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양자 광 메모리

  • 기술번호 : KST2014014243
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 종래에는 양자 메모리에서 데이터의 저장이 스핀 위상 감쇄(spin phase decay) 시간에 따라 수 밀리초로 제한되었으나, 본 발명에 의한 양자메모리는 가역적 스핀 비균질 확장성에 기초하여, 광데이터 저장을 스핀 밀도 감쇄(spin population decay) 시간에 따라 수 분에서 수시간까지 확장시킨다.
Int. CL G11B 9/00 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020080076678 (2008.08.05)
출원인 인하대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0968870-0000 (2010.07.01)
공개번호/일자 10-2010-0016999 (2010.02.16) 문서열기
공고번호/일자 (20100709) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.08.05)
심사청구항수 17

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 대한민국 인천광역시 미추홀구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 함병승 대한민국 인천 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 대한민국 인천광역시 미추홀구
2 광주과학기술원 광주광역시 북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.08.05 수리 (Accepted) 1-1-2008-0563198-04
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2008.08.12 수리 (Accepted) 1-1-2008-0577332-09
3 보정요구서
Request for Amendment		 2008.08.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2008-0099525-17
4 안내문(직권수리)
Notification(Ex officio Acceptance)		 2008.08.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2008-0100915-46
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2009.04.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2009.05.18 수리 (Accepted) 9-1-2009-0031610-24
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.11.17 수리 (Accepted) 4-1-2009-5220324-82
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.05.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0225243-27
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.06.14 수리 (Accepted) 1-1-2010-0381444-76
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.06.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0381445-11
11 등록결정서
Decision to grant		 2010.06.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0273333-08
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.07.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5098802-16
