맞춤기술찾기

이전대상기술

전력반도체 소자의 온도 모니터링 시스템 및 그 방법

  • 기술번호 : KST2014012626
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전력반도체 소자의 온도 모니터링 시스템에 관한 발명으로, 모니터링의 대상이 되는 전력 반도체; 전력 반도체의 드레인과 소스 사이의 전압을 검출하는 Vds 검출부; 아날로그-디지털변환기로 형성되는 것으로, 상기 Vds로부터 전력 반도체 자체의 온도를 측정하고, 과열을 방지하기 위해 전력 반도체를 제어하기 위한 신호를 발생하는 주 제어부; 및 상기 주 제어부에서 측정된 상기 전력 반도체의 온도를 표시하는 표시부를 포함하고, 그 온도 모니터링 방법으로서, 전력 반도체의 드레인단과 소스단사이의 전압을 직접 검출하는 단계; 상기 검출된 전압으로부터 전력 반도체의 온도를 산출하고, 과열을 방지하기 위해 전력 반도체를 제어하기 위한 아날로그신호를 디지털신호로 변환하여 신호를 발생하는 주 제어단계; 상기 산출된 온도를 표시하는 단계를 포함한다.이와 같은 본 발명에 따른 전력 반도체의 온도 모니터링 시스템 및 그 방법을 제공하면, 보호온도를 사용자에 맞게 설정할 수 있으며, 다양한 용량에 사용가능하고 다양한 기능을 용이하게 추가 할 수 있을 뿐 아니라, 별도의 센서가 필요 없으며 다양한 전력 반도체 소자에 대하여 적용 가능하다.전력반도체, 드레인, 소스, 게이트, MOSFET, A/D 변환기, Voltage Follower, 온도 모니터링 시스템
Int. CL H01L 21/66 (2006.01)
CPC H01L 21/67248(2013.01)
출원번호/일자 1020050117581 (2005.12.05)
출원인 한국전기연구원
등록번호/일자 10-0708307-0000 (2007.04.10)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20070417) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.12.05)
심사청구항수 13

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 최낙권 대한민국 경남 김해시 구
2 서길수 대한민국 경남 창원시
3 김기현 대한민국 경남 창원시
4 강인호 대한민국 경남 진주시
5 방욱 대한민국 경남 창원시 가음정동
6 김형우 대한민국 경남 창원시
7 김상철 대한민국 경남 마산시 합포구
8 김남균 대한민국 경남 창원시

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인충정 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로***,*층(역삼동,성보역삼빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2005.12.05 수리 (Accepted) 1-1-2005-0709172-94
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2006.09.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2006.10.16 수리 (Accepted) 9-1-2006-0065609-15
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2006.10.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0621878-59
5 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2006.12.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0960663-11
6 의견서
Written Opinion
2006.12.26 수리 (Accepted) 1-1-2006-0960661-19
7 등록결정서
Decision to grant
2007.04.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0184339-12
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.11.17 수리 (Accepted) 4-1-2009-5220117-37
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.11.08 수리 (Accepted) 4-1-2010-5207456-63
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.04 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006987-25
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
온도모니터링의 대상이 되는 전력반도체 소자;상기 전력반도체 소자의 소스단에 연결되는 기준전압 검출부를 포함하여 상기 전력반도체 소자의 드레인단과 연결되고, 상기 기준전압에 대한 드레인 전압을 검출하는 방법으로 Vds를 검출하는 Vds 검출부;아날로그-디지털변환기로 형성되는 것으로, 상기 Vds로부터 전력 반도체 자체의 온도를 산출하고, 상기 전력반도체 소자의 과열을 방지하기 위해 상기 전력반도체 소자를 제어하는 신호를 발생하는 주 제어부; 및상기 주 제어부에서 측정된 상기 전력반도체 소자의 온도를 표시하는 표시부를 포함하는 것을 특징으로 하는 전력반도체 소자의 온도 모니터링 시스템
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서,상기 기준전압 검출부는 상기 아날로그-디지털 변환기와 전력반도체 소자의 소스단에 직접 연결되는 것을 특징으로 하는 전력반도체의 온도 모니터링 시스템
4 4
제1항에 있어서,상기 Vds 검출부는 전압 플로워(Voltage Follower)를 이용하여 검출하는 것을 특징으로 하는 전력반도체 소자의 온도 모니터링 시스템
5 5
제1항에 있어서,상기 주 제어부는 전력반도체 소자의 과열을 방지하기 위한 보호온도가 설정될 수 있도록 하는 보호온도 설정부가 연결되는 것을 특징으로 하는 전력반도체 소자의 온도 모니터링 시스템
6 6
제5항에 있어서,상기 보호온도 설정부는 외부의 누름 버튼스위치에 의하여 형성되는 것을 특징으로 하는 전력반도체 소자의 온도 모니터링 시스템
7 7
제5항에 있어서,상기 설정된 보호온도와 상기 검출된 Vds로부터 산출된 전력 반도체의 온도를 비교하여 전력반도체 소자의 게이트로 트리거 신호를 보내는 차단 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 전력반도체 소자의 온도 모니터링 시스템
8 8
제5항에 있어서,상기 주 제어부에서 발생된 신호에 의해서 제어되는 것으로서, 상기 전력반도체 소자를 냉각시키기 위한 냉각수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전력반도체 소자의 온도 모니터링 시스템
9 9
제7항 또는 제8항 중 어느 한 항에 있어서,상기 차단 제어부 또는 냉각수단은 증폭기를 포함하는 것을 특징으로 하는 온도 모니터링 시스템
10 10
제1항에 있어서,상기 온도 모니터링 시스템은 주 제어부에 연결되는 것으로서, PC연결부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전력반도체 소자의 온도 모니터링 시스템
11 11
전력 반도체의 드레인단과 소스단사이의 전압을 검출하는 단계;상기 검출된 전압의 아날로그 신호를 디지털 신호로 변환하며, 상기 검출된 전압으로부터 전력 반도체의 온도를 산출하고, 상기 전력반도체 소자의 과열을 방지하기 위한 제어신호를 발생하는 주 제어단계; 및상기 산출된 온도를 표시하는 단계를 포함하는 전력반도체 소자의 온도 모니터링 방법
12 12
제11항에 있어서,상기 주 제어단계는 외부에서 보호온도를 설정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전력반도체 소자의 온도 모니터링 방법
13 13
제10항에 있어서,상기 주 제어단계는 전력반도체 소자의 온도가 상기 설정된 보호온도보다 높아지는 경우, 전력반도체 소자의 구동을 정지 시키는 차단단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전력반도체 소자의 온도 모니터링 방법
14 14
제10항에 있어서,상기 주 제어단계는 전력반도체 소자의 온도가 상기 설정된 보호온도보다 높아지는 경우, 전력반도체 소자를 냉각시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전력반도체 소자의 온도 모니터링 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.