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하기 화학식 1로 표시되는 화합물:<화학식 1> 여기서, R은 치환기를 가질 수 있는 탄소수 6내지 60의 아릴기, 치환기를 가질 수 있는 탄소수 3내지 60의 헤테로 아릴기, 또는 치환기를 가질 수 있는 플루오렌기 또는 탄소수 1내지 20의 알킬기 이고,Z1~Z4는 같거나 상이할 수 있으며, 수소원자, 할로겐원자, 알킬기, 알콕시기, 시아노기, 니트로기, 아실기중에서 선택할 수 있고,X1, X2는 같거나 상이할 수 있으며, 수소원자, 할로겐원자, 알킬기, 알콕시기, 시아노기, 니트로기, 아실기, 치환 또는 비치환 아미노기, 치환 또는 비치환 아릴기, 치환 또는 비치환 복소환기 중에서 선택될 수 있고,Y1, Y2는 같거나 상이할 수 있으며, 수소원자, 할로겐원자, 알킬기, 알콕시기, 시아노기, 니트로기, 아실기, 치환 또는 비치환 아미노기, 치환 또는 비치환 아릴기, 치환 또는 비치환 복소환기 중에서 선택될 수 있다
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제1항에 있어서, 상기 화합물은 하기 화학식 4 내지 화학식 5중 어느하나로 표시되는 것을 특징으로 하는 화합물:<화학식 4> <화학식 5> 여기서, R은 치환기를 가질 수 있는 탄소수 6내지 60의 아릴기, 치환기를 가질 수 있는 탄소수 3내지 60의 헤테로 아릴기, 또는 치환기를 가질 수 있는 플루오렌기 또는 탄소수 1내지 20의 알킬기 이고,Z1~Z4는 같거나 상이할 수 있으며, 수소원자, 할로겐원자, 알킬기, 알콕시기, 시아노기, 니트로기, 아실기중에서 선택할 수 있고,X1, X2는 같거나 상이할 수 있으며, 수소원자, 할로겐원자, 알킬기, 알콕시기, 시아노기, 니트로기, 아실기, 치환 또는 비치환 아미노기, 치환 또는 비치환 아릴기, 치환 또는 비치환 복소환기 중에서 선택될 수 있고, Y1, Y2는 같거나 상이할 수 있으며, 수소원자, 할로겐원자, 알킬기, 알콕시기, 시아노기, 니트로기, 아실기, 치환 또는 비치환 아미노기, 치환 또는 비치환 아릴기, 치환 또는 비치환 복소환기 중에서 선택될 수 있다
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제1전극, 발광층을 포함하는 적어도 하나 이상의 유기화합물층 및 제2전극이 순차적으로 적층된 형태의 유기전계발광소자에 있어서, 상기 유기화합물층 중 적어도 하나의 유기화합물층에는 상기 제1항 또는 제2항의 화합물이 1종 이상 포함되어 있는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자
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4
제3항에 있어서, 상기 발광층은 호스트와 도펀트의 이원화합물로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자
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제4항에 있어서, 상기 호스트를 이루는 물질은 상기 제1항 또는 제2항의 화합물인 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자
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6
제4항에 있어서, 상기 도펀트를 이루는 물질은 상기 제1항 또는 제2항의 화합물인 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자
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7
제3항에 있어서, 상기 유기화합물층은 정공수송층을 포함하며, 상기 정공수송층에 상기 제1항 또는 제2항의 화합물이 1종 이상 포함되어 있는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자
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8
제3항에 있어서, 상기 유기화합물층은 정공저지층을 포함하며, 상기 정공저지층에 상기 제1항 또는 제2항의 화합물이 1종 이상 포함되어 있는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자
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9
제3항에 있어서, 상기 유기화합물층은 전자수송층을 포함하며, 상기 전자수송층에 상기 제1항 또는 제2항의 화합물이 1종 이상 포함되어 있는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자
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10
제3항에 있어서, 상기 유기화합물층은 정공주입층을 포함하며, 상기 정공주입층에 상기 제1항 또는 제2항의 화합물이 1종 이상 포함되어 있는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자
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11
제3항에 있어서, 상기 유기화합물층은 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층 및 전자주입층을 포함하며, 상기 정공주입층, 상기 정공수송층, 상기 발광층, 상기 전자수송층 및 상기 전자주입층 중에서 선택된 적어도 하나 이상의 층에 상기 제1항 또는 제2항의 화합물이 1종 이상 포함되어 있는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자
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