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미세버섯구조 패턴의 형성방법

  • 기술번호 : KST2014019471
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 미세버섯구조 패턴의 형성방법에 관한 것으로, 그 목적은 미세버섯구조물의 상부 구조물과 하부 구조물을 높이 방향의 온도 차이에 의한 강도 구배 또는 이종 소재의 강도 차이를 이용하여 해당 패턴을 형성함으로써 저가 공정으로 대면적의 미세버섯구조 패턴을 형성할 수 있는 방법을 제공함에 있다. 이를 위한 본 발명은 유리전이온도 Tg를 가지는 소재에 상부 구조물과 하부 구조물로 이루어지는 미세버섯구조 패턴을 형성함에 있어서, 상기 하부 구조물의 형상에 대응하는 패턴이 각인된 제1 스탬퍼(Stamper)를 소재의 유리전이온도 Tg 이상의 온도로 가열하는 단계(S1); 상기 S1 단계를 통해 가열된 제1 스탬퍼로써 소재를 가압하여 소재의 표면에 하부 구조물 형상의 패턴을 전사하는 단계(S2); 상기 S2 단계를 통해 하부 구조물이 형성된 후, 제2 스탬퍼를 소재의 유리전이온도 Tg 이상의 온도로 가열하는 단계(S3); 및 상기 S3 단계를 통해 가열된 제2 스탬퍼로써 소재에 형성된 하부 구조물의 상단부를 가압하여 상부 구조물을 형성하되, 제2 스탬퍼에 의한 가압시 상부 구조물의 두께에 해당하는 하부 구조물의 상단부 영역만이 제2 스팸퍼로부터 소재로 전도되는 열로 인해 유리전이 온도 Tg 이상으로 가열되도록 소재의 열전도율에 따라 결정되는 가압시간 동안 제2 스탬퍼로써 하부 구조물을 가압하여 상부 구조물을 형성하는 단계(S4)로 이루어진 미세버섯구조 패턴의 형성방법에 대한 것을 그 기술적 요지로 한다. 미세버섯구조 패턴, 제1 스탬퍼, 제2 스탬퍼, 유리전이온도, 강도 구배
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) H01L 21/027 (2011.01)
CPC G03F 7/0002(2013.01)
출원번호/일자 1020080052549 (2008.06.04)
출원인 한국생산기술연구원
등록번호/일자 10-0940846-0000 (2010.01.29)
공개번호/일자 10-2009-0126461 (2009.12.09) 문서열기
공고번호/일자 (20100205) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.06.04)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강정진 대한민국 서울 서대문구
2 홍석관 대한민국 서울 강서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 최영규 대한민국 서울특별시 금천구 가산디지털*로 ***, B동 ***호 새천년 국제특허법률사무소 (가산동, 우림 라이온스밸리)
2 장순부 대한민국 서울특별시 금천구 가산디지털*로 ***, B동 ***호 새천년국제특허법률사무소 (가산동, 우림 라이온스밸리)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 대한민국(산업통상자원부장관) 세종특별자치시 한누리대
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.06.04 수리 (Accepted) 1-1-2008-0401228-21
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.10.20 수리 (Accepted) 4-1-2008-5164358-96
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.11.11 수리 (Accepted) 4-1-2008-5178457-80
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.01.20 수리 (Accepted) 4-1-2009-5013686-94
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2009.09.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2009.10.13 수리 (Accepted) 9-1-2009-0056561-15
7 등록결정서
Decision to grant
2010.01.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0034682-22
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.08.30 수리 (Accepted) 4-1-2010-5161401-06
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.04.02 수리 (Accepted) 4-1-2012-5068733-13
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090658-47
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2013-5017806-08
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.01.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5006834-98
