맞춤기술찾기

이전대상기술

저온 플라즈마 반응기 및 그의 제조 방법들

  • 기술번호 : KST2014014138
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 플라즈마 반응기에 발생하는 열응력에 따른 유전체의 손상을 방지할 뿐만 아니라 접합면의 이물질 부착에 따른 플라즈마 누설을 방지할 수 있는 저온 플라즈마 반응기 및 그의 제조 방법들을 제공한다. 이를 위해 본 발명의 저온 플라즈마 반응기는 그 내부에 금속 전극 구비하고 그 일측에 금속 전극 노출부를 갖고 병렬식으로 배치된 세라믹 평판들, 상기 세라믹 평판들 사이에 통공이 형성되도록 상기 세라믹 평판들 사이에 배치되는 복수개의 세라믹 스페이서와, 상기 세라믹 평판들 및 세라믹 스페이서들을 접합시키는 글래스 페이스트를 포함하는 저온 플라즈마 반응기에 있어서, 상기 세라믹 평판들 중 내부 열을 방출하는 방열홈을 구비한 최상단층 세라믹 평판과 최하단층 세라믹 평판, 및 전후면이 밀랍 폴리싱 처리된 복수개의 세라믹 평판들을 포함하여 구비된다.플라즈마 반응기, 세라믹 평판, 밀납 폴리싱, 방열홈
Int. CL B01J 19/08 (2006.01) B01D 53/32 (2006.01)
CPC B01D 53/32(2013.01) B01D 53/32(2013.01) B01D 53/32(2013.01)
출원번호/일자 1020050024677 (2005.03.24)
출원인 한국기계연구원
등록번호/일자 10-0620316-0000 (2006.08.29)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20060906) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.03.24)
심사청구항수 10

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 송영훈 대한민국 대전광역시 유성구
2 차민석 대한민국 대전광역시 유성구
3 이재옥 대한민국 대전광역시 유성구
4 김관태 대한민국 대전광역시 서구
5 신완호 대한민국 충청북도 청주시 상당구
6 김석준 대한민국 대전광역시 서구
7 김홍식 대한민국 대구 북구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 진용석 대한민국 대전광역시 서구 청사로 ***, 청사오피스텔 ***호 세빈 국제특허법률사무소 (둔산동)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 홍승훈 충청남도 아산시
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2005.03.24 수리 (Accepted) 1-1-2005-0156370-12
2 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items
2005.03.28 수리 (Accepted) 1-1-2005-0163573-37
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2006.06.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0331046-10
4 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2006.08.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0570412-76
5 의견서
Written Opinion
2006.08.09 수리 (Accepted) 1-1-2006-0570413-11
6 등록결정서
Decision to grant
2006.08.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0491474-56
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069919-31
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069914-14
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
