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박막 커패시터 유전체의 제조방법

  • 기술번호 : KST2014012624
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 박막 커패시터 유전체의 제조방법은, a) 기판상의 실리콘 타겟에 탄탈륨(Ta) 금속을 반응성 가스인 산소와 반응시켜 가면서 증착하는 단계와, b) 상기 증착으로 형성된 산화탄탈륨(TaO) 박막을 산소 분위기 및 진공 분위기에서 소정 온도로 열처리하는 단계; 및 c) 상기 열처리된 Ta2O5-x 박막을 상온까지 냉각하는 단계를 포함한 박막 커패시터 유전체의 제조방법에 있어서: 상기 단계 b)에서의 산소 분위기 및 진공 분위기 조건은 산소 주입을 50cc/min로, 진공도를 10-6torr 이하로 유지하는 것을 특징으로 한다.이와 같은 본 발명에 의하면, RF 스퍼터링 방법으로 Ta2O5 박막을 증착시킨 후 결정화 온도 영역으로 알려진 650∼750 ℃의 산소 및 진공 분위기에서 어닐링 처리하여 커페시터 유전체 박막을 제조하므로, 상온에서 200 ℃ 까지 유전율 변화를 측정한 결과 매우 안정한 특성을 나타내고, 4.0 ×102 (kV/cm) 이하의 전계강도 영역에서 비교적 안정한 누설전류 특성을 나타내어 메모리나 박막 커패시터용 유전체로서 채용될 경우 양호한 특성을 갖는 제품의 생산이 가능해 진다. 커패시터, 유전체, 메모리
Int. CL H01L 27/108 (2000.01)
CPC H01L 21/02183(2013.01) H01L 21/02183(2013.01) H01L 21/02183(2013.01) H01L 21/02183(2013.01) H01L 21/02183(2013.01)
출원번호/일자 1020040112676 (2004.12.27)
출원인 한국전기연구원
등록번호/일자 10-0766991-0000 (2007.10.08)
공개번호/일자 10-2006-0074061 (2006.07.03) 문서열기
공고번호/일자 (20071015) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.12.27)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김인성 대한민국 경남 창원시
2 송재성 대한민국 경남 창원시
3 민복기 대한민국 경남 창원시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 주종호 대한민국 서울특별시 송파구 법원로**길 **, A동 *층 ***호 (문정동, H비지니스파크)(*T국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2004.12.27 수리 (Accepted) 1-1-2004-0614633-01
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2006.06.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0384679-21
3 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2006.08.31 수리 (Accepted) 1-1-2006-0630305-85
4 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2006.09.29 수리 (Accepted) 1-1-2006-0711756-85
5 의견서
Written Opinion
2006.10.31 수리 (Accepted) 1-1-2006-0795152-65
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2006.10.31 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0795151-19
7 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2007.02.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0106936-53
8 의견서
Written Opinion
2007.04.19 수리 (Accepted) 1-1-2007-0297927-29
9 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2007.04.19 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2007-0297926-84
10 등록결정서
Decision to grant
2007.07.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0407862-00
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.11.17 수리 (Accepted) 4-1-2009-5220117-37
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.11.08 수리 (Accepted) 4-1-2010-5207456-63
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.04 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006987-25
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번호 청구항
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a) 기판상의 실리콘 타겟에 탄탈륨(Ta) 금속을 반응성 가스인 산소와 반응시켜 가면서 증착하는 단계와, b) 상기 증착으로 형성된 Ta2O5의 조성을 갖는 산화탄탈륨 박막을 산소 분위기 및 진공 분위기에서 소정 온도로 열처리하는 단계; 및 c) 상기 열처리된 Ta2O5의 조성을 갖는 산화탄탈륨 박막을 상온까지 냉각하는 단계를 포함한 박막 커패시터 유전체의 제조방법에 있어서:상기 단계 b)에서의 산소 분위기 및 진공 분위기 조건은 산소 주입을 50cc/min로, 진공도를 10-6torr 이하로 유지하는 것을 특징으로 하는 박막 커패시터 유전체의 제조방법
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a) 기판상의 실리콘 타겟에 탄탈륨(Ta) 금속을 반응성 가스인 산소와 반응시켜 가면서 증착하는 단계와, b) 상기 증착으로 형성된 Ta2O5의 조성을 갖는 산화탄탈륨 박막을 산소 분위기 및 진공 분위기에서 소정 온도로 열처리하는 단계; 및 c) 상기 열처리된 Ta2O5의 조성을 갖는 산화탄탈륨 박막을 상온까지 냉각하는 단계를 포함한 박막 커패시터 유전체의 제조방법에 있어서:상기 단계 b)에서의 산소 분위기 및 진공 분위기 조건은 산소 주입을 50cc/min로, 진공도를 10-6torr 이하로 유지하는 것을 특징으로 하는 박막 커패시터 유전체의 제조방법
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