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지르코늄산화막 형성방법

  • 기술번호 : KST2014012836
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따르면, 지르코늄산화막 형성방법은 챔버의 내부에 지르코늄타겟과 증착대상물을 장착하는 제 1단계와, 상기 지르코늄 타겟과 반응하여 지르코늄 타겟을 원자상태 또는 분자상태로 만들기 위한 불활성 개스와, 설정된 박막의 두께와 조도에 따라 상기 원자상태 또는 분자상태의 부산물과 반응하여 상기 박막증착대상물에 박막을 형성하기 위한 반응성 스퍼터 개스의 함량을 조정하는 제 2단계와, 불활성개스와 불활성개스에 대한 함량이 조정된 반응성 스퍼터 개스를 상기 챔버에 공급하는 제 3단계와, 챔버내에 플라즈마를 형성하여 증착대상물측에 집중되도록 하는 제 4단계와, 상기 개스들과 지르코늄 타겟의 물질과의 반응을 수행하여 상기 증착 대상물에 박막을 형성하는 제 5단계를 포함한다. 지르코늄산화막, 스퍼터링, 두께, 표면조도
Int. CL C23C 16/40 (2006.01.01) H01L 21/67 (2006.01.01) H01L 21/205 (2006.01.01) C23C 14/00 (2018.01.01) C23C 16/455 (2006.01.01)
CPC C23C 16/40(2013.01) C23C 16/40(2013.01) C23C 16/40(2013.01) C23C 16/40(2013.01) C23C 16/40(2013.01)
출원번호/일자 1020050094059 (2005.10.06)
출원인 조선대학교산학협력단
등록번호/일자 10-0874867-0000 (2008.12.12)
공개번호/일자 10-2007-0038780 (2007.04.11) 문서열기
공고번호/일자 (20081218) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.05.24)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 조선대학교산학협력단 대한민국 광주광역시 동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이봉주 대한민국 광주 동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 위병갑 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 * *층(대영빌딩)(위특허법률사무소)
2 성정현 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로***,*층(역삼동,성보역삼빌딩)(특허법인충정)
3 황주명 대한민국 서울특별시 중구 세종대로*길 **, *층 (서소문동, 부영빌딩)(특허법인 에이치엠피)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 조선대학교산학협력단 대한민국 광주광역시 동구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2005.10.06 수리 (Accepted) 1-1-2005-0566218-30
2 출원심사청구서
Request for Examination
2006.05.24 수리 (Accepted) 1-1-2006-0365438-09
3 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items
2006.05.24 수리 (Accepted) 1-1-2006-0365440-91
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2007.02.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2007.03.13 수리 (Accepted) 9-1-2007-0015055-49
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2007.03.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0164284-31
7 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2007.05.28 수리 (Accepted) 1-1-2007-0390556-09
8 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2007.06.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0474881-70
9 의견서
Written Opinion
2007.06.28 수리 (Accepted) 1-1-2007-0474893-17
10 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2007.10.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0569666-12
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2007.12.24 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2007-0928815-48
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2007.12.24 수리 (Accepted) 1-1-2007-0928807-83
13 등록결정서
Decision to grant
2008.04.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0220110-44
14 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2008.11.04 수리 (Accepted) 1-1-2008-0765174-91
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.11.04 수리 (Accepted) 4-1-2008-5174682-53
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149329-23
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.09.19 수리 (Accepted) 4-1-2011-5189513-90
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.09 수리 (Accepted) 4-1-2014-5004365-05
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.04.21 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049090-32
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.08.10 수리 (Accepted) 4-1-2015-5106192-07
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.12.06 수리 (Accepted) 4-1-2017-5199091-10
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.03.26 수리 (Accepted) 4-1-2020-5071333-01
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2020-5088703-88
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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챔버의 내부에 지르코늄타겟과 증착대상물인 웨이퍼를 장착하는 제 1단계와,상기 지르코늄 타겟과 반응하여 지르코늄 타겟을 원자상태 또는 분자상태로 만들기 위한 불활성 개스인 아르곤 개스와, 상기 박막증착대상물에 박막을 형성하기 위한 반응성 스퍼터 개스인 산소의 함량을 조정하는 것으로, 아르곤 개스에 대한 함량이 7 내지 18 mol%로 반응성 산소 개스를 상기 챔버에 공급하는 제 2단계와,증착대상물 측에 집중되도록 챔버내에 플라즈마를 형성하는 제 3단계와, 상기 아르곤 개스 및 산소개스와 지르코늄 타겟의 물질과의 반응을 수행하여 상기 증착 대상물에 박막을 형성하는 제 4단계를 포함한 것을 특징으로 하는 지르코늄 산화막 형성방법
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.