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리튬 폴리머 2차전지용 고분자 전해질 제조방법
- 기술번호 : KST2014012705
- 담당센터 :
- 전화번호 :
| 요약 | 본 발명은 리튬 폴리머 2차전지용 고분자 전해질 제조방법에 관한 것으로서, 에틸렌 카보네이트(EC:Ethylene Carbonate)/프로필렌 카보네이트(PC: Propylene Carbonate) (50/50 vol %) 용매에 1 몰의 LiClO4이 용해된 액체 전해액(70)이 담겨있는 용기(60)내에, 폴리비닐리딘 플루오라이드(Polyvinylidene fluoride) 필름(80)을 상온에서 1시간 동안 함침시킨 후, 필름 표면의 전해액을 제거하여 고분자 전해질을 제조함으로써, 비교적 간단한 공정과 장치만으로 제조가 가능하며, 별도의 용매를 사용하지 않으므로 용매의 건조와 같은 공정이 필요치 않아 보다 짧은 시간내에 제조가 가능한 것은 물론, 비용이 적게 들고 공해 문제를 발생시키지 않아 환경친화적인 매우 유용한 발명이다. |
|---|---|
| Int. CL | H01M 10/0525 (2010.01) H01M 10/058 (2010.01) H01M 10/0569 (2010.01) |
| CPC | |
| 출원번호/일자 | 1019980033176 (1998.08.10) |
| 출원인 | 한국전기연구원, 삼성전자주식회사 |
| 등록번호/일자 | 10-0276249-0000 (2000.09.27) |
| 공개번호/일자 | 10-2000-0013996 (2000.03.06) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20001215) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 소멸 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (1998.08.10) |
| 심사청구항수 | 7 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국전기연구원 | 대한민국 | 경상남도 창원시 성산구 |
| 2 | 삼성전자주식회사 | 대한민국 | 경기도 수원시 영통구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 문성인 | 대한민국 | 경남 창원시 |
| 2 | 진봉수 | 대한민국 | 경남 창원시 |
| 3 | 이경희 | 대한민국 | 인천광역시 남동구 |
| 4 | 선양국 | 대한민국 | 대전광역시 서구 |
| 5 | 오부근 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
| 6 | 김동원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
| 7 | 김영록 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 박래봉 | 대한민국 | 서울특별시 송파구 정의로*길 ** 힐스테이트에코송파 B동 ***호(로앤텍국제특허법률사무소) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 삼성전자 주식회사 | 대한민국 | 경기도 수원시 팔달구 |
| 2 | 한국전기연구소 | 대한민국 | 경상남도 창원시 성산구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 특허출원서 Patent Application |
1998.08.10 | 수리 (Accepted) | 1-1-1998-0101408-25 |
| 2 | 출원심사청구서 Request for Examination |
1998.08.17 | 수리 (Accepted) | 1-1-1998-0101410-17 |
| 3 | 대리인선임신고서 Notification of assignment of agent |
1998.08.17 | 수리 (Accepted) | 1-1-1998-0101409-71 |
| 4 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
1999.01.08 | 수리 (Accepted) | 4-1-1999-0002075-52 |
| 5 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
1999.02.03 | 수리 (Accepted) | 4-1-1999-0027796-82 |
| 6 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
1999.02.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-1999-0035751-71 |
| 7 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
1999.06.19 | 수리 (Accepted) | 4-1-1999-0085031-22 |
| 8 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
1999.09.18 | 수리 (Accepted) | 4-1-1999-0119956-71 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2000.08.09 | 수리 (Accepted) | 4-1-2000-0106069-21 |
| 10 | 등록사정서 Decision to grant |
2000.09.16 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2000-0231242-22 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2001.01.26 | 수리 (Accepted) | 4-1-2001-0008178-68 |
| 12 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2001.01.26 | 수리 (Accepted) | 4-1-2001-0008089-03 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2001.10.10 | 수리 (Accepted) | 4-1-2001-0116129-97 |
| 14 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2002.04.30 | 수리 (Accepted) | 4-1-2002-0039038-35 |
| 15 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2002.10.11 | 수리 (Accepted) | 4-1-2002-0079231-78 |
