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알루미늄으로 유도된 나노결정 실리콘 박막의 제조방법 및 이에 따라 제조된 나노결정 실리콘 박막

  • 기술번호 : KST2014014205
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 알루미늄으로 유도된 나노결정 실리콘 박막의 제조방법 및 이에 따라 제조된 나노결정 실리콘 박막에 관한 것으로, 구체적으로는 타겟물질로 실리콘 타겟과 알루미늄 칩을 동시에 사용하여 실리콘 박막에 증착시키는 단계(단계 1); 및 상기 단계 1의 증착된 실리콘 박막을 열처리하여 나노결정을 형성시키는 단계(단계 2); 를 포함하여 이루어지는 나노결정 실리콘 박막의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 제조방법은 실리콘 타겟에 알루미늄 칩을 위치시켜 두 물질을 동시에 실리콘 웨이퍼에 증착시켜 알루미늄을 포함하는 비정질 실리콘 박막을 제조한 후, 열처리를 통하여 비정질 실리콘 박막내 나노결정 실리콘의 크기를 조절하여 광학적, 화학적 특성을 용이하게 조절할 할 수 있다. 따라서 종래의 장치를 그대로 이용하여 나노 스케일의 크기를 가지는 단일 실리콘 집적 소자, 실리콘 기반 광소자 및 광전소자의 개발을 가능하게 하며, 이와 관련된 차세대 반도체, 디스플레이, 지능형 로봇 등 실리콘 차세대 기술에 유용하게 사용할 수 있다. 나노결정 실리콘, 박막, 집속 전자빔, 알루미늄 유도 결정화(AIG), 양자 제한 효과(QCE)
Int. CL H01L 21/20 (2011.01) B82Y 40/00 (2011.01)
CPC H01L 21/02601(2013.01) H01L 21/02601(2013.01) H01L 21/02601(2013.01) H01L 21/02601(2013.01) H01L 21/02601(2013.01)
출원번호/일자 1020090000694 (2009.01.06)
출원인 인하대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2010-0081454 (2010.07.15) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.01.06)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 대한민국 인천광역시 미추홀구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조남희 대한민국 인천광역시 남구
2 심재현 대한민국 인천광역시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.01.06 수리 (Accepted) 1-1-2009-0005132-04
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.11.17 수리 (Accepted) 4-1-2009-5220324-82
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.09.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.10.19 수리 (Accepted) 9-1-2010-0065573-87
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.10.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0475263-82
6 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2011.01.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0008284-44
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.07.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5098802-16
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.09.05 수리 (Accepted) 4-1-2016-5127132-49
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5036549-31
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266647-91
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번호 청구항
1 1
타겟물질로 실리콘 타겟과 알루미늄 칩을 사용하여 실리콘 웨이퍼에 박막을 증착시키는 단계(단계 1); 및 상기 단계 1의 웨이퍼상에 증착된 박막을 열처리하여 나노결정을 형성시키는 단계(단계 2); 를 포함하는 나노결정 실리콘 박막의 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 실리콘 나노결정은 1 ~ 20 nm인 것을 특징으로 하는 나노결정 실리콘 박막의 제조방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 단계 1의 알루미늄 칩은 실리콘 타겟에 대하여 2
4 4
제1항에 있어서, 상기 단계 2의 열처리는 400 ∼ 1200 ℃에서 수행되는 것을 특징으로 하는 나노결정 실리콘 박막의 제조방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 단계 2의 열처리는 30 ∼ 90 분 동안 수행하는 것을 특징으로 하는 나노결정 실리콘 박막의 제조방법
6 6
제1항내지 제5항 중 어느 한 항의 방법으로 제조된 나노결정 실리콘 박막에 있어서, 나노결정 크기는 1 ~ 10 nm이고, 결정질 비율은 1 ~ 30 %인 나노결정 실리콘 박막
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패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.