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화학기상증착법(MCVD)을 이용하여 실질적으로 코어층 내의 수산기(OH)가 제거된 광섬유 모재를 제조하는 방법으로서, 상기 광섬유 모재의 제조 방법은 (1) 석영 튜브의 내벽에 SiO2 및 GeO2를 포함하는 수트를 증착시켜 상대적으로 굴절률이 낮은 클래드층을 형성하는 공정과; (2) 상기 클래드층 위에 상대적으로 굴절율이 높은 코어층을 형성하는 공정으로 이루어지고; 상기 코어층 형성공정은 다시 (a) 수트 형성가스를 캐리어 가스와 함께 도입하면서 상기 석영 튜브 내의 온도를 1000℃ ~ 1400℃ 가 되도록 가열하여 수트를 생성하고, 이 수트를 상기 클래드층 위에 퇴적시키는 퇴적공정과, 상기 석영 튜브 내에 탈수 반응가스를 도입하면서 석영 튜브 내의 온도를 600℃ ~ 1200℃ 의 온도로 가열하여 수트와 튜브의 수산기(OH)와 수분을 제거하는 탈수공정과, 상기 수트가 증착되어 있는 석영 튜브 내의 온도를 1700℃ 이상의 고온으로 가열하여 상기 수트를 소결 및 유리화시키는 소결공정으로 이루어지는 베이스 코어층 형성단계와; (b) 상기 (a)단계의 퇴적공정, 탈수공정 및 소결공정을 적어도 1회 이상 반복 수행하는 것에 의해 상기 베이스 코어층 위에 적어도 한 층 이상의 코어층을 추가로 형성하는 추가 코어층 형성단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광섬유 모재의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 수트 형성가스는 SiCl4 또는 GeCl4인 것을 특징으로 하는 광섬유 모재의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 퇴적공정, 탈수공정 및 소결공정은 이동하는 열원에 석영 튜브를 노출시킨 상태에서 연속적인 공정에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 광섬유 모재의 제조방법
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제 3 항에 있어서, 상기 열원이 산소-수소 버너, 플라즈마 토치 및 전기저항로로 구성되는 그룹으로부터 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 광섬유 모재의 제조방법
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제 4 항에 있어서, 상기 열원의 이동속도가 500mm/min이하인 것을 특징으로 하는 광섬유 모재의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 소결 공정을 수행할 때 석영 튜브의 내부로 탈수 반응가스를 도입하여 잔여 수분과 수산기(OH)를 추가로 제거하는 것을 특징으로 하는 광섬유 모재의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 탈수 반응가스가 헬륨(He), 염소(Cl2), 산소(O2)중 적어도 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 광섬유 모재의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 캐리어 가스가 산소인 것을 특징으로 하는 광섬유 모재의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 수트의 퇴적시 상기 석영 튜브의 회전속도를 20 내지 100rpm으로 하는 것을 특징으로 하는 광섬유 모재의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 적어도 한 층 이상의 클래드층을 형성하는 것을 특징으로 하는 광섬유 모재의 제조방법
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제 1 항에 의해 제조된 광섬유 모재를 응축하여 모재봉을 형성하고, 이 모재봉을 인선하여 제조하는 것을 특징으로 하는 단일모드 광섬유의 제조방법
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제 1 항에 의해 제조된 광섬유 모재를 응축하여 모재봉을 형성하고, 이 모재봉을 인선하여 제조하는 것을 특징으로 하는 단일모드 광섬유의 제조방법
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