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전계효과트랜지스터를 이용한 바이오센서

  • 기술번호 : KST2014012133
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 FET형 바이오센서에 관한 것이다. 상기 FET형 바이오센서는, 소스, 드레인, 게이트 영역이 형성된 반도체 기판, 상기 소스, 상기 드레인, 상기 게이트 전극과 각각 연결되는 다수 개의 금속 배선층, 상기 게이트 전극과 상기 금속 배선층들 간의 전기적 절연을 위하여 형성되는 절연층, 소자를 보호하기 위하여 상기 절연층의 표면에 형성하는 소자 보호막, 상기 소자 보호막 및 상기 절연층을 개재하여 상기 게이트 전극의 상부에 형성되는 금속 박막, 상기 금속 박막위에 형성되는 자기조립 단분자막을 구비한다. 상기 금속 박막과 상기 게이트 전극의 사이의 절연층 및 소자 보호막에 하나 또는 다수개의 비아홀을 형성하고, 상기 비아홀의 내부에는 전기전도성 물질을 충진하여 상기 금속 박막과 상기 게이트 전극을 전기적 연결시킨다. FET, 바이오센서, Aspect Ratio
Int. CL G01N 27/00 (2006.01) H01L 21/335 (2006.01)
CPC H01L 29/786(2013.01) H01L 29/786(2013.01)
출원번호/일자 1020070105316 (2007.10.19)
출원인 재단법인대구경북과학기술원
등록번호/일자 10-0903526-0000 (2009.06.11)
공개번호/일자 10-2009-0039864 (2009.04.23) 문서열기
공고번호/일자 (20090619) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.10.19)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인대구경북과학기술원 대한민국 대구 달성군 현

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 류홍근 대한민국 대구 수성구
2 전원배 대한민국 인천 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이지연 대한민국 서울특별시 관악구 남부순환로 ****, ***호 제니스국제특허법률사무소 (봉천동, 청동빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인대구경북과학기술원 대한민국 대구광역시 달성
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2007.10.19 수리 (Accepted) 1-1-2007-0747611-96
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.09.04 수리 (Accepted) 4-1-2008-5142779-99
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2008.09.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2008.10.10 수리 (Accepted) 9-1-2008-0062097-82
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.02.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0073066-52
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.03.23 수리 (Accepted) 4-1-2009-5053668-09
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2009-5066444-83
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2009.04.15 수리 (Accepted) 1-1-2009-0225874-56
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2009.04.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0225873-11
10 등록결정서
Decision to grant
2009.06.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0240657-09
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.01.13 수리 (Accepted) 4-1-2010-5006262-09
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.04.06 수리 (Accepted) 4-1-2010-5060059-92
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.01.13 수리 (Accepted) 4-1-2011-5007932-94
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2012-5164108-16
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2012-5164104-34
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.11.11 수리 (Accepted) 4-1-2013-5149764-85
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5260250-39
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.18 수리 (Accepted) 4-1-2020-5134633-04
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체 기판; 상기 반도체 기판의 소정 영역에 형성된 소스와 드레인; 상기 반도체 기판의 상부 표면에 형성되되 상기 소스와 드레인의 사이에 형성된 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막의 상부에 다결정실리콘막으로 형성되는 게이트 전극; 상기 소스, 상기 드레인, 상기 게이트 전극과 각각 연결되는 다수 개의 금속 배선층; 상기 게이트 전극과 상기 금속 배선층들 간의 전기적 절연을 위하여 형성되는 절연층; 소자를 보호하기 위하여 상기 절연층의 표면에 형성하는 소자 보호막; 상기 소자 보호막 및 상기 절연층을 개재하여 상기 게이트 전극의 상부에 형성되는 금속 박막; 상기 금속 박막위에 형성되는 자기조립 단분자막; 및 상기 금속 박막이 상기 소자 보호막의 표면에 대한 접착력을 증가시키기 위하여 상기 소자보호막과 상기 금속 박막의 사이에 형성되는 접착력 향상용 금속박막;을 더 구비하고, 을 구비하며, 상기 금속 박막과 상기 게이트 전극의 사이의 절연층 및 소자 보호막에 하나 또는 다수개의 비아홀을 형성하고, 상기 비아홀의 내부에는 전기전도성 물질을 충진하여 상기 금속 박막과 상기 게이트 전극을 전기적 연결시키는 것을 특징으로 하는 FET형 바이오센서
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서, 상기 금속 배선층은 적어도 2개 이상의 레이어(Layer)를 형성하는 것을 특징으로 하는 FET형 바이오 센서
4 4
제1항에 있어서, 상기 비아홀은 반도체 기판 중 채널이 형성되지 않은 영역의 상부에 형성된 게이트 전극과 금속 박막의 사이의 절연층 및 소자 보호막에 형성되는 것을 특징으로 하는 FET 형 바이오 센서
5 5
제1항에 있어서, 상기 접착력 향상용 금속박막은 티타늄(Ti)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 FET형 바이오 센서
6 6
제1항에 있어서, 상기 금속 박막은 금(Au) 또는 플래티늄(Pt)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 FET형 바이오센서
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.