| 요약 |
본 발명은 저전압 직류전원(100)을 이용하여 펄스파형 또는 계단파형의 고전압을 발생하는 장치이며 출력되는 전압의 크기와 폭 및 주파수를 임으로 변환시킬수 있는 장치로서, 상기 저전압 직류전원(100)을 단상 고주파 인버터(200)를 이용하여 직류를 교류로 변환하고, 고주파 변압기(300)로 승압한 후, 다이오드 정류기(D1)로 직류 변환하여 캐패시터(C1)에 전기에너지를 저장하는 구조를 가지는 구조로서 복수개의 고주파 변압기(300, 310)와 변환회로(410)를 직렬로 연결하여 구성하며, 각 단위간의 연결은 반도체 스위치인 IGBT(S1,Sn)로 구성된다. 어느 한 반도체 스위치(S1,Sn)의 스위칭 시간(on 또는 off)차가 있거나, 이상이 있을때는 각 스위치(S1, S2, ,Sn)와 캐패시터(C1, C2,Cn)에 병렬로 연결된 해당 바이패스 다이오드(d1, d2,dn)로 회로가 연결되어 스위치(S1, S2,Sn)를 보호하고 장치의 성능까지도 보장하는 구조이며, 고주파 변압기를 이용하여 소형화하고, 반도체 스위치의 고속 스위칭 특성과 장(長)수명의 장점을 최대로 이용할 수 있다.펄스 전원, 고속 고전압 스위칭, 반도체 스위치, 고속 스위칭, 펄스 파형, 계단파형
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