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Mg이도핑된 p - 형질화갈륨 (GaN) 박막의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014013702
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 급속열처리(rapid thermal annealing : RTA)를 이용하여 p-형 질화물 박막을 제조함에 있어서 유기금속 화학증착법에 의하여 Mg이 도핑된 질화갈륨 박막을 성장시킨 후 저온단계와 고온단계로 이루어진 이단계 급속열처리 과정을 이용하여 Mg이 도핑된 p-형 질화갈륨(GaN) 박막의 제조방법에 관한 것이다. 유기금속 화학증착법에 의한 질화갈륨 박막의 성장에는 주로 사파이어 기판이 사용되고 있으나 질화갈륨 박막과 기판 사이에는 격자상수(lattice parameter)와 열팽창계수(thermal expansion coefficient)의 차이가 크므로 고성능 질화갈륨 박막을 얻기가 어렵고 Mg이 도핑된 p-형 질화갈륨 박막의 경우 반응기내의 여러 수소원(hydrogen source)에 기인하여 박막 내에 Mg-H 복합체(complex)를 형성하여 반절연체적인 특성이 있으므로 고성능 p-형 질화갈륨 박막을 얻기가 어렵다. 따라서, 고성능 p-형 질화갈륨 박막을 얻기 위해서는 Mg-H 복합체로부터 Mg 억셉터(acceptor)를 활성화(activation) 시키는 열처리가 필요하다. 본 발명의 목적은 저온단계에서 장기간 열처리와 고온단계에서 단기간 열처리에 의한 이단계 급속열처리 과정을 통하여 전기적 특성, 결정성 및 표면 거칠기에 대해 우수한 특성을 가지는 Mg이 도핑된 p-형 질화갈륨 박막을 제조하는데 있다.
Int. CL H01L 21/205 (2006.01)
CPC H01L 21/0254(2013.01) H01L 21/0254(2013.01) H01L 21/0254(2013.01)
출원번호/일자 1019980028944 (1998.07.16)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자 10-0329117-0000 (2002.03.06)
공개번호/일자 10-2000-0008881 (2000.02.15) 문서열기
공고번호/일자 (20020821) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1998.07.16)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 안광순 대한민국 광주광역시 광산구
2 김동준 대한민국 광주광역시 광산구
3 문용태 대한민국 광주광역시 광산구
4 김효근 대한민국 광주광역시 광산구
5 박성주 대한민국 광주광역시 광산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박형준 대한민국 서울특별시 서초구 사임당로*길 **, *층 (서초동, 삼호빌딩)(한솔국제특허법률사무소)
2 황이남 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 에이치씨 세미테크 코퍼레이션 중국 ****** 우한 이스트 레이크 하이 테크놀러지 디벨롭먼트 존 빈후 로드 넘
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1998.07.16 수리 (Accepted) 1-1-1998-0089072-05
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1998.07.16 수리 (Accepted) 1-1-1998-0089073-40
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1998.07.16 수리 (Accepted) 1-1-1998-0089074-96
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.21 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010979-43
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.06 수리 (Accepted) 4-1-2000-0001373-12
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2000.08.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0199235-61
7 의견서
Written Opinion		 2000.10.11 수리 (Accepted) 1-1-2000-5309836-86
8 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2000.10.11 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2000-5309837-21
9 거절사정서
Decision to Refuse a Patent		 2001.04.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0095932-05
10 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2001.06.22 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2001-0013308-73
11 등록결정서
Decision to grant		 2002.01.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0004068-95
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2003.11.19 수리 (Accepted) 4-1-2003-5076055-97
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.07.27 수리 (Accepted) 4-1-2004-0031183-30
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
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번호 청구항
1 1

유기금속 화학증착법에 의하여 Mg이 도핑된 질화갈륨 계통의 박막을 성장시킨 후 저온단계인 400∼650℃에서 4∼20분 동안 열처리 한 후 고온단계인 750∼1,000℃에서 0

2 2

제 1항에 있어서, 질화갈륨계통의 박막은 인듐질화갈륨(InGaN), 알루미늄질화갈륨(AlGaN)을 포함하는 것을 특징으로 하는 Mg이 도핑된 p-형 질화갈륨(GaN)박막의 제조방법

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패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.