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질산염 이온을 분해하기 위한 백금전극 표면의 주석전착방법

  • 기술번호 : KST2014013410
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 질산염 이온을 분해하기 위한 백금전극 표면의 주석 전착방법에 관한 것으로, 그 목적은 Sn을 Pt 전극 표면에 단순 흡착시키는 방법이 아닌 기저전극 표면 내부로 충분한 고체 확산시켜 기저전극의 표면과 내부를 촉매성 대상금속으로 포화시킴으로써, NO3- 이온의 환원 반응에 대한 Pt 전극의 활성과 안정성을 높이는 질산염 이온을 분해하기 위한 백금전극 표면의 주석 전착방법을 제공하는 것이다. 본 발명은 Sn+2 이온이 Sn0 금속으로 환원되는 전위 (Eo(Sn+2/Sn0))인 -0.34 VSSE 보다 낮은 음의 전압을 Pt 전극에 일정 시간 동안 인가하여 Pt 전극의 표면과 내부를 Sn 으로 포화시켜 Sn 코팅 Pt 전극의 NO3- 이온에 대한 전극 활성과 이의 전해 반응 시 전극의 안정성을 높일 수 있도록 되어 있다. 질소화합물, 전해, 환원, 전착, 고체 확산, 백금, 주석
Int. CL C02F 1/46 (2006.01) C02F 1/58 (2006.01)
CPC C02F 1/46109(2013.01) C02F 1/46109(2013.01) C02F 1/46109(2013.01) C02F 1/46109(2013.01) C02F 1/46109(2013.01)
출원번호/일자 1020070119969 (2007.11.23)
출원인 한국원자력연구원, 한국수력원자력 주식회사
등록번호/일자 10-0947403-0000 (2010.03.05)
공개번호/일자 10-2009-0053235 (2009.05.27) 문서열기
공고번호/일자 (20100312) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.11.23)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국원자력연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 한국수력원자력 주식회사 대한민국 경상북도 경주시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김광욱 대한민국 대전 유성구
2 이일희 대한민국 대전 동구
3 임재관 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 최영규 대한민국 서울특별시 금천구 가산디지털*로 ***, B동 ***호 새천년 국제특허법률사무소 (가산동, 우림 라이온스밸리)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국원자력연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 한국수력원자력 주식회사 대한민국 경상북도 경주시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2007.11.23 수리 (Accepted) 1-1-2007-0842474-88
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.09.10 수리 (Accepted) 4-1-2008-5145739-98
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2008.10.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2008.11.11 수리 (Accepted) 9-1-2008-0070496-28
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.09.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0404733-73
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2009.11.30 수리 (Accepted) 1-1-2009-0734649-95
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2009.11.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0734647-04
8 등록결정서
Decision to grant
2009.12.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0533513-27
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2010-5177354-66
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.22 수리 (Accepted) 4-1-2012-5134067-95
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.09.16 수리 (Accepted) 4-1-2014-5109542-64
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.03.18 수리 (Accepted) 4-1-2016-5034922-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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질산성 질소화합물의 전해 환원 분해를 위한 전극에 있어서; Sn+2 이온이 Sn0 금속으로 환원되는 전위 (Eo(Sn+2/Sn0))인 -1
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삭제
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청구항 1 에 있어서; 상기 Pt 전극에 가해지는 음의 전압은 5∼120 분간 인가되는 것을 특징으로 하는 질산염 이온을 분해하기 위한 백금전극 표면의 주석 전착방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.