기술이전플랫폼 Tech-Bridge-이전대상기술

맞춤기술찾기

홈으로 가기

맞춤기술찾기

이전대상기술

프린트하기

이전대상기술

차동형 이종접합 포토트랜지스터

기술번호 : KST2014014190
담당센터 : 경기기술혁신센터
전화번호 : 031-8006-1570

상담신청 PDF 받기

상세정보
공개전문
공고전문
등록사항
통합행정정보
기술정보
과제정보
관련기술
심판사항

서지정보
인명정보
행정처리
청구항
지정국
패밀리정보
국가R&D 연구정보

이전 슬라이드 보기 다음 슬라이드 보기

요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 차동형 이종접합 포토트랜지스터에 관한 것으로, NPIN형 이종접합 포토트랜지스터를 적어도 둘 이상 어레이하고 일부의 이종접합 포토트랜지스터에 차광막을 형성하여 차동형 이종접합 포토트랜지스터를 제작함으로써, 암전류가 낮은 값을 가지는 이상적인 수광소자를 구현할 수 있는 효과가 있다. 또한, NPIN형 이종접합 포토트랜지스터를 고용하여, 종래의 PIN 광검출기에 비하여, 높은 감도와 넓은 동적 범위(Dynamic range) 특성을 가지므로, 매우 미약한 근적외 광신호를 감지할 수 있어 인체 감지와 같은 의료용, 환경용, 군사용 등에 응용할 수 있는 효과가 있다. 이종접합, 차동, 포토트랜지스터, NPIN, 차광층
Int. CL	H01L 31/10 (2006.01)
CPC	H01L 31/1127(2013.01) H01L 31/1127(2013.01) H01L 31/1127(2013.01) H01L 31/1127(2013.01)
출원번호/일자	1020030098648 (2003.12.29)
출원인	전자부품연구원
등록번호/일자	10-0567786-0000 (2006.03.29)
공개번호/일자	10-2005-0067650 (2005.07.05) 문서열기
공고번호/일자	(20060405) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2003.12.29)
심사청구항수	3

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	한국전자기술연구원	대한민국	경기도 성남시 분당구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	조영창	대한민국	경기도오산시
2	김훈	대한민국	서울특별시강남구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	정종옥	대한민국	서울특별시 강남구 논현로길 , *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)
2	조현동	대한민국	서울특별시 강남구 논현로길 , *층 (도곡동, 덕영빌딩)(노벨국제특허법률사무소)
3	조담	대한민국	서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고)
4	진천웅	대한민국	서울특별시 강남구 논현로길 , *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	전자부품연구원	대한민국	경기도 성남시 분당구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서 Patent Application	2003.12.29	수리 (Accepted)	1-1-2003-0501730-70
2	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2005.04.15	수리 (Accepted)	4-1-2005-5036534-08
3	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2005.06.15	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
4	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2005.07.15	수리 (Accepted)	9-1-2005-0041813-26
5	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2005.10.27	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2005-0541093-36
6	의견서 Written Opinion	2005.12.26	수리 (Accepted)	1-1-2005-0762907-22
7	명세서등보정서 Amendment to Description, etc.	2005.12.26	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2005-0762942-10
8	대리인선임신고서 Notification of assignment of agent	2005.12.26	수리 (Accepted)	1-1-2005-0762884-60
9	대리인사임신고서 Notification of resignation of agent	2006.02.08	수리 (Accepted)	1-1-2006-0092956-12
10	등록결정서 Decision to grant	2006.03.24	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2006-0162627-17
11	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2013.04.17	수리 (Accepted)	4-1-2013-0013766-37
12	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2020.08.24	수리 (Accepted)	4-1-2020-5189497-57

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 삭제
2	2 삭제
3	3 삭제
4	4 InP 기판 상부에 제 1과 2 NPIN형 이종접합 포토트랜지스터가 상호 이격되어 형성되어 있고;상기 제 1과 2 NPIN형 이종접합 포토트랜지스터 각각은 InP 기판 상부에 서브 컬렉터(Sub collector)층이 형성되어 있고;상기 서브 컬렉터층 상부에 식각 방지층, 진성반도체층과 베이스 컨택층이 순차적으로 적층되어 있고;상기 베이스 컨택층 상부에 스페이서층, 제 1 에미터층, 제 2 에미터층과 에미터 컨택층이 순차적으로 적층되어 있고;상기 서브 컬렉터층 일부 상부, 상기 베이스 컨택층 일부 상부와 상기 에미터 컨택층 상부 각각에 전극패드가 형성되어 있고;상기 InP 기판 상면에서 에미터 컨택층 상부에 있는 전극패드 상부까지 패시베이션 물질막이 덮혀져 있고;상기 각각의 전극패드는 상기 패시베이션 물질막 내부에 형성된 도전성 물질이 충진된 비아홀들과 인터커넥션(Interconnection) 라인을 통하여 상기 패시베이션 물질막 상부의 전극패드들과 전기적으로 연결되어 있으며;상기 패시베이션 물질막 상부에는 상기 제 2 NPIN형 이종접합 포토트랜지스터를 차광시키는 차광층이 형성되도록 구성하며, 상기 서브 컬렉터층 상부의 전극패드는 +전압이 인가되도록 연결되도록, 상기 패시베이션 물질막 상부의 전극패드와 연결되고; 상기 베이스 컨택층 상부에 형성된 전극패드는 동일 전위 상태 또는 플로팅(Floating) 상태가 되도록, 상기 패시베이션 물질막 상부의 전극패드와 연결되고; 상기 에미터 컨택층 상부에 형성된 전극패드는 그라운드 상태 또는 - 전압이 인가되도록, 상기 패시베이션 물질막 상부의 전극패드와 연결되는 것을 특징으로 하는 차동형 이종접합 포토트랜지스터
5	5 제 4 항에 있어서, 상기 서브 컬렉터층은 N+ InGaAs층이고, 식각 방지층은 InP층이고, 흡수층은 진성반도체 InGaAs층이고, 베이스 컨택층은 P+ InGaAs층이고, 스페이서층은 도핑되지 않은 InGaAs층이고, 상기 제 1 에미터층은 N+ InP층이고, 상기 제 2 에미터층은 상기 제 1 에미터층보다 하이도핑된 N+ InP층이고, 상기 에미터 컨택층은 N+ InGaAs층인 것을 특징으로 하는 차동형 이종접합 포토트랜지스터
6	6 제 4 항에 있어서, 상기 패시베이션 물질막은 폴리이미드막 또는 실리콘 질화막인 것을 특징으로 하는 차동형 이종접합 포토트랜지스터
7	6 제 4 항에 있어서, 상기 패시베이션 물질막은 폴리이미드막 또는 실리콘 질화막인 것을 특징으로 하는 차동형 이종접합 포토트랜지스터

