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이중산화막을 갖는 고내압 탄화규소 쇼트키 다이오드 소자및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2014012507
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 이중산화막을 갖는 고내압 탄화규소 쇼트키 다이오드 소자는, 고농도 n형 탄화규소 기판과, 그 탄화규소 기판 위에 적층 형성되는 저농도 n형 탄화규소 에피탁시층과, 그 탄화규소 에피탁시층 위에 금속접합 가장자리의 전계를 견딜 수 있도록 설계되어 500nm~2um두께로 적층 형성되는 화학기상증착 산화막과, 상기 탄화규소 에피탁시층 위에 형성되는 상부 쇼트키 접촉 금속막과, 상기 탄화규소 기판의 하부에 형성되는 하부 저항성 접촉 금속막을 구비하는 탄화규소 쇼트키 다이오드 소자에 있어서, 상기 저농도 n형 탄화규소 에피탁시층과 상기 화학기상증착 산화막 사이에는 중심부의 일정 영역을 제외한 나머지 양측 영역에 화학기상증착 산화막에서 발생하는 누설전류를 차단하고 탄화규소와의 계면전하를 줄이기 위한 10~50nm 두께의 열산화막이 각각 형성되고, 그 열산화막의 중심부 및 그 중심부에서 수직으로 연장되는 상기 화학기상증착 산화막의 중심부에 의해 형성되는 U자형 채널과, 그 U자형 채널의 상면부, 그리고 그 상면부 양측으로 각각 일정 길이만큼 연장된 영역에 걸쳐 상기 상부 쇼트키 접촉 금속막이 형성된다.이와 같은 본 발명에 의하면, 열산화막과 화학기상증착법으로 증착한 산화막의 이중층을 전계판으로 사용하므로, 화학기상증착법으로 증착한 산화막의 누설전류를 차단할 수 있고, 장기간 사용 시 소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
Int. CL H01L 21/205 (2006.01) H01L 29/872 (2006.01) H01L 21/31 (2006.01) H01L 21/324 (2006.01)
CPC H01L 29/408(2013.01) H01L 29/408(2013.01) H01L 29/408(2013.01) H01L 29/408(2013.01)
출원번호/일자 1020050001813 (2005.01.07)
출원인 한국전기연구원
등록번호/일자 10-0619603-0000 (2006.08.28)
공개번호/일자 10-2006-0081477 (2006.07.13) 문서열기
공고번호/일자 (20060911) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.01.07)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 방욱 대한민국 경남 창원시 가음동 한
2 김상철 대한민국 경남 마산시 합포구
3 김남균 대한민국 경남 창원시
4 김형우 대한민국 경남 창원시
5 서길수 대한민국 경남 창원시
6 김기현 대한민국 경남 창원시
7 김은동 대한민국 경남 창원시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 주종호 대한민국 서울특별시 송파구 법원로**길 **, A동 *층 ***호 (문정동, H비지니스파크)(*T국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2005.01.07 수리 (Accepted) 1-1-2005-0010414-43
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2006.03.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2006.04.14 수리 (Accepted) 9-1-2006-0025296-80
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.05.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0261681-17
5 의견서
Written Opinion		 2006.07.03 수리 (Accepted) 1-1-2006-0475136-17
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.07.03 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0475135-72
7 등록결정서
Decision to grant		 2006.08.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0480418-52
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.11.17 수리 (Accepted) 4-1-2009-5220117-37
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.11.08 수리 (Accepted) 4-1-2010-5207456-63