| 16 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2003.01.07 | 수리 (Accepted) | 4-1-2003-0000806-26 |
| 17 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2003.12.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2003-5079986-93 |
| 18 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2005.07.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2005-5072608-11 |
| 19 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2005.08.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2005-5079334-14 |
| 20 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2009.11.17 | 수리 (Accepted) | 4-1-2009-5220117-37 |
| 21 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2010.11.08 | 수리 (Accepted) | 4-1-2010-5207456-63 |
| 22 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2012.06.21 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5132663-40 |
| 23 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.02.04 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-0006987-25 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 쌍극자 모멘트가 큰 극성기를 갖고 있는 고분자 재료를 이용하여 고분자 필름을 제조하는 제 1단계; 및 상기 고분자 필름과 친화도가 큰 리튬염 전해액에 상기 고분자 필름을 일정 시간 동안 함침시켜 고분자 전해질을 제조하는 제 2단계를 포함하여 이루어지는 리튬 폴리머 2차전지용 고분자 전해질 제조방법 |
| 2 |
2 제 1항에 있어서, 상기 제 2단계의 고분자 필름 함침시 30 ~ 60℃ 범위에서 전해액을 가열시키는 것을 특징으로 하는 리튬 폴리머 2차전지용 고분자 전해질 제조방법 |
| 3 |
3 제 1항에 있어서, 상기 극성기는 -CN0-, -O-, -CO-, -S-, -N- 또는 -C00- 중 하나의 극성기인 것을 특징으로 하는 리튬 폴리머 2차전지용 고분자 전해질 제조방법 |
| 4 |
4 제 1항에 있어서, 상기 리튬염은 LiClO |
| 5 |
5 제 4항에 있어서, 상기 리튬염의 농도는 0 |
| 6 |
6 제 1항에 있어서, 상기 전해액에 사용되는 가소제 용매는 에틸렌 카보네이트(Ethylene Carbonate), 프로필렌 카보네이트(Propylene Carbonate), 디에틸렌 카보네이트(Diethylene Carbonate), 디메틸렌 카보네이트(Dimethylene Carbonate), γ-부티롤락톤(γ-butyrolactone), 디프로필 카보네이트(Dipropyl Carbonate), 디에톡시 에탄(Diethoxy ethane) 또는 디메톡시 에탄(Dimethoxy ethane)중 하나의 가소제 용매인 것을 특징으로 하는 리튬 폴리머 2차전지용 고분자 전해질 제조방법 |
| 7 |
7 제 1항에 있어서, 상기 고분자 필름에 대한 상기 리튬염 전해액의 질량비는 1:1 내지 1:10인 것을 특징으로 하는 리튬 폴리머 2차전지용 고분자 전해질 제조방법 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 패밀리정보가 없습니다 |
|---|
| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
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| 특허 등록번호 | 10-0276249-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 19980810 출원 번호 : 1019980033176 공고 연월일 : 20001215 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20000916 청구범위의 항수 : 7 유별 : H01M 10/40 발명의 명칭 : 리튬 폴리머 2차전지용 고분자 전해질 제조방법 존속기간(예정)만료일 : 20150928 |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 한국전기연구소 경상남도 창원시 성산구... |
| 1 |
(권리자) 삼성전자 주식회사 경기도 수원시 팔달구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 414,000 원 | 2000년 09월 28일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 223,000 원 | 2003년 08월 27일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 235,000 원 | 2004년 09월 08일 | 납입 |
| 제 6 년분 | 금 액 | 235,000 원 | 2005년 08월 31일 | 납입 |
| 제 7 년분 | 금 액 | 400,000 원 | 2006년 09월 01일 | 납입 |
| 제 8 년분 | 금 액 | 400,000 원 | 2007년 09월 21일 | 납입 |
| 제 9 년분 | 금 액 | 380,000 원 | 2008년 09월 23일 | 납입 |
| 제 10 년분 | 금 액 | 625,000 원 | 2009년 09월 02일 | 납입 |
| 제 11 년분 | 금 액 | 625,000 원 | 2010년 06월 23일 | 납입 |
| 제 12 년분 | 금 액 | 625,000 원 | 2011년 09월 09일 | 납입 |
| 제 13 년분 | 금 액 | 745,000 원 | 2012년 09월 05일 | 납입 |
| 제 14 년분 | 금 액 | 745,000 원 | 2013년 09월 03일 | 납입 |
| 제 15 년분 | 금 액 | 745,000 원 | 2014년 09월 02일 | 납입 |