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허 등록번호 표입니다.
특허 등록번호	10-0567786-0000

권리란

표시번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 권리란 표입니다.
표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20031229 출원 번호 : 1020030098648 공고 연월일 : 20060405 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20060324 청구범위의 항수 : 3 유별 : H01L 31/10 발명의 명칭 : 차동형 이종접합 포토트랜지스터 존속기간(예정)만료일 : 20100330

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 전자부품연구원 경기도 성남시 분당구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	121,500 원	2006년 03월 30일	납입
제 4 년분	금 액	120,000 원	2008년 07월 16일	납입

본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서	2003.12.29	수리 (Accepted)	1-1-2003-0501730-70
2	출원인정보변경(경정)신고서	2005.04.15	수리 (Accepted)	4-1-2005-5036534-08
3	선행기술조사의뢰서	2005.06.15	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
4	선행기술조사보고서	2005.07.15	수리 (Accepted)	9-1-2005-0041813-26
5	의견제출통지서	2005.10.27	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2005-0541093-36
6	의견서	2005.12.26	수리 (Accepted)	1-1-2005-0762907-22
7	명세서등보정서	2005.12.26	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2005-0762942-10
8	대리인선임신고서	2005.12.26	수리 (Accepted)	1-1-2005-0762884-60
9	대리인사임신고서	2006.02.08	수리 (Accepted)	1-1-2006-0092956-12
10	등록결정서	2006.03.24	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2006-0162627-17
11	출원인정보변경(경정)신고서	2013.04.17	수리 (Accepted)	4-1-2013-0013766-37
12	출원인정보변경(경정)신고서	2020.08.24	수리 (Accepted)	4-1-2020-5189497-57


기술번호	KST2014014190
자료제공기관	NTB
기술공급기관	한국전자기술연구원
기술명	차동형 이종접합 포토트랜지스터
기술개요	본 발명은 차동형 이종접합 포토트랜지스터에 관한 것으로, NPIN형 이종접합 포토트랜지스터를 적어도 둘 이상 어레이하고 일부의 이종접합 포토트랜지스터에 차광막을 형성하여 차동형 이종접합 포토트랜지스터를 제작함으로써, 암전류가 낮은 값을 가지는 이상적인 수광소자를 구현할 수 있는 효과가 있다. 또한, NPIN형 이종접합 포토트랜지스터를 고용하여, 종래의 PIN 광검출기에 비하여, 높은 감도와 넓은 동적 범위(Dynamic range) 특성을 가지므로, 매우 미약한 근적외 광신호를 감지할 수 있어 인체 감지와 같은 의료용, 환경용, 군사용 등에 응용할 수 있는 효과가 있다. 이종접합, 차동, 포토트랜지스터, NPIN, 차광층
개발상태	기술개발완료
기술의 우수성
응용분야	차동형 이종접합 포토트랜지스터
시장규모 및 동향
희망거래유형	기술매매,
사업화적용실적
도입시고려사항

중요키워드

이전대상기술 뷰 페이지 관련기술 표
[KST2019003544][한국전자기술연구원]	실리콘 나노와이어를 이용하는 센서의 접촉구조 및 그 제조방법	새창보기
[KST2022008301][한국전자기술연구원]	광대역 파장을 감지가능한 이미지 센서용 반도체 소자의 제조 방법 및 이에 의한 반도체 소자	새창보기
[KST2015145133][한국전자기술연구원]	신호전달 채널의 차원변조를 이용한 이미지 센서 및 그제조방법	새창보기
[KST2015145060][한국전자기술연구원]	고전자 이동도 트랜지스터를 이용한 고감도 수광소자	새창보기
[KST2014002859][한국전자기술연구원]	광 감지 센서 및 그의 제조 방법	새창보기
[KST2015146225][한국전자기술연구원]	광 검출기 및 그의 구동 방법	새창보기
[KST2017011062][한국전자기술연구원]	실리콘 나노와이어를 이용한 애벌런치 포토다이오드 및 그를 이용한 실리콘 나노와이어 광증배관(AVALANCHE PHOTODIODE USING SILICON NANOWIRE AND SILICON NANOWIRE PHOTOMULTIPLIER USING THE SAME)	새창보기
[KST2015146265][한국전자기술연구원]	고감도 나노 포토디텍터의 구조	새창보기
[KST2015145050][한국전자기술연구원]	포토디텍터의 제조방법	새창보기

의뢰할 수요기술을 선택합니다

담당자명, 주소, 이메일, 연락처, 내용, 파일선택의 정보를 제공하는 도입희망기술 뷰 페이지 의뢰하기 입력표입니다.
담당자명		활동구분※필수입력항목
이메일		연락처	- -
내용
파일선택	파일선택