| 1 |
1
기판, 양극, 정공주입층, 정공수송층, 발광층 역할을 하는 전자수송층 및 음극이 순차로 적층된 구조의 유기발광소자와, 상기 적층구조를 밀봉시키는 인캡슐레이션 구조물로서, 내부에 경사진 반사면이 형성된 실리콘 캐비티를 포함하여 구성되며,상기 반사면은 (111) 배향면인 것을 특징으로 하는실리콘 캐비티를 이용하여 봉지화한 유기발광소자
|
| 1 |
1
기판, 양극, 정공주입층, 정공수송층, 발광층 역할을 하는 전자수송층 및 음극이 순차로 적층된 구조의 유기발광소자와, 상기 적층구조를 밀봉시키는 인캡슐레이션 구조물로서, 내부에 경사진 반사면이 형성된 실리콘 캐비티를 포함하여 구성되며,상기 반사면은 (111) 배향면인 것을 특징으로 하는실리콘 캐비티를 이용하여 봉지화한 유기발광소자
|
| 2 |
2
삭제
|
| 2 |
2
삭제
|
| 3 |
3
제1항에 있어서, 상기 반사면의 경사각은 45 ~ 60°인 실리콘 캐비티를 이용하여 봉지화한 유기발광소자
|
| 3 |
3
제1항에 있어서, 상기 반사면의 경사각은 45 ~ 60°인 실리콘 캐비티를 이용하여 봉지화한 유기발광소자
|
| 4 |
4
제1항에 있어서, 상기 실리콘 캐비티의 두께는 2㎛ 인 실리콘 캐비티를 이용하여 봉지화한 유기발광소자
|
| 4 |
4
제1항에 있어서, 상기 실리콘 캐비티의 두께는 2㎛ 인 실리콘 캐비티를 이용하여 봉지화한 유기발광소자
|
| 5 |
5
제1항에 있어서, 양극은 ITO 막인 실리콘 캐비티를 이용하여 봉지화한 유기발광소자
|
| 5 |
5
제1항에 있어서, 양극은 ITO 막인 실리콘 캐비티를 이용하여 봉지화한 유기발광소자
|
| 6 |
6
제1항에 있어서, 상기 정공주입층은 m-MTDATA인 실리콘 캐비티를 이용하여 봉지화한 유기발광소자
|
| 6 |
6
제1항에 있어서, 상기 정공주입층은 m-MTDATA인 실리콘 캐비티를 이용하여 봉지화한 유기발광소자
|
| 7 |
7
제1항에 있어서, 상기 정공수송층은 α-NPD인 실리콘 캐비티를 이용하여 봉지화한 유기발광소자
|
| 7 |
7
제1항에 있어서, 상기 정공수송층은 α-NPD인 실리콘 캐비티를 이용하여 봉지화한 유기발광소자
|
| 8 |
8
제1항에 있어서, 상기 전자수송층은 Alq3 인 실리콘 캐비티를 이용하여 봉지화한 유기발광소자
|
| 8 |
8
제1항에 있어서, 상기 전자수송층은 Alq3 인 실리콘 캐비티를 이용하여 봉지화한 유기발광소자
|
| 9 |
9
제1항에 있어서, 상기 음극은 AlLi alloy인 실리콘 캐비티를 이용하여 봉지화한 유기발광소자
|
| 9 |
9
제1항에 있어서, 상기 음극은 AlLi alloy인 실리콘 캐비티를 이용하여 봉지화한 유기발광소자
|
| 10 |
10
삭제
|
| 10 |
10
삭제
|
| 11 |
11
삭제
|
| 11 |
11
삭제
|
| 12 |
12
기판, 양극, 정공주입층, 정공수송층, 발광층 역할을 하는 전자수송층 및 음극이 순차로 적층 형성하고, 내부에 경사진 반사면이 형성된 실리콘 캐비티를 준비하고, 실리콘 캐비티를 상기 적층구조에 봉지화시켜 밀봉하는 것을 포함하여 이루어지는 실리콘 캐비티를 이용하여 봉지화한 유기발광소자 제조방법
|
| 12 |
12