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5123030-77
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번호 청구항
1 1
유리전이온도 Tg를 가지는 소재(200)에 상부 구조물(12)과 하부 구조물(11)로 이루어지는 미세버섯구조 패턴(10)을 형성함에 있어서, 상기 하부 구조물(11)의 형상에 대응하는 패턴이 각인된 제1 스탬퍼(110)(Stamper)를 소재(200)의 유리전이온도 Tg 이상의 온도로 가열하는 단계(S1); 상기 S1 단계를 통해 가열된 제1 스탬퍼(110)로써 소재(200)를 가압하여 소재(200)의 표면에 하부 구조물(11) 형상의 패턴을 전사하는 단계(S2); 상기 S2 단계를 통해 하부 구조물(11)이 형성된 후, 제2 스탬퍼(120)를 소재(200)의 유리전이온도 Tg 이상의 온도로 가열하는 단계(S3); 및 상기 S3 단계를 통해 가열된 제2 스탬퍼(120)로써 소재(200)에 형성된 하부 구조물(11)의 상단부를 가압하여 상부 구조물(12)을 형성하되, 제2 스탬퍼(120)에 의한 가압시 상부 구조물(12)의 두께에 해당하는 하부 구조물(11)의 상단부 영역(A)만이 제2 스팸퍼로부터 전도되는 열로 인해 유리전이온도 Tg 이상으로 가열되도록 소재(200)의 열전도율에 따라 결정되는 가압시간 동안 제2 스탬퍼(120)로써 하부 구조물(11)을 가압하여 상부 구조물(12)을 형성하는 단계(S4)로 이루어진 것을 특징으로 하는 미세버섯구조 패턴의 형성방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 제1 스탬퍼 및 제2 스탬퍼(120)는 인가되는 전기에 의해 열을 발산하는 히팅판 또는 유도가열수단 또는 레이저 가열수단 중 어느 하나의 가열수단에 의해 가열됨을 특징으로 하는 미세버섯구조 패턴의 형성방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 S4 단계는 평판형으로 이루어지는 제2 스탬퍼(120)를 수직하강시켜 하부 구조물(11)의 상단부를 가압하여 상부 구조물(12)을 형성하는 심플 프레싱방식으로 수행되는 것을 특징으로 하는 미세버섯구조 패턴의 형성방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 S4 단계는 원통형으로 이루어지는 제2 스탬퍼(120`)를 회전시키는 것과 함께 소재(200)를 연속적으로 이송시키며 하부 구조물(11)의 상단부를 가압하는 롤 투 롤(roll to roll) 또는 롤 투 플랫(roll to flat)방식으로 수행되는 것을 특징으로 하는 미세버섯구조 패턴의 형성방법
5 5
유리전이온도 Tg를 가지는 소재(200)에 상부 구조물(12)과 하부 구조물(11)로 이루어지는 미세버섯구조 패턴(10)을 형성함에 있어서, 상기 소재(200)의 표면에 상기 Tg 보다 낮은 유리전이온도 Tg1을 갖는 이종 소재(210)를 코팅하는 단계(S1`); 상기 하부 구조물(11)의 형상에 대응하는 패턴이 각인된 제1 스탬퍼(110)를 소재(200)의 유리전이온도 Tg 이상의 온도로 가열하는 단계(S2`); 상기 S2` 단계를 통해 가열된 제1 스탬퍼(110)로써 소재(200)를 가압하여 소재(200)의 표면에 하부 구조물(11) 형상의 패턴을 전사하는 단계(S3`); 상기 S3` 단계를 통해 하부 구조물(11)이 형성된 후, 제2 스탬퍼(120)를 소재(200)의 유리전이온도 Tg 보단 낮고 이종 소재(210)의 유리전이온도 Tg1 보다 높은 온도로 가열하는 단계(S4`); 및 상기 S4` 단계를 통해 가열된 제2 스탬퍼(120)로써 소재(200)에 형성된 하부 구조물(11)의 상단부에 코팅되어 있는 이종 소재(210)를 가압하여 상부 구조물(12)을 형성하는 단계(S5`)로 이루어진 것을 특징으로 하는 미세버섯구조 패턴의 형성방법
6 6
제 5 항에 있어서, 상기 제1 스탬퍼 및 제2 스탬퍼(120)는 인가되는 전기에 의해 열을 발산하는 히팅판 또는 유도가열수단 또는 레이저 가열수단 중 어느 하나의 가열수단에 의해 가열됨을 특징으로 하는 미세버섯구조 패턴의 형성방법
7 7
제 5 항에 있어서, 상기 S5` 단계는 평판형으로 이루어지는 제2 스탬퍼(120)를 수직하강시켜 하부 구조물(11)의 상단부를 가압하여 상부 구조물(12)을 형성하는 심플 프레싱방식으로 수행되는 것을 특징으로 하는 미세버섯구조 패턴의 형성방법
8 8
제 5 항에 있어서, 상기 S5` 단계는 원통형으로 이루어지는 제2 스탬퍼(120`)를 회전시키며 소재(200)를 연속적으로 이송시키며 하부 구조물(11)의 상단부를 가압하는 롤 투 롤(roll to roll) 또는 롤 투 플랫(roll to flat)방식으로 수행되는 것을 특징으로 하는 미세버섯구조 패턴의 형성방법
9 9
제 1 또는 제 5 항에 있어서, 상기 제2 스탬퍼(120)의 저면에 나노패턴이 형성되어 제2 스탬퍼(120)를 이용하여 상부 구조물(12)의 형성시 상부 구조물(12)의 표면에 나노패턴을 함께 전사하는 것을 특징으로 하는 미세버섯구조 패턴의 형성방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.