑된 TiO2의 페이스트를 도포 및 소성하여 p형 반도체층을 형성하는 단계를 포함하는 염료감응 태양전지용 p-n 동종접합의 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 TiO2의 졸 또는 상기 Cr 도핑된 TiO2의 졸이 180 내지 300℃ 온도에서 7 내지 24 시간 동안 수열합성되는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지용 p-n 동종접합의 제조방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 고분자 바인더가 에틸셀룰로오스, 메틸셀룰로오스, 폴리에틸렌 글리콜 및 폴리에틸렌 옥사이드로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지용 p-n 동종접합의 제조방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 p형 반도체층 형성후 400 내지 600℃에서 15분 내지 1시간 동안 소성하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지용 p-n 동종접합의 제조방법
5 5
전도성 기판 위에 적층되며 TiO2로 이루어진 n형 반도체층; 및 상기 n형 반도체층 위에 적층되며, Cr 도핑된 TiO2로 이루어진 p형 반도체층을 포함하는 염료감응 태양전지용 p-n 동종접합
6 6
삭제
7 7
삭제
8 8
제5항에 따른 p-n 동종접합을 포함하는 염료감응 태양전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.