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1
(a) 기판 상에 트렌치 구조물을 형성하는 단계;
(b) 상기 트렌치 구조물의 내측면 상에 전도층을 형성하는 단계;
(c) 상기 전도층 상에 촉매층을 형성하는 단계; 및
(d) 상기 촉매층 상에 금속 산화물 나노선 어레이를 형성하는 단계
를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 산화물 나노선 센서의 제조방법
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2
제1항에 있어서,
상기 기판 상에 히터를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 산화물 나노선 센서의 제조방법
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3
제2항에 있어서,
상기 히터는 백금(Pt), 납(Pb), 은(Ag), 니켈-크롬(Ni-Cr), 철-크롬(Fe-Cr) 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 산화물 나노선 센서의 제조방법
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4
제1항에 있어서,
상기 트렌치 구조물은 실리콘을 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 산화물 나노선 센서의 제조방법
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5
제1항에 있어서,
상기 전도층은 크롬(Cr), 텅스텐(W), 질화티타늄(TiN) 중 적어도 하나를 포함하고, 상기 촉매층은 금(Au), 백금(Pt), 니켈(Ni), 은(Ag) 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 산화물 나노선 센서의 제조방법
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6
제1항에 있어서,
상기 전도층 및 상기 촉매층은 경사 증착법(angled deposition)으로 형성하는 것을 특징으로 하는 금속 산화물 나노선 센서의 제조방법
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7
제1항에 있어서,
상기 금속 산화물 나노선 어레이는 VLS(Vapor-Liquid-Solid) 성장법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 금속 산화물 나노선 센서의 제조방법
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8
제1항에 있어서,
상기 금속 산화물 나노선 어레이는 상기 트렌치 구조물의 일 내측면 상에 형성되는 제1 금속 산화물 나노선 어레이와 상기 트렌치 구조물의 일 내측면과 대향하는 내측면 상에 형성되는 제2 금속 산화물 나노선 어레이를 포함하며, 상기 제1 및 제2 금속 산화물 나노선 어레이는 복수개의 금속 산화물 나노선 접합(junction)을 이루는 것을 특징으로 하는 금속 산화물 나노선 센서의 제조방법
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9
제1항에 있어서,
상기 금속 산화물 나노선 어레이는 산화아연 나노선 어레이 또는 산화주석 나노선 어레이 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 금속 산화물 나노선 센서의 제조방법
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10
기판;
상기 기판 상에 형성되는 트렌치 구조물;
상기 트렌치 구조물의 내측면 상에 형성되는 전도층;
상기 전도층 상에 형성되는 촉매층; 및
상기 촉매층 상에 형성되는 금속 산화물 나노선 어레이
를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 산화물 나노선 센서
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11
제10항에 있어서,
상기 기판 상에 형성되는 히터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 산화물 나노선 센서
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12
제10항에 있어서,
상기 금속 산화물 나노선 어레이는 상기 트렌치 구조물의 일 내측면 상에 형성되는 제1 금속 산화물 나노선 어레이와 상기 트렌치 구조물의 일 내측면과 대향하는 내측면 상에 형성되는 제2 금속 산화물 나노선 어레이를 포함하며, 상기 제1 및 제2 금속 산화물 나노선 어레이는 복수개의 금속 산화물 나노선 접합(junction)을 이루는 것을 특징으로 하는 금속 산화물 나노선 센서
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13
제10항에 있어서,
상기 금속 산화물 나노선 어레이는 산화아연 나노선 어레이 또는 산화주석 나노선 어레이 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 금속 산화물 나노선 센서
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