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이중 기판을 갖는 화학기상증착 장치

  • 기술번호 : KST2014012504
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 이중 기판을 갖는 화학기상증착 장치는, 고주파 유도가열에 의한 박막 성장을 위한 반응실로서의 석영관과, 그 석영관의 외주면에 설치되며, 고주파 유도가열을 위한 고주파 코일과, 상기 석영관의 내부에 설치되며, 그 내부로 화학기상증착을 위한 원료가스와 희석가스가 흐르는 통로를 제공하는 한편 박막 성장을 위한 기판을 지지 및 고정하고, 상기 고주파 코일에 의해 유도가열되는 발열체와, 상기 석영관의 내주면과 발열체 사이에 설치되며, 발열체로부터 발생된 열을 외부와 차단하는 단열재를 구비하는 화학기상증착 장치에 있어서, 상기 발열체의 내부 통로의 상면과 하면에는 탄화규소 에피탁시 박막 성장을 위한 기판이 각각 설치된다.이와 같은 본 발명에 의하면, 원료가스 및 희석가스가 흐르는 발열체 내부 통로의 상,하면에 모두 기판이 마련되어 있어 성장시 발생하는 불순물을 용이하게 제어할 수 있고, 박막 성장이 양쪽에서 동시에 진행되므로 박막 성장의 효율을 높일 수 있으며, 기판의 면적이 2배로 증가하여 동일한 용량의 장치에서도 2배의 양으로 박막 성장이 가능하여 공정 비용을 절감할 수 있는 장점이 있다.화학기상증착, 반도체, 박막, 성장
Int. CL H01L 21/205 (2006.01)
CPC C23C 16/46(2013.01) C23C 16/46(2013.01) C23C 16/46(2013.01)
출원번호/일자 1020050121807 (2005.12.12)
출원인 한국전기연구원
등록번호/일자 10-0695536-0000 (2007.03.08)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20070314) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.12.12)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 방욱 대한민국 경남 창원시 가음정동
2 김남균 대한민국 경남 창원시
3 강인호 대한민국 경남 진주시
4 김상철 대한민국 경남 마산시 합포구
5 서길수 대한민국 경남 창원시
6 김형우 대한민국 경남 창원시
7 김기현 대한민국 경남 창원시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 주종호 대한민국 서울특별시 송파구 법원로**길 **, A동 *층 ***호 (문정동, H비지니스파크)(*T국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2005.12.12 수리 (Accepted) 1-1-2005-0725387-78
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2006.10.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0607970-23
3 의견서
Written Opinion
2006.12.20 수리 (Accepted) 1-1-2006-0942651-41
4 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2006.12.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0942653-32
5 등록결정서
Decision to grant
2007.02.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0097055-32
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.11.17 수리 (Accepted) 4-1-2009-5220117-37
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.11.08 수리 (Accepted) 4-1-2010-5207456-63
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.04 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006987-25
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번호 청구항
1 1
고주파 유도가열에 의한 박막 성장을 위한 반응실로서의 석영관과, 그 석영관의 외주면에 설치되며, 고주파 유도가열을 위한 고주파 코일과, 상기 석영관의 내부에 설치되며, 그 내부로 화학기상증착을 위한 원료가스와 희석가스가 흐르는 통로를 제공하는 한편 박막 성장을 위한 기판을 지지 및 고정하고, 상기 고주파 코일에 의해 유도가열되는 발열체와, 상기 석영관의 내주면과 발열체 사이에 설치되며, 발열체로부터 발생된 열을 외부와 차단하는 단열재를 구비하는 화학기상증착 장치에 있어서,상기 발열체의 내부 통로의 상면과 하면에는 탄화규소 에피탁시 박막 성장을 위한 기판이 각각 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 이중 기판을 갖는 화학기상증착 장치
2 2
제1항에 있어서,상기 발열체(330) 내부 통로(330h)의 하면(330b)은 그 입구쪽의 수평면에 대한 경사각(α)은 1˚∼30˚범위의 값을 갖음을 특징으로 하는 이중 기판을 갖는 화학기상증착 장치
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서,상기 발열체(330) 내부 통로(330h)의 상면(330a)은 그 입구쪽의 수평면에 대한 경사각(β)은 1˚∼30˚범위의 값을 갖음을 특징으로 하는 이중 기판을 갖는 화학기상증착 장치
5 5
삭제
6 6
제1항에 있어서, 상기 발열체(330) 내부 통로(330h)의 하면(330b)과 상면(330a)은 그 입구쪽의 수평면에 대한 각각의 경사각(α,β)은 1˚∼30˚범위의 값을 갖음을 특징으로 하는 이중 기판을 갖는 화학기상증착 장치
7 7
삭제
8 8
제1항에 있어서, 상기 발열체(330) 내부 통로(330h)의 상면(330a)은 그 출구쪽의 수평면에 대한 경사각(δ)은 1˚∼30˚범위의 값을 갖음을 특징으로 하는 이중 기판을 갖는 화학기상증착 장치
9 9
삭제
10 10
제1항에 있어서,상기 원료가스와 희석가스가 혼합된 혼합가스가 상기 발열체(330)의 내부 통로(330h) 및 석영관(310)의 내벽과 발열체(330)의 외벽 사이의 공간으로도 흐를 수 있도록 상기 단열재가 상기 석영관의 내면벽과 접촉되지 않도록 구성된 것을 특징으로 하는 이중 기판을 갖는 화학기상증착 장치
11 11
제1항에 있어서,상기 원료가스로는 SiH4, Si2H6 중의 어느 하나와 CH4, C2H6, C3H8 중의 어느 하나가 사용되는 것을 특징으로 하는 이중 기판을 갖는 화학기상증착 장치
12 12
제1항에 있어서,상기 희석가스로는 수소 또는 헬륨 중의 어느 하나가 사용되는 것을 특징으로 하는 이중 기판을 갖는 화학기상증착 장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.