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기판에 형성된 마이크로스트립 전송선; 및상기 마이크로스트립 전송선에 병렬로 연결되는 제1 스터브(Stub)와 제1 커패시터를 포함하고, 상기 마이크로스트립 전송선을 통과하는 제1 주파수 대역의 신호를 저지하는 RHM(Right Handed Material) 영역; 및상기 제1 스터브와 상기 제1 커패시터 사이에 추가되어, 상기 마이크로스트립 전송선을 통과하는 제2 주파수 대역의 신호를 차단하고, 제2 커패시터와 제2 스터브를 포함하는 LHM(Left Handed Material) 영역을 포함하고,(여기서, ω1는 2πf1(f1은 제1 주파수 대역의 중심주파수)이며, ω2는 2πf2(f2는 제2 주파수 대역의 중심주파수), Zτ는 50Ω이며, N은 1임)상기 제1 스터브(LR)와 상기 제1 커패시터(CR)는,상기 제1 주파수 대역과 상기의 수학식에 의해서 결정되며,상기 제2 커패시터(CL)와 상기 제2 스터브(LL)는,상기 제2 주파수 대역과 하기의 수학식에 의해 결정되는 것인 CRLH 구조의 대역저지 여파기
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제1항에 있어서, 상기 RHM 영역과 상기 LHM 영역은,전압을 포함하는 제어에 따라 그 값이 가변되며, 이 경우 상기 제1 주파수 대역과 상기 제2 주파수 대역도 가변하는 것인 CRLH 구조의 대역저지 여파기
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제1항에 있어서, 상기 제1 스터브와 상기 제2 스터브는,마이크로스트립 또는 인덕터로 구성되는 것인 CRLH 구조의 대역저지 여파기
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제1항에 있어서,상기 대역저지 여파기의 β값이 0 또는 음수인 LH(Left Handed) 특성을 갖는 것인 CRLH 구조의 대역저지 여파기
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제1항에 있어서,상기 기판의 일면에 형성되는 CRLH 구조의 대역저지 여파기
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제1항에 있어서,상기 마이크로스트립 전송선의 양단은 급전단자에 직렬로 연결되는 것인 CRLH 구조의 대역저지 여파기
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제1항에 있어서,상기 마이크로스트립 전송선, 상기 제1 스터브, 상기 제2 스터브, 상기 제1 커패시터, 상기 제2 커패시터 중 적어도 하나와 제3 주파수 대역을 차단하는 필터를 연결하는 것인 CRLH 구조의 대역저지 여파기
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기판에 마이크로스트립 전송선을 형성하는 단계;상기 기판의 상기 마이크로스트립 전송선에 제1 스터브 및 제1 커패시터로 구성되어, 상기 전송선을 통과하는 제1 주파수 대역의 신호를 차단하는 RHM 영역을 병렬로 연결하는 단계;상기 제1 스터브와 상기 제1 커패시터 사이에, 상기 전송선을 통과하는 제2 주파수 대역의 신호를 차단하고, 제2 스터브 및 제2 커패시터를 포함하는 LHM 영역을 추가하는 단계;(여기서, ω1는 2πf1(f1은 제1 주파수 대역의 중심주파수)이며, ω2는 2πf2(f2는 제2 주파수 대역의 중심주파수), Zτ는 50Ω이며, N은 1임)상기의 수학식에 상기 제1 주파수 대역을 적용하여 상기 제1 스터브(LR) 및 제1 커패시터(CR)를 결정하는 단계; 및하기의 수학식에 상기 제2 주파수 대역을 적용하여 상기 제2 스터브(LL) 및 제2 커패시터(CL)를 결정하는 단계를 포함하는 CRLH 구조의 대역저지 여파기 제조 방법
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제11항에 있어서,상기 마이크로스트립 전송선의 양단에 급전단자를 실장하는 단계; 및상기 급전단자를 이용하여 상기 마이크로스트립 전송선을 급전선로와 직렬로 연결하는 단계를 더 포함하는 CRLH 구조의 대역저지 여파기 제조 방법
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제11항에 있어서,하기의 수학식에 의해서 산출되는 β값이 음수인지를 확인하는 단계를 더 포함하는 CRLH 구조의 대역저지 여파기 제조 방법
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제15항에 있어서,상기 확인결과 음수가 아니면, 상기 제1 커패시터 및 상기 제2 커패시터 중 적어도 하나의 값을 변경하는 단계를 더 포함하는 것인 CRLH 구조의 대역저지 여파기 제조 방법
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제11항에 있어서,전압을 포함하는 제어에 따라 상기 LHM 영역 및 상기 RHM 영역 중 적어도 하나의 값을 가변하는 단계; 및상기 가변에 따라 상기 제1 주파수 대역과 상기 제2 주파수 대역이 가변되는 단계를 더 포함하는 CRLH 구조의 대역저지 여파기 제조 방법
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