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.09.05 수리 (Accepted) 4-1-2016-5127132-49
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5036549-31
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266647-91
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
에너지적으로 근접하고 혹은 축퇴되고, 쌍극자 전이가 방지되는 제1 바닥상태와 제 2 바닥 상태와; 상기 제1 바닥상태와 상기 제 2 바닥 상태 간의 2광자 전이가 허용되고, 스핀 결맞음이 허용되되 스핀 비균질 특성을 갖는 들뜬 상태와,; 상기 제1 및 제 2 바닥 상태와의 쌍극자 전이는 방지되고, 상기 들뜬 상태와의 전이 만이 허용되는 근접 바닥 상태를 포함하고, 상기 제1바닥 상태와 상기 제2바닥상태에서 상기 들뜬 상태로 2광자 전이되어 상기 스핀 결맞음이 유도된 후, 상기 근접 바닥 상태로 전이되어 상기 스핀 결맞음의 위상이 동결됨으로써 데이터를 저장하는 양자 메모리
2 2
에너지적으로 근접하고 혹은 축퇴되고, 쌍극자 전이가 방지되는 제1 바닥상태와 제 2 바닥 상태와; 상기 제1 바닥상태와 상기 제 2 바닥 상태 간의 2광자 전이가 허용되고, 스핀 결맞음이 허용되되 스핀 비균질 특성을 갖는 들뜬 상태와,; 상기 제1 및 제 2 바닥 상태와의 쌍극자 전이는 방지되고, 상기 들뜬 상태와의 전이 만이 허용되는 근접 바닥 상태를 포함하고, 상기 근접 바닥 상태에 있는 스핀 결맞음이 상기 들뜬 상태로 전이됨으로써 위상이 복원되고, 상기 제1바닥 상태 및 상기 제2 바닥 상태로 전이됨으로써, 읽기할 데이터가 빛으로 발광되는 양자 메모리
3 3
에너지적으로 근접하고 혹은 축퇴되고, 쌍극자 전이가 방지되는 제1 바닥상태와 제 2 바닥 상태와, 상기 제1 바닥상태와 상기 제 2 바닥 상태 간의 2광자 전이가 허용되고, 스핀 결맞음이 허용되되 스핀 비균질 특성을 갖는 들뜬 상태와, 상기 제1 및 제 2 바닥 상태와의 쌍극자 전이는 방지되고, 상기 들뜬 상태와의 전이 만이 허용되는 근접 바닥 상태를 포함하는 비선형 광 매질로 이루어진 양자 광메모리에서의 데이터 쓰기 방법으로서, a) 상기 제1 바닥상태와 상기 들뜬 상태 간의 전이에 해당하는 소정 진동수를 갖는 제1 광 펄스(P)와, 상기 제2 바닥 상태와 상기 들뜬 상태 간의 전이에 해당하는 소정 진동수를 갖는 제2 광 펄스(C)를 상기 양자 광메모리에 인가하는 단계와, 여기서 상기 뜰뜬 상태로의 전이에 의해 스핀 결맞음이 유도되고; b) 상기 들뜬 상태에서 상기 근접 바닥 상태로의 전이에 해당하는 소정 진동수를 갖는 제3 광펄스(A)를 상기 양자 광메모리에 인가하는 단계를 포함하고, 여기서 상기 근접 바닥 상태로의 전이에 의해 상기 스핀 결맞음의 위상이 동결됨으로써 데이터가 저장되는 것을 특징으로 하는 양자 광메모리에서의 데이터 쓰기 방법
4 4
제3항에 있어서, 상기 제1 광 펄스와 상기 제2 광펄스는 공명 라만 광 펄스인 것을 특징으로 하는 양자 광메모리에서의 데이터 쓰기 방법
5 5
제3항에 있어서, 상기 제1 광 펄스와 상기 제2 광 펄스는 동시에 인가되는 것을 특징으로 하는 양자 광메모리에서의 데이터 쓰기 방법
6 6
제3항에 있어서, 상기 제2 광 펄스(C)는 상기 스핀 비균질 특성을 갖는 상기 들뜬 상태에서 균일한 스핀 결맞음을 유도할 수 있는 세기를 갖는 것을 특징으로 하는 양자 광메모리에서의 데이터 쓰기 방법
7 7
제3항에 있어서, 상기 들뜬 상태의 에너지 준위는 상기 제1 및 제2바닥 상태의 에너지 준위보다 높은 것을 특징으로 하는 양자 광메모리에서의 데이터 쓰기 방법
8 8
제3항에 있어서, 상기 제2광펄스(C)는 상기 제1광펄스(P)와 동기되고 공간적으로 중첩되도록 변조되는 것을 특징으로 하는 양자 광메모리에서의 데이터 쓰기 방법
9 9