그 내부에 금속 전극 구비하고 그 일측에 금속 전극 노출부를 갖고 병렬식으로 배치된 세라믹 평판들, 상기 세라믹 평판들 사이에 통공이 형성되도록 상기 세라믹 평판들 사이에 배치되는 복수개의 세라믹 스페이서와, 상기 세라믹 평판 들 및 세라믹 스페이서들을 접합시키는 글래스 페이스트를 포함하는 저온 플라즈마 반응기에 있어서, 상기 세라믹 평판들 중 내부 열을 방출하는 방열홈을 구비한 최상단층 세라믹 평판과 최하단층 세라믹 평판, 및 전후면이 밀랍 폴리싱 처리된 복수개의 세라믹 평판들을 포함하여 구비되는 것을 특징으로 하는 저온 플라즈마 반응기
2 2
다층 세라믹 평판을 구비한 유전체 장벽 방전 방식 평판형 저온 플라즈마 반응기를 구성하는 방법에 있어서, 세라믹 평판 사이의 접합을 하는 공정에서 상호 접합에 앞서 글래스 페이스트에 포함된 유기 용제를 제거하는 단계와;상기 유기 용제를 제거한 후 페이스트에 포함된 유기 고분자를 제거하는 단계와;상기 세라믹 평판의 접합하고자 하는 면을 서로 마주보게 한 후 융착 시키는 단계와;상기 융착된 세라믹 평판 전후면을 밀랍 폴리싱 처리하는 단계를 포함하는 저온 플라즈마 반응기 제조 방법
3 3
다층 세라믹 평판을 구비한 유전체 장벽 방전 방식 평판형 저온 플라즈마 반응기를 구성하는 방법에 있어서, 금속 전극을 세라믹 평판의 일측면의 내부에 스크린 인쇄 처리하는 단계와;상기 금속 전극을 상기 세라믹 평판의 가장자리까지 연결되어 외부의 전극이 통전할 수 있는 전극 접촉부를 스크린 인쇄 처리하되 이웃하는 세라믹 평판의 전극 접촉부와 서로 반대 방향으로 엇갈려 배열되도록 형성하는 단계와;상기 금속전극의 프린팅 면이 노출된 상태에서 페이스트에 포함된 유기 용제를 제거하는 단계와;상기 금속 전극 프링팅 면의 유기 용제 제거 공정 후 페이스트에 포함된 유기 고분자를 제거하는 단계와;상기 금속전극의 열처리가 끝난 후 금속전극의 경계면과 약간 겹쳐지도록 글래스 페이스트를 금속전극의 둘레에 스크린 인쇄 하는 단계;상기 글래스 페이스트로 프린팅된 면이 노출된 상태에서 페이스트에 포함된 유기 용제를 제거하는 단계와;상기 글래스 페이스트 프린팅 면의 유기 용제 제거 후 페이스트에 포함된 유기 고분자를 제거하는 단계와;상기 세라믹 평판의 접합하고자 하는 면을 서로 마주보게 한 후 융착 시키는 단계와;상기 융착된 세라믹 평판 전후면을 밀랍 폴리싱 처리하는 단계를 포함하는 저온 플라즈마 반응기 제조 방법
4 4
다층 세라믹 평판을 구비한 유전체 장벽 방전 방식 평판형 저온 플라즈마 반응기를 구성하는 방법에 있어서, 상기 세라믹 평판의 일측면 내부와 이에 대응하는 타 세라믹 평판의 일측면의 내부에 각각 금속전극으로 스크린 인쇄 처리하는 단계와;상기 금속 전극을 상기 세라믹 평판의 가장자리까지 연결되어 외부의 전극이 통전할 수 있는 전극 접촉부를 스크린 인쇄 처리하되 이웃하는 세라믹 평판의 전극 접촉부와 서로 반대 방향으로 엇갈려 배열되도록 형성하는 단계와; 상기 금속전극의 프린팅 면이 노출된 상태에서 페이스트에 포함된 유기 용제를 제거하는 단계와;상기 금속 전극 프린팅 면의 유기 용제를 제거한 후 페이스트에 포함된 유기 고분자를 제거하는 단계와;상기 금속전극의 열처리가 끝난 후 금속전극의 경계면과 약간 겹쳐지도록 글래스 페이스트를 금속전극의 둘레에 스크린 인쇄 하는 단계와;상기 글래스 페이스트로 프린팅 면이 노출된 상태에서 페이스트에 포함된 유기 용제를 제거하는 단계와;상기 글래스 페이스트가 프린팅된 면의 유기 용제를 제거한 후 4페이스트에 포함된 유기 고분자를 제거하는 단계와;상기 세라믹 평판의 접합하고자 하는 면을 서로 마주보게 한 후 융착 시키는 단계와;상기 융착된 세라믹 평판 전후면을 밀랍 폴리싱 처리하는 단계를 포함하는 저온 플라즈마 반응기 제조 방법
5 5