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.04 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006987-25
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
고농도 n형 탄화규소 기판과, 그 탄화규소 기판 위에 금속접합 가장자리의 전계를 견딜 수 있도록 설계된 500nm~2um 두께로 두껍게 적층 형성되는 저농도 n형 탄화규소 에피탁시층과, 그 탄화규소 에피탁시층 위에 적층 형성되는 화학기상증착 산화막과, 상기 탄화규소 에피탁시층 위에 형성되는 상부 쇼트키 접촉 금속막과, 상기 탄화규소 기판의 하부에 형성되는 하부 저항성 접촉 금속막을 구비하는 탄화규소 쇼트키 다이오드 소자에 있어서:상기 저농도 n형 탄화규소 에피탁시층과 상기 화학기상증착 산화막 사이에는 중심부의 일정 영역을 제외한 나머지 양측 영역에 화학기상증착 산화막에서 발생하는 누설전류를 차단하고 탄화규소와의 계면전하를 줄이기 위한 10nm~50nm 두께의 얇은 열산화막이 각각 형성되고;상기 열산화막의 중심부 및 그 중심부에서 수직으로 연장되는 상기 화학기상증착 산화막의 중심부에 의해 형성되는 U자형 채널과, 그 U자형 채널의 상면부, 그리고 그 상면부 양측으로 각각 일정 길이만큼 연장된 영역에 걸쳐 상기 상부 쇼트키 접촉 금속막이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 이중산화막을 갖는 고내압 탄화규소 쇼트키 다이오드 소자
2 2
a) 고농도 n형 탄화규소 기판 위에 저농도 n형 탄화규소 에피탁시층을 적층 형성하는 단계;b) 상기 저농도 n형 탄화규소 에피탁시층 위에 10nm~50nm 두께의 열산화막을 적층 형성하는 단계;c) 상기 열산화막 위에 금속접합 가장자리의 전계를 견딜 수 있도록 설계된 500nm~2um 두께로 화학기상증착 산화막을 적층 형성하는 단계;d) 상기 고농도 n형 탄화규소 기판 하면에 저항성 접촉 형성전의 하부 금속막을 형성하는 단계;e) 상기 고농도 n형 탄화규소 기판 하면에 형성된 하부 금속막을 탄화규소와의 저항접촉을 갖도록 하여 하부 저항성 접촉 금속막을 형성하는 한편, 상기 화학기상증착 산화막의 중심부 일정 영역을 제외한 양측 상면에 포토 리지스터 마스크를 부착하고 포토 리지스터 반응을 위한 광을 조사하는 단계; f) 상기 포토 리지스터 반응에 의해 상기 화학기상증착 산화막과 열산화막에 걸쳐 형성된 U자형 채널 내부와 그 채널의 상면 및 화학기상증착 산화막의 상면에 걸쳐 상부 쇼트키 접촉 금속막을 형성하는 단계; g) 상기 상부 쇼트키 접촉 금속막의 대략 중심부 일정 영역만큼에 포토 리지스터 마스크를 부착하고 포토 리지스터 반응을 위한 광을 조사하는 단계; 및h) 상기 포토 리지스터 반응에 의해 포토 리지스터 마스크가 부착되었던 부위를 제외한 양측 상부 쇼트키 접촉 금속막을 제거하는 한편 남아 있는 포토 리지스터 마스크를 제거하여 이중산화막을 갖는 탄화규소 쇼트키 다이오드 소자의 제조를 완료하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이중산화막을 갖는 고내압 탄화규소 쇼트키 다이오드 소자의 제조방법
3 3
삭제
4 4
제2항에 있어서, 상기 단계 b)에서의 열산화막은 그 두께가 10nm~50nm이며 NO 가스를 흘려 성장시키는 질화건식산화법을 이용하여 성장시키는 것을 특징으로 하는 이중산화막을 갖는 고내압 탄화규소 쇼트키 다이오드 소자의 제조방법
5 5
제2항에 있어서, 상기 단계 b)에서의 열산화막은 그 두께가 10nm~20nm이며 N2O 가스와 N2 가스의 혼합가스를 흘려 성장시키는 질화건식산화법을 이용하여 성장시키는 것을 특징으로 하는 이중산화막을 갖는 고내압 탄화규소 쇼트키 다이오드 소자의 제조방법
6 6
제5항에 있어서, 상기 혼합가스는 10%의 N2O 가스와 90%의 N2 가스의 혼합가스를 사용하는 것을 특징으로 하는 이중산화막을 갖는 고내압 탄화규소 쇼트키 다이오드 소자의 제조방법
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제2항에 있어서,상기 단계 h)에서의 상기 최종적으로 남게 되는 상부 쇼트키 접촉 금속막은 쇼트키 접합 가장자리의 산화막위에 존재하는 금속막의 넓이가 1～20 ㎛ 범위를 갖도록 중심부를 제외한 양측을 제거하는 것을 특징으로 하는 이중산화막을 갖는 고내압 탄화규소 쇼트키 다이오드 소자의 제조방법
8 7
제2항에 있어서,상기 단계 h)에서의 상기 최종적으로 남게 되는 상부 쇼트키 접촉 금속막은 쇼트키 접합 가장자리의 산화막위에 존재하는 금속막의 넓이가 1～20 ㎛ 범위를 갖도록 중심부를 제외한 양측을 제거하는 것을 특징으로 하는 이중산화막을 갖는 고내압 탄화규소 쇼트키 다이오드 소자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.