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| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 특허출원서 | 1998.08.10 | 수리 (Accepted) | 1-1-1998-0101408-25 |
| 2 | 출원심사청구서 | 1998.08.17 | 수리 (Accepted) | 1-1-1998-0101410-17 |
| 3 | 대리인선임신고서 | 1998.08.17 | 수리 (Accepted) | 1-1-1998-0101409-71 |
| 4 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 1999.01.08 | 수리 (Accepted) | 4-1-1999-0002075-52 |
| 5 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 1999.02.03 | 수리 (Accepted) | 4-1-1999-0027796-82 |
| 6 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 1999.02.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-1999-0035751-71 |
| 7 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 1999.06.19 | 수리 (Accepted) | 4-1-1999-0085031-22 |
| 8 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 1999.09.18 | 수리 (Accepted) | 4-1-1999-0119956-71 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2000.08.09 | 수리 (Accepted) | 4-1-2000-0106069-21 |
| 10 | 등록사정서 | 2000.09.16 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2000-0231242-22 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2001.01.26 | 수리 (Accepted) | 4-1-2001-0008178-68 |
| 12 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2001.01.26 | 수리 (Accepted) | 4-1-2001-0008089-03 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2001.10.10 | 수리 (Accepted) | 4-1-2001-0116129-97 |
| 14 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2002.04.30 | 수리 (Accepted) | 4-1-2002-0039038-35 |
| 15 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2002.10.11 | 수리 (Accepted) | 4-1-2002-0079231-78 |
| 16 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2003.01.07 | 수리 (Accepted) | 4-1-2003-0000806-26 |
| 17 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2003.12.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2003-5079986-93 |
| 18 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2005.07.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2005-5072608-11 |
| 19 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2005.08.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2005-5079334-14 |
| 20 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2009.11.17 | 수리 (Accepted) | 4-1-2009-5220117-37 |
| 21 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2010.11.08 | 수리 (Accepted) | 4-1-2010-5207456-63 |
| 22 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2012.06.21 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5132663-40 |
| 23 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.02.04 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-0006987-25 |
| 기술번호 | KST2014012705 |
|---|---|
| 자료제공기관 | NTB |
| 기술공급기관 | |
| 기술명 | 리튬 폴리머 2차전지용 고분자 전해질 제조방법 |
| 기술개요 |
본 발명은 리튬 폴리머 2차전지용 고분자 전해질 제조방법에 관한 것으로서, 에틸렌 카보네이트(EC:Ethylene Carbonate)/프로필렌 카보네이트(PC: Propylene Carbonate) (50/50 vol %) 용매에 1 몰의 LiClO4이 용해된 액체 전해액(70)이 담겨있는 용기(60)내에, 폴리비닐리딘 플루오라이드(Polyvinylidene fluoride) 필름(80)을 상온에서 1시간 동안 함침시킨 후, 필름 표면의 전해액을 제거하여 고분자 전해질을 제조함으로써, 비교적 간단한 공정과 장치만으로 제조가 가능하며, 별도의 용매를 사용하지 않으므로 용매의 건조와 같은 공정이 필요치 않아 보다 짧은 시간내에 제조가 가능한 것은 물론, 비용이 적게 들고 공해 문제를 발생시키지 않아 환경친화적인 매우 유용한 발명이다. |
| 개발상태 | 기술개발완료 |
| 기술의 우수성 | |
| 응용분야 | 2차전지 |
| 시장규모 및 동향 | |
| 희망거래유형 | 기술매매,라이센스, |
| 사업화적용실적 | |
| 도입시고려사항 |
| 과제정보가 없습니다 |
|---|
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