맞춤기술찾기

이전대상기술

중공 캐소드 방전건

  • 기술번호 : KST2014012729
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 플라즈마 형성시 발생하는 전자방사부재의 파손을 최대한 방지하는 중공 캐소드 방전건에 관한 것으로서, 디스크(disc)형상의 적어도 하나 이상의 전자방사부재 및 중심에 홀을 가지며 상기 전자방사부재의 일면과 맞닿는 적어도 하나 이상의 보강부재를 포함하여 구성되어, 높은 에너지를 갖는 플라즈마 빔이 상기 전자방사부재의 홀을 관통하면서 상기 홀에 가하는 충격량을 크게 감소시킬 수 있으므로 상기 전자방사부재의 수명을 연장하여 활용도를 크게 높일 수 있을 뿐 아니라 상기 방전건의 동작에 따른 소모비용을 상당부분 절감할 수 있는 효과가 있다.플라즈마, 중공, 전자방사부재, LaB6, 방전건
Int. CL H01J 37/06 (2006.01) H01J 37/32 (2006.01) H01J 37/073 (2006.01)
CPC H01J 37/06(2013.01) H01J 37/06(2013.01) H01J 37/06(2013.01) H01J 37/06(2013.01) H01J 37/06(2013.01)
출원번호/일자 1020070006629 (2007.01.22)
출원인 한국전기연구원, 아이시스 주식회사
등록번호/일자 10-0845326-0000 (2008.07.03)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20080710) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.01.22)
심사청구항수 7

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구
2 아이시스 주식회사 대한민국 경기도 안양시 만안구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 최영욱 대한민국 경남 창원시
2 배상열 대한민국 경기 수원시 영통구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인충정 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로***,*층(역삼동,성보역삼빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구
2 아이시스 주식회사 대한민국 경기도 안양시 만안구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2007.01.22 수리 (Accepted) 1-1-2007-0063661-14
2 보정요구서
Request for Amendment
2007.02.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2007-0014566-29
3 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items
2007.03.02 수리 (Accepted) 1-1-2007-0178205-71
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2007.10.05 수리 (Accepted) 4-1-2007-5150882-92
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2007.10.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2007.11.09 수리 (Accepted) 9-1-2007-0065897-71
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2007.12.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0654175-78
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.01.31 수리 (Accepted) 1-1-2008-0081025-42
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.01.31 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0081024-07
10 등록결정서
Decision to grant
2008.05.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0284537-14
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.11.17 수리 (Accepted) 4-1-2009-5220117-37
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.06.15 수리 (Accepted) 4-1-2010-5108431-88
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.11.08 수리 (Accepted) 4-1-2010-5207456-63
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.04 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006987-25
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
튜브에 가스를 주입하여 플라즈마를 방출하는 중공 캐소드 방전건에 있어서,필라멘트;디스크(disc)형상의 적어도 하나 이상의 전자방사부재; 및중심에 홀을 가지며 상기 전자방사부재의 일면과 맞닿는 적어도 하나 이상의 보강부재를 포함하고, 상기 필라멘트의 열에 의해 상기 전자방사부재가 2차 전자를 발생시키면 상기 전자방사부재 및 상기 보강부재의 홀을 관통하여 플라즈마를 방출하는 것을 특징으로 하는 중공 캐소드 방전건
2 2
제 1 항에 있어서,상기 보강부재는 상기 전자방사부재의 양면 중, 상기 가스가 주입되는 쪽의 면과 반대되는 면에 맞닿아 있는 것을 특징으로 하는 중공 캐소드 방전건
3 3
제 1 항에 있어서,상기 전자방사부재는 LaB6를 포함하는 재질로 형성되는 것을 특징으로 하는 중공 캐소드 방전건
4 4
제 1 항에 있어서,상기 보강부재는 내경이 상기 전자방사부재의 홀과 일치하는 크기로 형성된 링; 및상기 링에 연결되는 적어도 하나 이상의 지지바;를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 중공 캐소드 방전건
5 5
제 1 항에 있어서,상기 보강부재는 내경이 상기 전자방사부재의 홀과 일치하는 크기로 형성된 제 1링;외경이 상기 튜브의 직경과 일치하는 크기로 형성된 제 2링; 및상기 제 1링과 제 2링을 연결하는 적어도 하나 이상의 지지바;를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 중공 캐소드 방전건
6 6
제 1 항에 있어서,상기 보강부재의 두께는 1 내지 2mm 사이인 것을 특징으로 하는 중공 캐소드 방전건
7 7
삭제
8 8
제 1 항에 있어서,상기 보강부재는 몰리브덴(Mo)을 포함하는 재질로 형성되는 것을 특징으로 하는 중공 캐소드 방전건
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.