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고효율 염료감응 태양전지 기술

  • 기술번호 : KST2014013459
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 단일 전지 내에서 다중 염료 적층의 직렬식 구조를 가지는 염료감응 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 투명전도성 기판 위에 서로 다른 파장을 갖는 적어도 2종 이상의 염료층을 포함하는 광전극, 상기 광전극에 대향 배치되며 투명전도성 기판 위에 형성된 백금층을 포함하는 상대전극, 및 상기 광전극과 상대전극 사이를 충진하는 전해질을 포함하는 염료감응 태양전지 및 그 제조방법을 제공한다. 본 발명의 염료감응 태양전지는 여러 전지를 연결하지 않고 단일 전지 내에 각각 다른 광흡수파장을 가지는 염료들을 다층으로 적층 형성함으로써 태양광을 광범위하게 흡수할 수 있는 장점이 있다. 태양전지, 염료감응, 다중 염료, 적층구조, 고분자, 직렬식 구조
Int. CL H01L 31/0216 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020080017071 (2008.02.26)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0978401-0000 (2010.08.20)
공개번호/일자 10-2009-0091870 (2009.08.31) 문서열기
공고번호/일자 (20100826) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.02.26)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김경곤 대한민국 서울 성북구
2 이경태 대한민국 서울 강남구
3 박남규 대한민국 서울 양천구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.02.26 수리 (Accepted) 1-1-2008-0139074-62
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2009.10.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2009.11.13 수리 (Accepted) 9-1-2009-0062510-83
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.01.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0032234-45
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2010.03.26 수리 (Accepted) 1-1-2010-0194765-85
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.04.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0264045-06
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.04.23 수리 (Accepted) 1-1-2010-0264043-15
9 등록결정서
Decision to grant		 2010.08.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0357950-06
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
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번호 청구항
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블록킹층이 형성된 투명 전도성 기판의 일면에 금속산화물 나노입자층을 형성한 후 상기 금속산화물 나노입자층에 1차 염료를 흡착시키는 단계; 상기 1차 염료가 흡착된 금속산화물 나노입자층 내에 고분자 물질을 형성시키는 단계; 상기 고분자 물질이 형성된 기판을 염기성 탈착액을 이용하여 상기 1차 염료가 흡착되고 고분자 물질이 형성된 금속산화물 나노입자층의 상부에서 1차 염료를 탈착시키는 단계; 상기 탈착 부위에 2차 염료를 재흡착시키는 단계; 및 상기 2차 염료를 재흡착 후 고분자 물질을 제거하여 염료층을 가지는 광전극을 제조하는 단계; 투명 전도성 기판의 일면에 백금층을 형성하여 상대전극을 제조하는 단계; 및 상기 광전극과 상대전극을 대향 배치하고 전해질을 충진하는 단계 를 포함하는 염료감응 태양전지의 제조방법
8 8
