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전계방출형 전자원에 있어서,금속팁과;상기 금속팁의 종단부에 구비되는 자성체층과;상기 자성체층의 표면에 형성되는 자성체 금속입자들로 이루어진 자성체 미세팁과;상기 자성체 미세팁의 자성체 금속입자들을 매개체로 하여 상기 금속팁에 접합되는 도전성 나노튜브;를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 도전성 나노튜브와 자성체 금속입자를 이용한 전계방출형 전자원
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제 1항에 있어서,상기 금속팁은,자화되지 않는 텅스텐, 몰리브덴, 티타늄 또는 이들의 합금으로 이루어진 것을 특징으로 하는 도전성 나노튜브와 자성체 금속입자를 이용한 전계방출형 전자원
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제 1항에 있어서,상기 자성체층은,강자성체 또는 상자성체 재료로 이루어진 것을 특징으로 하는 도전성 나노튜브와 자성체 금속입자를 이용한 전계방출형 전자원
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제 1항에 있어서,상기 자성체 금속입자는,수 나노미터(nm) 내지 수십 나노미터 크기의 강자성 또는 상자성 금속입자인 것을 특징으로 하는 도전성 나노튜브와 자성체 금속입자를 이용한 전계방출형 전자원
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제 1항에 있어서,상기 도전성 나노튜브는,상기 금속팁에 한 개 또는 다수개가 접합되는 것을 특징으로 하는 도전성 나노튜브와 자성체 금속입자를 이용한 전계방출형 전자원
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전계방출형 전자원을 제조하는 방법에 있어서,금속팁의 종단부에 자성체층을 구비하는 단계와;상기 자성체층을 자화시키는 단계와;자성체 금속입자와 도전성 나노튜브가 분산된 용액에 상기 금속팁의 종단부를 담그고 전압을 인가한 후 빼내어 상기 금속팁의 종단부에 한 개 또는 다수의 도전성 나노튜브가 포함된 미세 용액방울을 형성하고, 상기 자화된 자성체층의 표면에는 자성체 금속입자들로 이루어진 자성체 미세팁을 형성하는 단계와;상기 자성체 금속입자들을 용융시켜 상기 금속팁에 도전성 나노튜브를 접합하고, 상기 금속팁에 전압을 인가하여 상기 금속팁에 접합된 도전성 나노튜브의 방향을 정렬시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 도전성 나노튜브와 자성체 금속입자를 이용한 전계방출형 전자원의 제조방법
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제 6항에 있어서,상기 자성체층을 구비하는 단계는,상기 금속팁의 종단부에 도금 또는 코팅을 통하여 국소적으로 자성체층을 형성하는 것을 특징으로 하는 도전성 나노튜브와 자성체 금속입자를 이용한 전계방출형 전자원의 제조방법
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제 6항에 있어서,상기 자성체층은,강자성체 또는 상자성체 재료로 이루어진 것을 특징으로 하는 도전성 나노튜브와 자성체 금속입자를 이용한 전계방출형 전자원의 제조방법
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제 6항에 있어서,상기 자성체 금속입자는,수 나노미터(nm) 내지 수십 나노미터 크기의 강자성 또는 상자성 금속입자인 것을 특징으로 하는 도전성 나노튜브와 자성체 금속입자를 이용한 전계방출형 전자원의 제조방법
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제 6항에 있어서,상기 도전성 나노튜브를 포함하는 자성체 미세팁을 형성하는 단계는, 자기장에 의해 자성체 금속입자들로 이루어진 자성체 미세팁을 형성하는 공정과, 전기장에 의해 도전성 나노튜브를 포집하는 공정으로 구성되며, 공정 순서상 상호 교환가능한 것을 특징으로 하는 도전성 나노튜브와 자성체 금속입자를 이용한 전계방출형 전자원의 제조방법
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제 6항에 있어서,상기 도전성 나노튜브를 접합하고 정렬하는 단계는,200℃ ~ 400℃의 온도범위에서 금속팁을 가열하여 자성체 금속입자들을 용융시키고, 용융된 자성체 금속입자들을 매개로 금속팁과 도전성 나노튜브를 접합하는 공정과, 금속팁과 평판전극 사이에 전압을 인가함으로써 용융상태의 자성체 금속입자들에 기저부가 연결되어 있어 유동성을 가지는 도전성 나노튜브의 방향을 정렬하는 공정으로 구성된 것을 특징으로 하는 도전성 나노튜브와 자성체 금속입자를 이용한 전계방출형 전자원의 제조방법
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제1항 내지 제 5항 중 어느 한 항의 전계방출형 전자원을 사용하는 것을 특징으로 하는 전자현미경
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제1항 내지 제 5항 중 어느 한 항의 전계방출형 전자원을 사용하는 것을 특징으로 하는 X선 발생장치
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