다층 세라믹 평판을 구비한 유전체 장벽 방전 방식 평판형 저온 플라즈마 반응기를 구성하는 방법에 있어서, 상기 금속 전극을 세라믹 평판의 일 측면의 내부에 스크린 인쇄 하고, 상기 세라믹 평판의 가장자리까지 연결되어 외부의 전극이 통전할 수 있는 전극접촉부를 형성하되 이웃하는 세라믹 평판의 전극 접촉부와 서로 반대 방향으로 엇갈려 배열되도록 형성하는 단계와;상기 금속전극의 프린팅 면이 노출된 상태에서 페이스트에 포함된 유기 용제를 제거하는 단계와;상기 금속 전극 프린팅 면의 유기 용제 제거 후 페이스트에 포함된 유기 고분자를 제거하는 단계와;상기 금속 전극 프린팅 면의 유기 고분자 제거후 금속전극의 열처리가 끝난 후 금속전극의 경계면과 약간 겹쳐지도록 글래스 페이스트를 금속전극의 둘레에 스크린 인쇄 하는 단계와;상기 금속 전극 둘레에 글래스 페이스트로 프린팅 면이 노출된 상태에서 페이스트에 포함된 유기 용제를 제거하는 단계와;상기 금속 전극 둘레에 글래스 페이스트로 프린팅 면의 유기 용제 제거 후 페이스트에 포함된 유기 고분자를 제거하는 단계와;상기 세라믹 평판의 일측면에 금속전극과 글래스 페이스트에 의하여 스크린 인쇄으로 처리된 면위에 다시 글래스 페이스트를 스크린 인쇄 하는 단계와;상기 글래스 페이스트가 스크린 인쇄된 면이 노출된 상태에서 페이스트에 포함된 유기 용제를 제거하는 단계와;상기 글래스 페이스트가 스크린 인쇄된 면의 유기 용제 제거 후 페이스트에 포함된 유기 고분자를 제거하는 단계와;상기 세라믹 평판의 접합하고자 하는 면을 서로 마주보게 한 후 융착 시키는 단계와;상기 융착된 세라믹 평판 전후면을 밀랍 폴리싱 처리하는 단계를 포함하는 저온 플라즈마 반응기 제조 방법
6 6
다층 세라믹 평판을 구비한 유전체 장벽 방전 방식 평판형 저온 플라즈마 반응기를 구성하는 방법에 있어서, 세라믹 평판의 일면에 글래스 페이스트를 스크린 인쇄 하는 단계와;상기 글래스 페이스트로 프린팅 면이 노출된 상태에서페이스트에 포함된 유기 용제를 제거하는 단계와;상기 글래스 페이스트가 프린팅된 면의 유기 용제를 제거한 후페이스트에 포함된 유기 고분자를 제거하는 단계와;상기 글래스 페이스트가 프린팅된 면위에 금속 전극을 세라믹 평판의 일 측면의 내부에 스크린 인쇄 하고, 상기 세라믹 평판의 가장자리까지 연결되어 외부의 전극이 통전할 수 있는 전극접촉부를 형성하되 이웃하는 세라믹 평판의 전극 접촉부와 서로 반대 방향으로 엇갈려 배열되도록 형성하는 단계와,;상기 금속전극의 프린팅 면이 노출된 상태에서 유기 용제를 제거하는 단계와;상기 금속 전극 프린팅 면의 유기 용제 제거 후 페이스트에 포함된 유기 고분자를 제거하는 단계와;상기 금속전극의 열처리가 끝난 후 금속전극의 경계면과 약간 겹쳐지도록 글래스 페이스트를 금속전극의 둘레에 스크린 인쇄 하는 단계와;상기 글래스 페이스트가 스크린 인쇄된 면이 노출된 상태에서페이스트에 포함된 유기 용제를 제거하는 단계와;상기 글래스 페이스트가 스크린 인쇄된 면의 유기 용제 제거 후 페이스트에 포함된 유기 고분자를 제거하는 단계와;상기 세라믹 평판의 일측면에 금속전극과 글래스 페이스트에 의하여 스크린 인쇄으로 처리된 면위에 글래스 페이스트를 재스크린 인쇄 하는 단계와;상기 글래스 페이스트가 재스크린 인쇄된 면이 노출된 상태에서 페이스트에 포함된 유기 용제를 제거하는 단계와;상기 글래스 페이스트가 재스크린 인쇄된 면의 유기 용제 제거 후 페이스트에 포함된 유기 고분자를 제거하는 단계와;상기 밀납 폴리싱 처리된 세라믹 평판의 접합하고자 하는 면을 서로 마주보게 한 후 융착 시키는 단계와;상기 융착된 세라믹 평판 전후면을 밀랍 폴리싱 처리하는 단계를 포함하는 저온 플라즈마 반응기 제조 방법
7 7
제 3항 내지 제 6항중 어느 한 항에 있어서,상기 금속전극의 형상은 모든 모서리가 둥글게 처리되는 단계를 특징으로 하는 다층 세라믹 평판을 구비한 저온 플라즈마 반응기의 제조방법
8 8
제 3항 내지 제 6항중 어느 한 항에 있어서,상기 금속전극의 재질을 전도성 금속으로 형성하는 특징으로 하는 다층 세라믹 평판을 구비한 저온 플라즈마 반응기의 제조방법
9 9
제 3항 내지 제 6항중 어느 한 항에 있어서,상기 복수개의 세라믹 평판의 일측에는 상기 전극 접촉부와 대응되는 위치에 금속전극 노출부가 마련하도록 처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 저온 플라즈마 반응기의 제조방법
10 10
제 3항 내지 제 6항중 어느 한 항에 있어서,상기 다층 세라믹 평판중 최상단층 세라믹 평판과 최하단층 세라믹 평판에 내부 열을 방출하기 위한 방열홈을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 저온 플라즈마 반응기 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.