제 7항에 있어서, 상기 블록킹층은 투명 전도성 기판의 일면에 금속 산화물 전구체 또는 금속산화물 나노입자 용액을 스핀 코팅하여 형성되고, 금속산화물 나노입자층은 상기 블록킹 층 위에 금속산화물 나노입자 페이스트를 도포하고 열처리하여 형성되는 것인 염료감응 태양전지의 제조방법
9 9
제 7항에 있어서, 상기 방법은 상대전극을 제조하는 단계에서, 상기 상대전극의 백금층을 형성한 후, 상기 백금층 위에 금속산화물 나노입자 페이스트를 도포하고 열처리하여 금속산화물 나노입자층을 형성시키는 단계; 상기 금속산화물 나노입자층에 1차 염료를 흡착시키는 단계; 상기 1차 염료가 흡착된 금속산화물 나노입자층 내에 고분자 물질을 형성시키는 단계; 상기 고분자 물질이 형성된 기판을 염기성 탈착액을 이용하여 상기 1차 염료가 흡착되고 고분자 물질이 형성된 금속산화물 나노입자층의 상부에서 1차 염료를 탈착시키는 단계; 상기 탈착 부위에 2차 염료를 재흡착시키는 단계; 및 상기 2차 염료를 재흡착 후 고분자 물질을 제거하여 염료층을 포함하는 상대전극을 제조하는 단계를 더 포함하는, 염료감응 태양전지의 제조방법
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제 7항에 있어서, 상기 방법은 광전극을 제조하는 단계에서, 고분자 물질이 제거된 후, 2차 염료층 내에 고분자 물질을 재형성하고, 2차 염료를 탈착하고, 상기 광전극 제조시 사용된 1차 및 2차 염료와 파장이 다른 추가 염료를 재흡착하고 고분자 물질을 제거하는 단계, 또는 2차 염료 재흡착 후, 2차 염료를 탈착하고, 상기 광전극 제조시 사용된 1차 및 2차 염료와 파장이 다른 추가 염료를 재흡착하고, 고분자 물질을 제거하는 단계를 1회 이상 반복 수행하여 염료층을 더 형성하는 것인, 염료감응 태양전지의 제조방법
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제 8항 또는 제9항에 있어서, 상기 열처리는 400 내지 550 ℃에서 10 내지 120분 동안 수행하는 것인 염료감응 태양전지의 제조방법
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제7항 또는 제9항에 있어서, 상기 고분자 물질을 형성하는 방법은 저중합체로 금속산화물 나노입자층을 코팅하고 고분자로 중합하는 단계를 포함하는 것인 염료감응 태양전지의 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 방법은 상대전극을 제조하는 단계에서, 고분자 물질이 제거된 후, 2차 염료 내에 고분자 물질을 재형성하고, 2차 염료를 탈착하고, 상기 상대전극 제조시 사용된 1차 및 2차 염료와 파장이 다른 추가 염료를 재흡착하고 고분자 물질을 제거하는 단계, 또는 2차 염료 재흡착 후, 2차 염료를 탈착하고, 상기 상대전극 제조시 사용된 1차 및 2차 염료와 파장이 다른 추가 염료를 재흡착하고, 고분자 물질을 제거하는 단계 를 1회 이상 반복 수행하여 염료층을 더 형성하는 것인, 염료감응 태양전지의 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 금속산화물 나노입자층은 타이타늄(Ti)산화물, 지르코늄(Zr)산화물, 스트론튬(Sr)산화물, 징크(Zn)산화물, 인듐(In)산화물, 란타넘(La)산화물, 바나듐(V)산화물, 몰리브데넘(Mo)산화물, 텅스텐(W)산화물, 틴(Sn)산화물, 나이오븀(Nb)산화물, 마그네슘(Mg)산화물, 알루미늄(Al)산화물, 이트늄(Y)산화물, 스칸듐(Sc)산화물, 사마륨(Sm)산화물, 갈륨(Ga)산화물, 및 스트론튬타이타늄(SrTi)산화물로 이루어진 군으로부터 1종 이상 선택되는 물질을 포함하는 염료감응 태양전지의 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 방법은 투명전도성 기판 위에 형성되며 염료가 흡착된 금속산화물 나노입자층을 포함하는 광전극, 상기 광전극에 대향 배치되며, 투명전도성 기판 위에 형성된 백금층 및 백금층 위에 형성되며 염료가 흡착된 금속산화물 나노입자층을 포함하는 상대전극, 및 상기 광전극과 상대전극 사이를 충진하는 전해질을을 포함하는 염료감응 태양전지를 제조하는데 사용되며, 상기 염료가 흡착된 금속산화물 나노입자층은 서로 다른 파장을 갖는 2 이상의 염료가 적층 구조로 흡착되어 있는 것인, 염료감응 태양전지의 제조방법
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1 US20090211638 US 미국 FAMILY

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1 US2009211638 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.