에너지적으로 근접하고 혹은 축퇴되고, 쌍극자 전이가 방지되는 제1 바닥상태와 제 2 바닥 상태와, 상기 제1 바닥상태와 상기 제 2 바닥 상태 간의 2광자 전이가 허용되고, 스핀 결맞음이 허용되되 스핀 비균질 특성을 갖는 들뜬 상태와, 상기 제1 및 제 2 바닥 상태와의 쌍극자 전이는 방지되고, 상기 들뜬 상태와의 전이 만이 허용되는 근접 바닥 상태를 포함하는 비선형 광 매질로 이루어진 양자 광메모리에서의 데이터 읽기 방법으로서, a) 상기 근접 바닥 상태에서 상기 뜰뜬 상태로의 전이에 해당하는 소정 진동수를 갖는 제3 광펄스(A)를 상기 양자 광메모리에 인가하는 단계와, 여기서 상기 근접 바닥 상태에서 동결되어 있는 스핀 결맞음의 위상이 재생(rephasing)되고; b) 상기 들뜬 상태에서 상기 제1 바닥상태로의 전이에 해당하는 소정 진동수를 갖는 제1 광 펄스(P)와, 상기 들뜬 상태에서 상기 제2 바닥 상태로의전이에 해당하는 소정 진동수를 갖는 제2 광 펄스(C)를 상기 양자 광메모리에 인가하는 단계와; c) 상기 제2 광펄스(C)를 상기 양자 광메모리에 인가하는 단계와, 여기서 상기 제2 광펄스(C)의 인가에 응답하여 비축퇴 4파장 혼합 광 신호가 발광되고, d) 상기 비축퇴 4파장 혼합 광 신호를 판독함으로써 데이터를 읽는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 양자 광메모리에서 데이터 읽기 방법
10 10
제 9항에 있어서, 상기 스핀 결맞음을 인출하기 위해 상기 제1 광 펄스(P)와 상기 제2 광펄스(C)의 세기(pulse area)가 조정되는 것을 특징으로 하는 양자 광메모리에서 데이터 읽기 방법
11 11
제9항에 있어서, 상기 제3 광펄스(A)는 펄스 영역 π를 만들기 위해 세기가 조정되는 것을 특징으로 하는 양자 광메모리에서 데이터 읽기 방법
12 12
제9항에 있어서, 상기 제1 광 펄스(P)와 상기 제2 광펄스(C)는 공명 라만 광 펄스인 것을 특징으로 하는 양자 광메모리에서의 데이터 읽기 방법
13 13
제9항에 있어서, 상기 제1 광 펄스(P)와 상기 제2 광 펄스(C)는 동시에 인가되는 것을 특징으로 하는 양자 광메모리에서의 데이터 읽기 방법
14 14
제9항에 있어서, 상기 들뜬 상태의 에너지 준위는 상기 제1 및 제2바닥 상태의 에너지 준위보다 높은 것을 특징으로 하는 양자 광메모리에서의 데이터 읽기 방법
15 15
제9항에 있어서, 상기 제2 광펄스(C)는 상기 제1광펄스(P)와 동기되고 공간적으로 중첩되도록 변조되는 것을 특징으로 하는 양자 광메모리에서의 데이터 읽기 방법
16 16
에너지적으로 근접하고 혹은 축퇴되고, 쌍극자 전이가 방지되는 제1 바닥상태와 제 2 바닥 상태와, 상기 제1 바닥상태와 상기 제 2 바닥 상태 간의 2광자 전이가 허용되고, 스핀 결맞음이 허용되되 스핀 비균질 특성을 갖는 들뜬 상태와, 상기 제1 및 제 2 바닥 상태와의 쌍극자 전이는 방지되고, 상기 들뜬 상태와의 전이 만이 허용되는 근접 바닥 상태를 포함하는 비선형 광 매질과; 상기 제1 바닥상태와 상기 들뜬 상태 간의 전이에 해당하는 소정 진동수를 갖는 제1 광 펄스(P)를 제어하는 수단과; 상기 제2 바닥 상태와 상기 들뜬 상태간의 전이에 해당하는 소정 진동수를 갖는 제2 광 펄스(C)를 제어하는 수단과; 상기 들뜬 상태에서 상기 근접 바닥 상태로의 전이에 해당하는 소정 진동수를 갖는 제3 광펄스(A)을 포함하고, 여기서 상기 제1 광 펄스(P)와 상기 제2 광 펄스(C)가 상기 비선형 광 매질에 인가됨으로써 상기 제1바닥 상태와 상기 제2바닥상태에서 상기 들뜬 상태로 2광자 전이되어 상기 스핀 결맞음이 유도된 후, 상기 제3 광펄스(A)가 상기 비선형 광 매질에 인가됨으로써 상기 들뜬 상태에서 상기 근접 바닥 상태로 전이되어 상기 스핀 결맞음의 위상이 동결됨으로써 데이터가 저장되고, 상기 제3광펄스(A)가 상기 비선형 광 매질에 인가됨으로써 상기 근접 바닥 상태에서 동결되어 있는 상기 스핀 결맞음이 상기 들뜬 상태로 전이되어 위상이 재생(rephasing)되고, 상기 제1 광 펄스(P) 및 상기 제2 광 펄스(C)가 상기 비선형 광 매질에 인가됨으로써 상기 들뜬 상태에서 상기 제1및 제2 바닥 상태로 전이되고, 상기 제2 광 펄스(C)가 인가됨으로써 발생되는 비축퇴 4파장 혼합 광 신호를 판독함으로써 데이터를 읽는 것을 특징으로 하는 양자 광메모리
17 17
제16항에 있어서, 상기 스핀 결맞음의 위상 재생(rephasing)을 위해 상기 제3 광펄스(A)는 펄스 영역 π으로 세기가 조정되는 것을 특징으로 하는 양자 광메모리
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