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집적화 전자기소자용 박막 커패시터 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014012263
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 결정화 및 어닐링을 위한 후속 열처리 공정에서 PZT박막내의 납 확산과 휘발을 방지하도록 한 집적화 전자기소자용 박막 커패시터 제조 방법에 관한 것으로, 실리콘 웨이퍼 기판상에 절연층 박막을 형성하는 제 1 공정; 상기 절연층 박막상에 하부 전극 패턴과 유전체 박막 패턴 및 상부 전극 패턴으로 된 집적화된 전자기소자의 커패시터를 형성하는 제 2 공정; 및 상기 제 2 공정에 의해 형성된 유전체의 상부 및 하부 표면에 다층 구조로 된 완화층(Al2O3, TiO2)을 형성하는 제 3 공정을 구비함으로써, 후속 어닐링 공정에 따른 커패시터 유전체 박막내에서의 Pb의 확산 및 휘발이 방지되어 유전체 박막내의 Pb 조성을 균일하게 하고 커패시터의 유전 특성 변화를 방지하며 유전체 박막과 상·하부 전극 사이의 계면에서 발생하는 계면 결함을 줄여 상·하부 전극부위에서 전계집중 효과를 분산시키고 열적안정성이 도모되어 커패시터의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.완화층, 유전체, 상부 전극, 하부 전극, 집적화 박막 커패시터
Int. CL H01L 21/8242 (2006.01)
CPC H01L 28/40(2013.01) H01L 28/40(2013.01) H01L 28/40(2013.01) H01L 28/40(2013.01) H01L 28/40(2013.01)
출원번호/일자 1020010058884 (2001.09.22)
출원인 한국전기연구원
등록번호/일자 10-0398661-0000 (2003.09.03)
공개번호/일자 10-2003-0025712 (2003.03.29) 문서열기
공고번호/일자 (20030919) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2001.09.22)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김인성 대한민국 경상남도창원시
2 송재성 대한민국 경상남도창원시
3 정순종 대한민국 경상남도창원시가음정동**

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박래봉 대한민국 서울특별시 송파구 정의로*길 ** 힐스테이트에코송파 B동 ***호(로앤텍국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경남 창원시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2001.09.22 수리 (Accepted) 1-1-2001-0243772-22
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2001-0116129-97
3 등록결정서
Decision to grant		 2003.08.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0340901-40
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.11.17 수리 (Accepted) 4-1-2009-5220117-37
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.11.08 수리 (Accepted) 4-1-2010-5207456-63
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.04 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006987-25
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번호 청구항
1 1

실리콘 웨이퍼 기판상에 절연층 박막을 형성하는 제 1 공정;

상기 절연층 박막상에 하부 전극 패턴과 유전체 박막 패턴 및 상부 전극 패턴으로 된 집적화된 전자기소자의 커패시터를 형성하는 제 2 공정; 및

상기 제 2 공정에 의해 형성된 유전체의 상부 및 하부 표면에 다층 구조로 된 완화층을 형성하는 제 3 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 집적화 전자기소자용 박막 커패시터 제조 방법

2 2

제 1항에 있어서,

상기 다층 구조로 된 완화층은, 티타늄 산화막 층 및 알루미늄 산화막 층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 집적화 전자기소자용 박막 커패시터 제조 방법

3 3

제 2항에 있어서,

상기 티타늄 산화막 층은, 티타늄을 스퍼터링 방법으로 증착하되 반응성 가스로써 산소를 소정 비율 함유하여 증착하는 것을 특징으로 하는 집적화 전자기소자용 박막 커패시터 제조 방법

4 4

제 3항에 있어서,

상기 소정 비율은 5%∼35%인 것을 특징으로 하는 집적화 전자기소자용 박막 커패시터 제조 방법

5 5

제 2항에 있어서,

상기 알루미늄 산화막은, 소정 양의 알루미늄을 열증착하고 일정 온도의 산소 분위기에서 소정 시간동안 어닐링하여 형성하는 것을 특징으로 하는 집적화 전자기소자용 박막 커패시터 제조 방법

6 6

제 5항에 있어서,

상기 알루미늄의 두께는 500 Å 이고, 상기 일정 온도는 600 ∼ 700 ℃이며, 상기 소정 시간은 30∼60 분인 것을 특징으로 하는 집적화 전자기소자용 박막 커패시터 제조 방법

7 7

제 5항에 있어서,

상기 알루미늄의 열증착 및 어닐링은 진공 증착기를 이용하여 진공을 10-7 torr 유지한 상태에서 행해지는 것을 특징으로 하는 집적화 전자기소자용 박막 커패시터 제조 방법

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