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자기소자용 ＦｅＴａＮ계 연자성 박막의 제조방법

  • 기술번호 : KST2014012542
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 자기소자용 FeTaN계 연자성 박막의 제조방법은, Fe 타겟과 소정 거리 이격된 지점에 박막 형성을 위한 기판을 마련하는 단계; Fe 타겟 표면상에 복수의 Ta 소편을 올려 놓고, 아르곤/질소 혼합 가스의 소정 압력하에서, 상기 Fe 타겟은 음극으로, 상기 기판은 양극으로 하여 두 전극 사이에 소정 크기의 직류 전원을 인가하여 스퍼터링 방식에 의해 기판상에 FeTaN 박막을 형성하는 단계; 및상기 형성된 FeTaN 박막 내에 미세결정립을 형성하기 위해 FeTaN 박막을 후열처리하는 단계를 근저로 하며, 여기에 FeTaN 박막의 하부에 Ti 하지층을 형성하거나, 후열처리 대신 기판의 온도를 상승시키는 방법 등도 도입될 수 있다.이와 같은 본 발명의 제조방법에 의해 제조된 Ti/FeTaN 연자성 박막은 높은 포화 자화값 및 이방성 자계, 그리고 낮은 보자력으로 인해 우수한 열적 안정성 및 뛰어난 특성 재연성 등을 가지며, 따라서 고주파수 대역의 소형 자기소자나 VTR 헤드 등에 적용이 가능하다. 또한, 수직 자기이방성도 크므로 수직자기 기록매체로서의 응용가능성도 있다.연자성 박막, 포화자화, 보자력, 자기 이방성, 투자율
Int. CL H01F 41/02 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020010055264 (2001.09.08)
출원인 한국전기연구원
등록번호/일자 10-0430671-0000 (2004.04.27)
공개번호/일자 10-2003-0021825 (2003.03.15) 문서열기
공고번호/일자 (20040510) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2001.09.08)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 송재성 대한민국 경상남도 창원시
2 민복기 대한민국 경상남도 창원시
3 김인성 대한민국 경상남도 창원시
4 김현식 대한민국 경상남도 마산시 합포구
5 김형준 대한민국 경기도 안양시 동안구
6 신동훈 대한민국 서울특별시 강북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 주종호 대한민국 서울특별시 송파구 법원로**길 **, A동 *층 ***호 (문정동, H비지니스파크)(*T국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경남 창원시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2001.09.08 수리 (Accepted) 1-1-2001-0229972-28
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2001-0116129-97
3 서지사항 보정서
Amendment to Bibliographic items		 2001.12.21 수리 (Accepted) 1-1-2001-0339255-13
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2003.07.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2003.08.12 수리 (Accepted) 9-1-2003-0033155-80
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2003.09.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0355461-03
7 의견서
Written Opinion		 2003.11.14 수리 (Accepted) 1-1-2003-0428909-09
8 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2003.11.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2003-0428911-91
9 등록결정서
Decision to grant		 2004.04.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0151759-19
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.11.17 수리 (Accepted) 4-1-2009-5220117-37
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.11.08 수리 (Accepted) 4-1-2010-5207456-63
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.04 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006987-25
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

(a) Fe 타겟과 소정 거리 이격된 지점에 박막 형성을 위한 기판을 마련하는 단계;

(b) 상기 Fe 타겟 표면상에 복수의 Ta 소편을 올려 놓고, 아르곤/질소 혼합 가스의 소정 압력하에서, 상기 Fe 타겟은 음극으로, 상기 기판은 양극으로 하여 두 전극 사이에 소정 크기의 직류 전원을 인가하여 스퍼터링 방식에 의해 기판상에 Fe:95∼60 중량%, Ta:2∼20 중량%, N:2∼20 중량%의 조성을 갖는 FeTaN 박막을 형성하는 단계; 및

(c) 상기 증착된 FeTaN 박막 내에 미세결정립을 형성하기 위해 FeTaN 박막을 후열처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 자기소자용 FeTaN계 연자성 박막의 제조방법

2 2

삭제
3 3

삭제
4 4

삭제
5 5

삭제
6 6

(a) Fe 타겟과 소정 거리 이격된 지점에 박막 형성을 위한 기판을 마련하는 단계; 및

(b) 상기 Fe 타겟 표면상에 복수의 Ta 소편을 올려 놓고, 아르곤/질소 혼합 가스의 소정 압력하에서, 상기 기판의 온도를 소정 온도로 상승시키고, 상기 Fe 타겟은 음극으로, 상기 기판은 양극으로 하여 두 전극 사이에 소정 크기의 직류 전원을 인가하여 스퍼터링 방식에 의해 기판상에 FeTaN 박막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 자기소자용 FeTaN계 연자성 박막의 제조방법

7 7

(a) Ti 타겟과 소정 거리 이격된 지점에 박막 형성을 위한 기판을 마련하는 단계;

(b) 상기 Ti 타겟은 음극으로, 상기 기판은 양극으로 하여 두 전극 사이에 소정 크기의 직류 전원을 인가하여 스퍼터링 방식에 의해 기판상에 Ti 하지층을 형성하는 단계; 및

(c) 상기 Ti 타겟을 Fe 타겟으로 교체한 후, Fe 타겟 표면상에 복수의 Ta 소편을 올려 놓고, 아르곤/질소 혼합 가스의 소정 압력하에서, 상기 기판의 온도를 소정 온도로 상승시키고, 상기 Fe 타겟은 음극으로, 상기 기판은 양극으로 하여 두 전극 사이에 소정 크기의 직류 전원을 인가하여 스퍼터링 방식에 의해 상기 Ti 하지층 상에 FeTaN 박막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 자기소자용 FeTaN계 연자성 박막의 제조방법

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1 JP15086447 JP 일본 FAMILY

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1 JP2003086447 JP 일본 DOCDBFAMILY
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