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CMOS 링 전압 제어 발진기

  • 기술번호 : KST2014013349
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 본 발명은 전압 제어 발진기에 관한 것으로, 보다 구체적으로 CMOS 전압 제어 링 발진기에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 CMOS 링 전압 제어 발진기는, 입력단과 출력단간에 직렬로 연결되고, 제 1 MOSFET와 제 2 MOSFET의 폭이 소정의 간격으로 이격되어 병렬로 형성되는 제어부; 제 1 바이어스 전압이 인가되는 제 1 캐패시터; 및 제 2 바이어스 전압이 인가되는 제 2 캐패시터를 포함한다.
Int. CL H03K 3/03 (2006.01) H03K 3/354 (2006.01)
CPC H03K 3/0315(2013.01) H03K 3/0315(2013.01) H03K 3/0315(2013.01) H03K 3/0315(2013.01)
출원번호/일자 1020100021030 (2010.03.09)
출원인 숭실대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2011-0101785 (2011.09.16) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.12.24)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 숭실대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 동작구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정영준 대한민국 대전광역시 유성구
2 최재익 대한민국 대전광역시 서구
3 전병건 대한민국 서울특별시 노원구
4 문용 대한민국 서울특별시 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 숭실대학교산학협력단 서울특별시 동작구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.03.09 수리 (Accepted) 1-1-2010-0150282-14
2 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2014.12.09 수리 (Accepted) 1-1-2014-1197377-60
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2014.12.24 수리 (Accepted) 1-1-2014-1257511-89
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2015.11.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2015.12.18 수리 (Accepted) 9-1-2015-0080955-05
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.01.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0067534-64
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2016.03.28 수리 (Accepted) 1-1-2016-0294243-05
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.04.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0394449-15
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.04.25 수리 (Accepted) 1-1-2016-0394473-12
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2016-5110636-51
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.09.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0641299-37
12 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2016.11.07 수리 (Accepted) 1-1-2016-1084485-45
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.11.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-1174986-41
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.11.30 수리 (Accepted) 1-1-2016-1174987-97
15 등록결정서
Decision to grant
2017.02.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0086368-16
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
CMOS 링 전압 제어 발진기에 있어서,출력단과 접지 사이에 연결되고, n-MOSFET과 p-MOSFET의 폭이 소정의 간격으로 이격되어 병렬로 형성되는 제어부;상기 제어부에 연결되고, 제 1 바이어스 전압이 인가되는 제 1 캐패시터; 및상기 제어부에 연결되고, 제 2 바이어스 전압이 인가되는 제 2 캐패시터를 포함하고,상기 n-MOSFET의 게이트와 상기 p-MOSFET의 게이트는 서로 연결되는발진기
2 2
제 1 항에 있어서,상기 n-MOSFET과 상기 p-MOSFET의 폭은 1:N 형태로 차이를 가지고 형성되는발진기
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 제어부는,상기 n-MOSFET과 상기 p-MOSFET의 폭을 조절하여 주파수를 제어하는발진기
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 한국전자통신연구원, 숭실대학교산학협력단 메타 전자파 구조를 이용한 전파(RF)스펙트럼 개선 기술 연구