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복제방법에 의해 초전도체를 제조하는 방법에 있어서, 기본 모재에 분리층을 형성하는 단계와; 상기 분리층 상에 초전도층을 형성하는 단계와; 상기 초전도층 상에 지지층을 형성하는 단계와; 상기 분리층을 제거하는 단계; 를 구비하는 것을 특징으로 하는 초전도체의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 기본 모재는 전체가 연속적인 단결정 금속 루프이며, 그 결과 얻어지는 코팅된 초전도체가 테이프 형상인 것을 특징으로 하는 초전도체의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 분리층과 초전도층이 에피택셜 성장법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 초전도체의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 분리층과 초전도층의 형성단계 사이에, 완충층을 형성하는 단계를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 초전도체의 제조방법
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제4항에 있어서, 상기 분리층의 제거단계 이후에, 상기 완충층 상에 2차 초전도층 및 지지층을 순차 형성하는 단계를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 초전도체의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 분리층이 소정 용매에 의해 용해될 수 있는 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 초전도체의 제조방법
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복제방법에 의해 초전도체를 제조하는 방법에 있어서, 기본 모재에 분리층을 형성하는 단계와; 상기 분리층 상에 지지층을 형성하는 단계와; 상기 분리층을 제거하여, 상기 지지층을 상기 모재로부터 분리하는 단계와; 상기 지지층 상에 완충층, 초전도층 및 보호층을 순차 형성하는 단계; 를 구비하는 것을 특징으로 하는 초전도체의 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 기본 모재는 전체가 연속적인 단결정 금속 루프이며, 그 결과 얻어지는 코팅된 초전도체가 테이프 형상인 것을 특징으로 하는 초전도체의 제조방법
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제8항에 있어서, 상기 분리층이 소정 용매에 의해 용해될 수 있는 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 초전도체의 제조방법
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제8항에 있어서, 상기 분리층이 소정 용매에 의해 용해될 수 있는 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 초전도체의 제조방법
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