| 1 |
1
RF 전원회로부;상기 RF 전원회로부에 병렬로 접속되는 입력 커패시터;제 1 인덕터와 제 2 인덕터 및 제 1 커패시터 및 제 2 커패시터로 구성되되, 입력전원의 양의 단자가 제 1 인덕터(L1)의 일단에 접속되고 상기 제 1 인덕터(L1)의 타단은 연결되는 스위치단의 양의 단자에 접속됨과 동시에 제 1 커패시터(C2)의 일단에 접속되고 상기 제 1 커패시터(C2)의 타단은 입력전원의 음의 단자에 접속되며, 입력전원의 음의 단자가 제 2 인덕터(L2)의 일단에 접속되고 상기 제 2 인덕터(L2)의 타단은 연결되는 스위치단의 음의 단자에 접속됨과 동시에 제 2 커패시터(C1)의 일단에 접속되고 상기 제 2 커패시터(C1)의 타단은 입력전원의 양의 단자에 접속되도록 구성되는 한편, 상기 입력 커패시터에 병렬로 접속되는 필터부;상기 필터부에 병렬로 접속되는 스위칭부; 및상기 스위칭부의 출력단자에 연결되는 부하부로 이루어진 전류원 RF 전원회로
|
| 2 |
2
삭제
|
| 3 |
3
청구항 1에 있어서, 상기 스위칭부는,하프 브리지(half bridge) 구조, 풀 브리지(full bridge) 구조 또는 다상 컨버터 구조 중 어느 하나의 구조로 구성되는 것을 특징으로 하는 전류원 RF 전원회로
|
| 4 |
4
청구항 3에 있어서, 상기 스위칭부의 출력단자는,스위치의 한 레그에서 위 아래 스위치의 접속점으로 구성되는 것을 특징으로 하는 전류원 RF 전원회로
|
| 5 |
5
청구항 3에 있어서, 상기 스위칭부가 하프 브리지 구조인 경우에,제 1 스위치(S1)와 제 2 스위치(S2) 사이의 출력단자와 입력 커패시터의 중성점에 부하부가 연결되는 것을 특징으로 하는 전류원 RF 전원회로
|
| 6 |
6
청구항 3에 있어서, 상기 스위칭부의 구조는,전력용 반도체 스위칭 소자들로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전류원 RF 전원회로
|
| 7 |
7
입력전원 양의 단자와 제 1 인덕터(L1) 및 제 2 인덕터(L2)의 각각의 일단에 접속되고 상기 제 1 인덕터(L1)의 타단은 제 1 스위치(S1)의 양의 단자와 제 1 커패시터(C2)의 일단에 접속되며 상기 제 2 인덕터(L2)의 타단은 제 2 커패시터(C1)의 일단과 제 2 스위치(S2)의 양의 단자에 접속되고 상기 제 1 커패시터(C2) 및 제 2 커패시터(C1)의 타단은 다이오드(D)의 애노드에 각각 접속되며,상기 다이오드(D)의 캐소드는 입력전원의 음의 단자에 접속되고 상기 제 2 커패시터(C1)의 타단과 제 1 스위치(S1)의 음의 단자에 접속되고 상기 제 1 커패시터(C2)의 타단과 상기 제 2 스위치(S2)의 음의 단자에 접속되며,상기 제 1 커패시터(C2)의 타단과 상기 제 1 스위치(S1)의 음의 단자 사이에 부하(RO, LO, CO)를 접속하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 전류원 RF 전원회로
|
| 8 |
8
청구항 7에 있어서, 상기 제 1 스위치(S1)와 상기 제 2 스위치(S2)는,전력용 반도체 스위칭 소자들로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전류원 RF 전원회로
|
