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대전류 수소음이온 인출장치 및 그 방법

  • 기술번호 : KST2014013822
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 DuoPIGatron 이온원의 원리를 바탕으로 대전류의 음이온빔을 인출하기에 적합하도록 설계된 대전류 수소음이온 인출장치 및 그 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는 가스 방전을 통해 가스를 이온화시키는 표적음극과 영구자석으로 이루어진 반사자장장치가 구비되고, 표적음극 상부의 방전영역에 수소 또는 알곤 가스를 주입함으로써, 필라멘트의 수명을 연장시키는 동시에 고밀도이고 안정적인 수소음이온빔을 인출할 수 있는 대전류 수소음이온 인출장치 및 그 방법에 관한 것이다.본 발명의 대전류 수소음이온 인출장치는, 제1 가스주입구와, 열전자를 방출하는 필라멘트와, 방출된 열전자에 의해 가스를 방전시켜 전자증배를 일으키는 중간 전극과, 형성된 전자류의 흐름을 구속하는 이온원 전자석과, 압축된 전자류를 균일하게 확산시켜주는 제1 양극 및 제2 양극과, 수소음이온을 인출하기 위한 인출 전극을 포함하는 DuoPIGatron 이온 인출장치에 있어서, 상기 제1 및 제2 양극과 인출전극 사이에 구비되어, 상기 제1 및 제2 양극과의 사이에 형성되는 공간에 PIG(Penning Ionization Gauge)방전영역을 형성하는 동시에, 상기 PIG방전영역 내에 플라즈마를 형성시키는 표적음극과, 상기 표적음극 하부에 구비되어, 상기 표적음극을 통해 인출되는 음전하를 가지는 입자 중, 수소음이온만을 통과시키고 전자는 상기 PIG방전영역으로 재입력하는 반사자장장치를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.DuoPIGatron, PIG방전영역, 수소음이온, 전계 방출, 가스 주입, 표적음극, 반사자장
Int. CL C01B 3/00 (2006.01)
CPC B01J 19/087(2013.01) B01J 19/087(2013.01) B01J 19/087(2013.01) B01J 19/087(2013.01)
출원번호/일자 1020060109392 (2006.11.07)
출원인 한국원자력연구원
등록번호/일자 10-0856527-0000 (2008.08.28)
공개번호/일자 10-2008-0041368 (2008.05.13) 문서열기
공고번호/일자 (20080904) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.11.07)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국원자력연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박범식 대한민국 대전 대덕구
2 김계령 대한민국 대전 유성구
3 최병호 대한민국 서울 서초구
4 이재상 대한민국 대전 유성구
5 이찬영 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신운철 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로***길 *(삼성동) 우경빌딩*층(가디언국제특허법률사무소)
2 강성균 대한민국 서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국원자력연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.11.07 수리 (Accepted) 1-1-2006-0814016-55
2 보정요구서
Request for Amendment
2006.11.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2006-0144755-88
3 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items
2006.11.28 수리 (Accepted) 1-1-2006-0876721-67
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2007.05.14 수리 (Accepted) 4-1-2007-5073714-01
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2007.06.01 수리 (Accepted) 4-1-2007-5085193-38
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2007.06.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2007.07.12 수리 (Accepted) 9-1-2007-0040888-30
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2007.07.26 수리 (Accepted) 4-1-2007-5117707-02
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2007.07.26 수리 (Accepted) 4-1-2007-5117973-29
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2007.09.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0479547-43
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2007.10.10 수리 (Accepted) 1-1-2007-0725920-84
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2007.10.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0725919-37
13 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.02.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0098229-93
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.04.08 수리 (Accepted) 1-1-2008-0253915-07
15 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.04.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0253913-16
16 등록결정서
Decision to grant
2008.08.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0414547-21
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.22 수리 (Accepted) 4-1-2012-5134067-95
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.09.16 수리 (Accepted) 4-1-2014-5109542-64
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번호 청구항
1 1
제1 가스주입구와, 열전자를 방출하는 필라멘트와, 방출된 열전자에 의해 가스를 방전시켜 전자증배를 일으키는 중간 전극과, 형성된 전자류의 흐름을 구속하는 이온원 전자석과, 압축된 전자류를 균일하게 확산시켜주는 제1 양극 및 제2 양극과, 수소음이온을 인출하기 위한 인출 전극을 포함하는 DuoPIGatron 이온 인출장치에 있어서, 상기 제1 및 제2 양극과 인출전극 사이에 구비되어, 상기 제1 및 제2 양극과의 사이에 형성되는 공간에 PIG(Penning Ionization Gauge)방전영역을 형성하는 동시에, 상기 PIG방전영역 내에 플라즈마를 형성시키는 표적음극과; 상기 표적음극 하부에 구비되어, 상기 표적음극을 통해 인출되는 음전하를 가지는 입자 중, 수소음이온만을 통과시키고 전자는 상기 PIG방전영역으로 재입력하는 반사자장장치;를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 DuoPIGatron 이온원 원리를 이용한 대전류 수소음이온 인출장치
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 반사자장장치는,연철의 강자성체로 만든 요크에 삽입된 사마륨 코발트 재질의 영구자석인 것을 특징으로 하는 대전류 수소음이온 인출장치
3 3
제 1 항에 있어서,상기 PIG방전영역에 가스를 주입하기 위한 제2 가스주입구;를 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 대전류 수소음이온 인출장치
4 4
필라멘트, 중간 전극, 이온원 전자석, 양극, 표적음극, 반사자장장치 및 인출전극을 포함하여 구성되는 수소음이온 인출 장치를 이용하여 대전류 수소음이온을 인출하는 방법에 있어서,인출장치 상부에 형성된 가스주입구를 통해 가스를 주입하는 단계와;필라멘트를 통해 열전자를 방출하는 단계와;중간 전극을 이용하여 상기 열전자와 가스를 방전시킴으로서 전자를 증배하여 고밀도의 전자류를 형성하는 단계와;상기 필라멘트와 중간 전극에 의해 발생하는 전자류의 흐름을 이온원 전자석을 통해 구속하는 단계와;양극과 표적음극 사이에 형성되는 PIG방전영역에서, 상기 전자류를 비균일 자장의 자력선으로 회전과 반사운동이 결합된 나선형 운동을 하게 하여 가스 방전을 일으킴으로써, 상기 플라즈마를 형성하는 단계와;상기 표적음극 하측에 위치한 반사자장장치를 통해 상기 플라즈마의 입자 중, 수소음이온만을 통과시키고 전자를 PIG방전영역으로 재입력하는 단계와;인출전극을 통해 상기 수소음이온을 인출하는 단계;를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 대전류 수소음이온 인출 방법
5 5
제 4항에 있어서,상기 PIG방전영역에 가스를 주입하여, 상기 PIG방전영역에서 수소음이온의 밀도를 증가 시키는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 대전류 수소음이온 인출 방법
6 6
제5항에 있어서,상기 PIG방전영역에 가스를 주입하는 단계에서 주입되는 가스는 수소 가스 또는 알곤 가스임을 특징으로 하는 대전류 수소음이온 인출 방법
7 7
제5항에 있어서,상기 PIG방전영역에 가스를 주입하는 단계에서 주입되는 가스는 수소 가스 및 알곤 가스임을 특징으로 하는 대전류 수소음이온 인출 방법
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