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유전체 기판; 상기 유전체 기판 일면에 임펄스가 입출력되도록 직선의 마이크로스트립 라인으로 형성된 기준선로;상기 기준선로의 입출력단 사이에서 일부 분리되어, 상기 기준선로의 입력단에서 입력된 임펄스가 우회하여 상기 기준선로의 출력단으로 출력되도록 마이크로 스트립 라인으로 형성된 지연선로; 및상기 기준선로가 형성된 면과 상기 유전체 기판 반대면에 형성된 그라운드층(GND)를 포함하는 평판형 도파관으로 형성된 측정 프로브
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극초단 임펄스를 발생하는 임펄스 발생기;유전체로 형성된 기판, 상기 기판 일면에 직선의 마이크로 스트립 라인으로 형성되어 상기 발생된 임펄스가 입출력되는 기준선로, 상기 기준선로의 일부에서 분리되는 마이크로 스트립 라인으로 형성되어 상기 기준선로에 입력된 임펄스가 우회하여 출력되는 지연선로, 상기 기준선로가 형성된 면과 상기 기판 반대면에 형성된 그라운드층을 포함하는 평판형 도파관으로 형성되어 측정하고자 하는 매질에 투입되는 측정 프로브; 및상기 기준선로 및 지연선로를 통과한 신호의 펄스 지연시간을 측정하고, 상기 펄스지연시간을 이용하여 상기 측정 프로브 주위 매질의 유전율을 계산 및 표시하는 검출부를 포함하는 유전율 측정장치
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제 2항에 있어서, 상기 지연선로는 양 끝단이 상기 기준선로에 연결되는 U자 형태의 도파관으로 형성되어 상기 기준선로에 입력된 임펄스가 우회하여 출력되도록 하는 것을 특징으로 하는 유전율 측정장치
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제 2항에 있어서, 상기 임펄스 발생기는 초기신호의 발생을 위한 클럭(clock)과; 상기 클럭된 신호파형을 유지시키기 위한 버퍼; 기저 대역으로부터의 디지털 데이터 정보의 임펄스 신호처리를 위한 D래치; 상기 발생된 신호를 최종 처리하는 AND Gate; 및 상기 AND Gate를 통과한 신호의 안정된 출력을 위한 출력드라이브를 포함하여 CMOS 공정으로 제조되는 것을 특징으로 하는 유전율 측정장치
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제 4항에 있어서, 상기 출력 드라이브는 인버터체인(Inverter chain)으로 구현되는 것을 특징으로 하는 유전율 측정장치
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제 2항에 있어서, 상기 검출부는 고속 상관기를 포함하는 것을 특징으로 하는 유전율 측정장치
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제 2항에 있어서, 상기 검출부는 수분 함수량 표시부가 포함된 것을 특징으로 하는 유전율 측정장치
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극초단 임펄스를 발생하는 단계; 측정매질에 투입되는 측정프로브로서, 유전체로 형성된 기판, 상기 기판 일면에 상기 발생된 임펄스가 입출력되도록 직선의 마이크로스트립 라인으로 형성된 기준선로, 상기 기준선로의 일부에서 분리되어 입력된 임펄스가 우회하도록 마이크로스트립 라인으로 형성된 지연선로 및 상기 기준선로가 패턴화된 면과 상기 기판 반대면에 형성된 그라운드층을 포함하며, 상기 기준선로 및 지연선로를 통과한 임펄스가 출력되는 단계;상기 기준선로를 통과한 펄스를 기준으로 상기 지연선로를 통과한 펄스의 지연시간을 측정하는 단계; 및상기 측정된 펄스지연시간을 이용하여 유전율을 계산 및 표시하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유전율 측정방법
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제 8항에 있어서, 상기 기준선로 및 지연선로에서 출력되는 펄스는 단일 펄스에서 발생되는 것을 특징으로 하는 유전율 측정방법
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제 8항에 있어서, 상기 유전율을 계산 및 표시하는 단계는 수분 함수량을 표시하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유전율 측정 방법
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