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은 기판 위에 탈륨-1223상 고온초전도 막이 코팅된고온초전도 코팅도체

  • 기술번호 : KST2014012484
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 은(Ag) 기판 위에 Tl-1223상 고온초전도 막이 코팅된 고온초전도코팅도체(coated conductors)에 관한 것으로, 은(Ag)기판의 (113)면상에 Tl-1223상 고온초전도 막의 (001)면이 [001]방향으로 에피택시얼 성장(epitaxial growth)함을 특징으로 하는 은 기판 위에 Tl-1223상 고온초전도 막이 코팅된 고온초전도 코팅도체를 기술적 요지로 한다. 이에 따라, Tl-1223상의 고온초전도 막이 은(Ag)기판의 (113)면상에서 지정된 방향인 001<001>을 유지하면서 막 두께 전체가 에피택시얼(epitaxial)하게 성장하는 이점이 있다.에피택시얼 성장 고온초전도 코팅도체
Int. CL H01L 39/02 (2006.01)
CPC H01L 39/12(2013.01) H01L 39/12(2013.01) H01L 39/12(2013.01)
출원번호/일자 1020050034643 (2005.04.26)
출원인 한국전기연구원
등록번호/일자 10-0590844-0000 (2006.06.09)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20060619) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.04.26)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정대영 대한민국 경남 창원시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 구성진 대한민국 부산광역시 연제구 법원남로**번길 **, *층 (거제동, 대한타워)(특허법인부경)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2005.04.26 수리 (Accepted) 1-1-2005-0218514-22
2 등록결정서
Decision to grant
2006.06.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0328483-88
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.11.17 수리 (Accepted) 4-1-2009-5220117-37
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.11.08 수리 (Accepted) 4-1-2010-5207456-63
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.04 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006987-25
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
Tl-1223상의 고온초전도 막이 은(Ag)의 (113)면 기판 상면에 에피택시얼 성장(epitaxial growth) 됨을 특징으로 하는 은 기판 위에 Tl-1223상 고온초전도 막이 코팅된 고온초전도 코팅도체
2 2
제1항에 있어서, 상기 Tl-1223상의 고온초전도 막 상면에는 은(Ag), 동(Cu)과 같은 전도성 금속막이 형성됨을 특징으로 하는 은 기판 위에 Tl-1223상 고온초전도 막이 코팅된 고온초전도 코팅도체
3 3
제1항에 있어서, 상기 Tl-1223상의 고온초전도 막 상면에는 Tl-1223상의 고온초전도 막이 적어도 한 층 이상 더 형성됨을 특징으로 하는 은 기판 위에 Tl-1223상 고온초전도 막이 코팅된 고온초전도 코팅도체
4 4
제2항에 있어서, 상기 전도성 금속막 상면에는 Tl-1223상의 고온초전도 막이 형성됨을 특징으로 하는 은 기판 위에 Tl-1223상 고온초전도 막이 코팅된 고온초전도 코팅도체
5 5
제1항 내지 제4항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 코팅도체는 전자소자의 하면 또는 상면에 적층되어 전자소자로 사용됨을 특징으로 하는 은 기판 위에 Tl-1223상 고온초전도 막이 코팅된 고온초전도 코팅도체
6 6
제1항 내지 제4항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 Tl-1223상의 고온초전도 막은, 플스더 레이즈(pulsed laser) 증착법, 스퍼터링(sputtering) 증착법, 이빔 코이베프레이션(e-beam coevaporation)법, MOCVD(metallo organic chemical vapor deposition)법, 말릭아시드루트 메탈 오가닉(malic acid-route metal organic)증착법, 말릭아시드루트 스크린 프린팅(malic acid-route screen printing)법, 전기증착(electro-deposition)법, 스프래이 파이롤리시스(spray pyrolysis) 증착법 중 하나 이상의 방법을 사용하여 형성됨을 특징으로 하는 은 기판 위에 Tl-1223상 고온초전도 막이 코팅된 고온초전도 코팅도체
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.