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제1 방향으로 연장되고 상기 제1 방향으로 자화된 자벽을 가지는 정보저장패턴; 및
상기 제1 방향을 가로지르는 제2 방향으로 연장되는 복수의 구동 패턴들을 포함하고,
상기 구동 패턴들에 흐르는 전류는 자속밀도를 형성하고,
상기 정보저장패턴은 상기 자벽과 자구들을 포함하고, 상기 구동 패턴들에 의하여 형성된 자속밀도는 상기 정보저장패턴의 상기 자벽을 상기 정보저장패턴 내에서 이동시키는 것을 특징으로 하는 자벽이동 기억 장치
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제1 항에 있어서,
이웃한 상기 자벽들 사이에 적어도 3개의 구동 패턴들이 배치되는 것을 특징으로 하는 자벽이동 기억 장치
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3
제1 항에 있어서,
상기 자구는 상기 정보저장패턴의 배치 평면에 수직하게 자화된 것을 특징으로 하는 자벽이동 기억 장치
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4
제1 항에 있어서,
상기 정보저장패턴은 수직 자기 이방성 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 자벽이동 기억 장치
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5
제1 항에 있어서,
상기 정보저장패턴과 상기 구동패턴들 사이에 절연막이 배치된 것을 특징으로 하는 자벽이동 기억 장치
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제1 항에 있어서,
상기 구동 패턴들은 상기 제1 방향의 자속밀도 성분을 포함하고, 상기 제1 방향의 자속밀도 성분은 상기 제1 방향의 그레디언트를 가지는 것을 특징으로 하는 자벽이동 기억 장치
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7
제1 항에 있어서,
상기 구동패턴들은
상기 정보저장패턴의 상에 배치된 상부 구동 패턴들; 및
상기 정보저장패턴의 하에 배치된 하부 구동패턴들을 포함하되,
상기 상부 구동 패턴들과 상기 하부 구동패턴들은 서로 정렬된 것을 특징으로 하는 자벽이동 기억 장치
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8
제1 항에 있어서,
상기 구동 패턴들 중에 적어도 하나는 서로 다른 평면에 배치되는 것을 특징으로 하는 자벽 이동 기억 장치
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9
제1 항에 있어서,
상기 정보저장패턴의 소정 영역에 배치된 기록-재생 구조체를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 자벽이동 기억 장치
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10
제9 항에 있어서,
상기 기록-재생 구조체는 GMR(giant magneto resistance) 구조 및 TMR(tunnel magneto resistance) 구조 중에서 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 자벽이동 기억 장치
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11
제10 항에 있어서,
상기 기록-재생 구조체 및 상기 정보저장패턴에 인접하여 배치되어 상기 정보저장패턴에 정보를 기록하는 동작에서 상기 자벽을 상기 제1 방향으로 정렬시키는 자벽정렬 구조체를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 자벽이동 기억 장치
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12
제1 항에 있어서,
상기 정보저장패턴은 일정한 간격으로 배치되고 상기 자벽을 고정시키는 피닝영역을 더 포함하는 것을 특징으로 자벽이동 기억 장치
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제1 항에 있어서,
상기 정보저장패턴에 전류를 인가하여 상기 자벽을 이동시키는 전류인가수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 자벽이동 기억 장치
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14
제1 방향으로 나란히 연장되고 상기 제1 방향으로 자화된 자벽을 가지는 정보저장패턴들; 및
상기 제1 방향을 가로지르는 제2 방향으로 연장되고 상기 정보저장패턴들을 가로지르는 복수의 구동 패턴들을 포함하고,
상기 정보저장패턴들은 상기 자벽과 자구들을 포함하고, 상기 구동 패턴들에 흐르는 전류에 의하여 형성된 자속밀도는 상기 정보저장패턴들의 상기 자벽을 상기 정보저장패턴들 내에서 이동시키는 것을 특징으로 하는 자벽이동 기억 장치
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15
제14 항에 있어서,
상기 정보저장 패턴들 및 상기 구동 패턴들은 3차원적으로 적층되는 것을 특징으로 하는 자벽이동 기억 장치
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제1 방향으로 나란히 연장되고 상기 제1 방향으로 자화된 자벽을 가지는 정보저장패턴들, 및 상기 제1 방향을 가로지르는 제2 방향으로 연장되는 복수의 구동 패턴들을 포함하고, 상기 정보저장패턴들은 상기 자벽과 자구들을 포함하고, 상기 구동 패턴들에 흐르는 전류에 의하여 생성된 자속밀도는 상기 정보저장패턴들의 상기 자벽을 상기 정보저장패턴들 내에서 이동시키는 것을 특징으로 하는 자벽이동 기억 장치의 동작 방법에 있어서,
상기 정보저장패턴을 상기 정보저장패턴의 배치 평면에 수직하게 초기 자화시키는 단계;
상기 정보저장패턴의 소정 영역 배치된 기록-재생 구조체에 의하여 상기 정보저장패턴에 정보를 기록하는 단계;
상기 구동패턴들에 전류를 인가하여 상기 정보저장패턴들 내에서 상기 자벽을 이동시키어 상기 정보를 이동시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 자벽이동 기억 장치의 동작 방법
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제 16항에 있어서,
상기 정보를 이동시키는 단계는
상기 정보저장패턴들의 정보가 동시에 이동하는 것을 특징으로 하는 자벽이동 기억 장치의 동작 방법
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18
제 16항에 있어서,
상기 정보를 이동시키는 단계는
상기 구동 패턴들에 순차적으로 전류를 인가하는 것을 특징으로 하는 자벽이동 기억 장치의 동작 방법
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