| 요약 |
본 발명은 CMP 를 이용한 FRAM 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 화학적 기계적 연마기술을 이용하여 강유전체 물질의 플라즈마 식각공정을 사용하지 않고 빠른 공정속도와 높은 패턴 프로파일(Profile) 기울기, 낮은 손상(damage) 등의 요구조건을 실현할 수 있는 CMP 를 이용한 FRAM 제조방법에 관한 것이다.본 발명에 의한 CMP 를 이용한 FRAM 제조방법은, Pt, RuO2, Ru, IrO, IrO2, LaNiO3, SrRuO3 등의 단일 하부전극 또는 이들의 조합에 의한 이중 하부전극을 형성하는 하부전극형성단계와, 형성된 하부전극 위에 TEOS막 또는 열산화막 등의 막을 증착하고, 감광막(PR)을 이용하여 0.5 ~ 1.0 um 의 직경을 갖는 홀이나 한 변이 0.5 ~ 1.0 um 의 직사각형 모양으로 패터닝하는 단계와, 여기에 졸겔(sol-gel)법 등의 방법으로 PZT, SBT 및 BLT 등의 다양한 강유전체 물질을 증착하는 강유전체 물질 증착 후 열처리하는 단계와, 상기 증착 후 열처리하고, 강유전체 물질 패터닝을 위한 윈도우로서의 상기 TEOS막 혹은 열산화막 등을 연마정지점(end-point)으로 하여 CMP 공정을 실시하는 CMP공정단계와, 상기 CMP 후에 상부 전극물질을 증착한 후에 TEOS막 등을 패턴 마스크(MASK)로 하기 위해 증착하는 마스크증착단계와, 상기 TEOS막을 패턴 마스크로 하고, 플라즈마 식각(etching)하는 식각단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.에프램, 강유전체, 하부전극, 상부전극, 졸겔법, 연마정지점, CMP
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