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알파선이 입사되는 이온 입사창, 상기 이온 입사창으로 입사된 알파선을 감지하여 전기적 신호로 변환하는 반도체 센서, 상기 이온 입사창 및 상기 반도체 센서 사이의 공간을 밀폐시켜 진공상태를 유지하는 진공 유지 구조물을 포함하는 센서부;
상기 센서부의 출력신호를 증폭시키는 하나 이상의 증폭부;
상기 증폭부의 출력 신호의 세기 및 빈도수를 계산하는 신호처리 및 제어부를 포함하는 고방사선 환경 상압 무전원 핵물질 측정 장치
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청구항 1에 있어서,
상기 신호처리 및 제어부는 상기 증폭부의 출력 신호의 세기 및 빈도수를 이용하여 상기 알파선을 방출하는 핵물질의 종류와 성분 분석을 더 수행하는 것을 특징으로 하는 고방사선 환경 상압 무전원 핵물질 측정 장치
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3
청구항 2에 있어서,
상기 신호처리 및 제어부는 상기 증폭부의 출력 신호를 소정의 전압 레벨로 나누어 각 레벨의 전압값을 나타내는 출력 신호의 누적 빈도수를 계산하는 것을 특징으로 하는 고방사선 환경 상압 무전원 핵물질 측정 장치
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4
청구항 1에 있어서, 상기 반도체 센서는
알파선이 입사되는 일면에 얇은 박막으로 형성되는 제 1 전극;
입사된 알파선에 의해 전하를 생성시키는 2 종류 이상의 반도체로 이루어진 반도체층; 및
상기 반도체층에서 생성된 전하를 수집하는 제 2 전극을 포함하는 고방사선 환경 상압 무전원 핵물질 측정 장치
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5
청구항 4 에 있어서, 상기 반도체층은
상기 제 2 전극 상에 형성되는 N형 고농도 반도체층;
상기 N형 고농도 반도체층 상에 형성되는 N형 저농도 반도체층;
상기 N형 저농도 반도체층 상에 형성되는 P형 반도체층을 포함하여 구성되는 고방사선 환경 상압 무전원 핵물질 측정 장치
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6
청구항 5에 있어서,
상기 제 1 전극은 옴형 전극인 것을 특징으로 하는 고방사선 환경 상압 무전원 핵물질 측정 장치
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7
청구항 4 에 있어서, 상기 반도체층은
상기 제 2 전극 상에 형성되는 제 1 반도체층;
상기 제 1 반도체층 상에 형성되는 제 2 반도체층;
상기 제 2 반도체층 상에 형성되는 제 3 반도체층을 포함하되,
상기 반도체층의 농도는 제 1 반도체층에서 제 3 반도체층으로 갈수록 불순물의 농도가 점차 낮아지는 것을 특징으로 하는 고방사선 환경 상압 무전원 핵물질 측정 장치
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8
청구항 7에 있어서,
상기 제 1 전극은 쇼트키형 전극인 것을 특징으로 하는 고방사선 환경 상압 무전원 핵물질 측정 장치
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9
청구항 4에 있어서, 상기 센서부는
상기 이온 입사창, 반도체 센서, 진공 유지 구조물을 감싸도록 형성되는 하우징;
상기 제 2 전극과 연결되어 상기 하우징 외부의 상기 증폭부에 연결되는 신호 라인; 및
상기 제 1 전극과 상기 하우징을 연결하여 접지시키는 접지 라인을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고방사선 환경 상압 무전원 핵물질 측정 장치
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10
청구항 1에 있어서, 상기 증폭부는
상기 센서부의 출력신호를 증폭하여 신호와 노이즈를 선별하고 피크를 검출하는 1차 증폭기; 및
상기 1차 증폭기의 출력을 다시 증폭시키는 2차 증폭기를 포함하는 것을 특징으로 하는 고방사선 환경 상압 무전원 핵물질 측정 장치
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11
청구항 10에 있어서,
상기 1차 증폭기 또는 2차 증폭기는 하나 이상의 필터를 포함하는 것을 특징으로 하는 고방사선 환경 상압 무전원 핵물질 측정 장치
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12
청구항 1에 있어서,
상기 고방사선 환경 상압 무전원 핵물질 측정 장치는 상기 신호처리 및 제어부의 분석 결과를 사용자에게 출력하는 표시부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고방사선 환경 상압 무전원 핵물질 측정 장치
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13
청구항 1에 있어서,
상기 이온 입사창은 금속 박막 또는 플라스틱 박막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 고방사선 환경 상압 무전원 핵물질 측정 장치
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