기판, 양극, 정공주입층, 정공수송층, 발광층 역할을 하는 전자수송층 및 음극이 순차로 적층 형성하고, 내부에 경사진 반사면이 형성된 실리콘 캐비티를 준비하고, 실리콘 캐비티를 상기 적층구조에 봉지화시켜 밀봉하는 것을 포함하여 이루어지는 실리콘 캐비티를 이용하여 봉지화한 유기발광소자 제조방법
|
| 13 |
13
제12항에 있어서, 유기발광소자와 실리콘 캐비티의 거리를 일정하게 유지하고 두 계면 사이의 접착을 강화시키기 위하여 UV-sealant를 사용하는 것을 특징으로 하는 실리콘 캐비티를 이용하여 봉지화한 유기발광소자 제조방법
|
| 13 |
13
제12항에 있어서, 유기발광소자와 실리콘 캐비티의 거리를 일정하게 유지하고 두 계면 사이의 접착을 강화시키기 위하여 UV-sealant를 사용하는 것을 특징으로 하는 실리콘 캐비티를 이용하여 봉지화한 유기발광소자 제조방법
|
| 14 |
14
제12항에 있어서, 실리콘 캐비티는 실리콘 웨이퍼상에 식각마스크로서 열산화막을 형성하고, 상기 산화막을 마스크로 사용하여 실리콘 웨이퍼를 패터닝하고, 상기 산화막을 이방성 식각하여 경사진 내부면을 갖는 캐비티 구조를 형성하는 단계로 제조되는 실리콘 캐비티를 이용하여 봉지화한 유기발광소자 제조방법
|
| 14 |
14
제12항에 있어서, 실리콘 캐비티는 실리콘 웨이퍼상에 식각마스크로서 열산화막을 형성하고, 상기 산화막을 마스크로 사용하여 실리콘 웨이퍼를 패터닝하고, 상기 산화막을 이방성 식각하여 경사진 내부면을 갖는 캐비티 구조를 형성하는 단계로 제조되는 실리콘 캐비티를 이용하여 봉지화한 유기발광소자 제조방법
|
| 15 |
15
제14항에 있어서, 이방성 식각용액으로 TMAH를 사용하는 실리콘 캐비티를 이용하여 봉지화한 유기발광소자 제조방법
|
| 15 |
15
제14항에 있어서, 이방성 식각용액으로 TMAH를 사용하는 실리콘 캐비티를 이용하여 봉지화한 유기발광소자 제조방법
|
| 16 |
16
제14항에 있어서, 이방성 식각용액 TMAH의 비율을 20wt
|
| 16 |
16
제14항에 있어서, 이방성 식각용액 TMAH의 비율을 20wt
|
| 17 |
17
제12항에 있어서, 실리콘 캐비티의 반사면에 알루미늄, 구리, 금, 몰리브데늄, 니켈, 백금, 은, 텅스텐 중에서 선택되는 어느 하나를 증착하거나 코팅하는 단계를 포함하는 실리콘 캐비티를 이용하여 봉지화한 유기발광소자 제조방법
|
| 17 |
17
제12항에 있어서, 실리콘 캐비티의 반사면에 알루미늄, 구리, 금, 몰리브데늄, 니켈, 백금, 은, 텅스텐 중에서 선택되는 어느 하나를 증착하거나 코팅하는 단계를 포함하는 실리콘 캐비티를 이용하여 봉지화한 유기발광소자 제조방법
|
| 18 |
17
제12항에 있어서, 실리콘 캐비티의 반사면에 알루미늄, 구리, 금, 몰리브데늄, 니켈, 백금, 은, 텅스텐 중에서 선택되는 어느 하나를 증착하거나 코팅하는 단계를 포함하는 실리콘 캐비티를 이용하여 봉지화한 유기발광소자 제조방법
|
| 18 |
17
제12항에 있어서, 실리콘 캐비티의 반사면에 알루미늄, 구리, 금, 몰리브데늄, 니켈, 백금, 은, 텅스텐 중에서 선택되는 어느 하나를 증착하거나 코팅하는 단계를 포함하는 실리콘 캐비티를 이용하여 봉지화한 유기발광소자 제조방법
|
