| 1 |
1
전력용 반도체 소자를 포함하여 주회로가 구성되고 주회로의 단상 및 3상 입력전력을 원하는 출력전력 형태로 변환하기 위한 제어기능을 수행하는 제어기로 구성되는 전력변환장치에 있어서,상기 전력용 반도체 소자의 전기적 파라미터인 턴-온시의 콜렉터와 에미터 양단간 전압을 측정하는 단계와, 상기 전력용 반도체 소자의 도통전류를 측정하는 단계 및, 상기 전력용 반도체 소자의 스위칭 동작에 따른 콜렉터와 에미터 사이의 양단간 전압과 상기 전력용 반도체 소자의 도통전류를 이용하여 상기 전력용 반도체소자의 과전류가 나타나는 영역의 크기를 측정하여 전력용 반도체 소자의 열화를 진단하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 전력변환장치의 열화진단방법
|
| 2 |
2
삭제
|
| 3 |
3
삭제
|
| 4 |
4
삭제
|
| 5 |
5
제1항에 있어서,상기 과전류가 나타나는 영역의 크기는, 상기 전력용 반도체 소자의 출력커패시터에 충전된 전하와 역병렬 다이오드의 회복전하의 합의 양을 측정하여 구하는 것을 특징으로 하는 전력변환장치의 열화진단방법
|
| 6 |
6
제1항에 있어서, 상기 전력용 반도체 소자는 IGBT, MOSFET 및 IGCT 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전력변환장치의 열화진단방법
|
| 7 |
7
제1항에 있어서, 상기 전력변환장치는 AC-DC 정류기, DC-DC 컨버터 및 DC-AC 인버터 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전력변환장치의 열화진단방법
|
| 8 |
8
제1항에 있어서, 상기 전력변환장치가 휴지 시 및 동작 중에 열화진단을 행하는 것을 특징으로 하는 전력변환장치의 열화진단방법
|
| 9 |
9
제1항에 있어서, 상기 전력용 반도체 소자의 열적평형 상태에서 상기 전력용 반도체 소자의 턴-온 시의 콜렉터와 에미터 사이의 양단간 전압을 측정하여 정적 열화진단 지수로 활용하는 것을 특징으로 전력변환장치의 열화진단방법
|
| 10 |
10
전력용 반도체 소자를 포함하여 주회로가 구성되고 주회로의 단상 및 3상 입력전력을 원하는 출력전력 형태로 변환하기 위한 제어기능을 수행하는 제어기로 구성되는 전력변환장치에 있어서,상기 전력용 반도체 소자의 콜렉터 단자와 접지 사이에 연결된 고정밀한 저항값을 갖는 다수의 저항으로 된 제1 저항 직렬회로와;상기 전력용 반도체 소자의 에미터 단자와 접지 사이에 연결된 고정밀한 저항값을 갖는 다수의 저항으로 된 제2 저항 직렬회로와;제1 저항직렬회로의 저항들 사이의 소정 노드와 상기 제2 저항직렬회로의 접지사이에 접속되어, 상기 소정 노드와 상기 접지사이의 전압을 다른 성분에 의하여 변동되지 않도록 격리처리하는 격리회로와;상기 격리회로를 통과한 신호를 증폭하는 증폭회로와;상기 증폭회로에서 측정 가능하게 증폭된 아날로그 신호를 디지털신호로 변환하는 아날로그/디지털변환부와;상기 디지털변환된 신호를 열화진단 데이터로 사용하여 열화진단을 위한 디지털 신호처리를 수행하는 열화진단 처리수단을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 전력변환장치의 열화진단장치
|
| 11 |
11
제10항에 있어서, 상기 전력용 반도체 소자의 도통전류를 감지하여 상기 증폭회로로 전달하는 전류감지부를 더 포함하여 구성되고, 상기 증폭회로는 상기 상기 격리회로를 통과한 신호와 함께 상기 도통전류를 증폭하는 것을 특징으로 하는 전력변환장치의 열화진단장치
|
| 12 |
12
제11항에 있어서,상기 열화진단 처리수단은, 상기 전력용 반도체 소자의 스위칭 동작에 따른 콜렉터와 에미터 사이의 양단간 전압에 대한 상기 전력용 반도체 소자의 도통전류의 동적인 기울기 변화를 측정하여 전력용 반도체 소자 열화진단 지수로 사용하는 것을 특징으로 하는 전력변환장치의 열화진단장치
|
| 13 |
13
제11항에 있어서,상기 열화진단 처리수단은, 상기 전력용 반도체 소자의 스위칭 동작에 따른 콜렉터와 에미터 사이의 양단간 전압과 상기 전력용 반도체 소자의 도통전류를 이용하여 상기 전력용 반도체소자의 과전류가 나타나는 영역의 크기를 측정하여 전력용 반도체 소자 열화진단 지수로 사용하는 것을 특징으로 하는 전력변환장치의 열화진단장치
|
| 14 |
14
제13항에 있어서, 상기 과전류가 나타나는 영역의 크기는, 상기 전력용 반도체 소자의 출력커패시터에 충전된 전하와 역병렬 다이오드의 회복전하의 합의 양을 측정하여 구하는 것을 특징으로 하는 전력변환장치의 열화진단장치
|
| 15 |
15
제10항 내지 제14항중 어느 한 항에 있어서, 상기 전력용 반도체 소자는 IGBT, MOSFET 및 IGCT 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전력변환장치의 열화진단장치
|
| 16 |
16
제10항 내지 제14항중 어느 한 항에 있어서, 상기 전력변환장치는 AC-DC 정류기, DC-DC 컨버터 및 DC-AC 인버터 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전력변환장치의 열화진단장치
|
| 17 |
16
제10항 내지 제14항중 어느 한 항에 있어서, 상기 전력변환장치는 AC-DC 정류기, DC-DC 컨버터 및 DC-AC 인버터 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전력변환장치의 열화진단장치
|
