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키랄 촉매를 이용한 아스파르트산 유도체의 제조방법

  • 기술번호 : KST2014019949
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 하기 화학식 1의 친전자체 화합물을, 키랄 팔라듐 촉매의 존재하에서, 아민과 반응시켜 광학 활성 아스파르트산 유도체를 제조하는 방법이 개시된다: 상기 화학식 1에서, 상기 R1은 C1-C30의 알킬기, 고리화 알킬기, 벤질기, 아릴기 또는 치환된 아릴기이고, 상기 Z는 C1-C20의 알콕시, 아민, 아마이드, 하이드록시 아민 또는 5-6각 고리형 헤테로 원자 화합물이며, 상기 헤테로 원자는 질소, 산소 또는 황이다. 또한, 상기 제조방법은, 카이랄 팔라듐 촉매를 이용하여, 수율 및 입체선택성이 우수한 광학 활성 아스파르트산 유도체를 제조할 수 있다는 장점이 있다. 키랄 촉매, 아민, 광학활성, 아스파르트산 유도체
Int. CL C07C 229/06 (2006.01) C07F 17/02 (2006.01)
CPC C07C 229/06(2013.01) C07C 229/06(2013.01) C07C 229/06(2013.01) C07C 229/06(2013.01) C07C 229/06(2013.01)
출원번호/일자 1020080138544 (2008.12.31)
출원인 순천향대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1057304-0000 (2011.08.09)
공개번호/일자 10-2010-0079943 (2010.07.08) 문서열기
공고번호/일자 (20110816) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.12.31)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 순천향대학교 산학협력단 대한민국 충청남도 아산시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김대영 대한민국 충청남도 천안시 쌍
2 심성보 대한민국 경기도 과천시
3 강영구 대한민국 경기도 화성시
4 강승희 대한민국 전라남도 목포시 산

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영철 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)
2 김 순 영 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)
3 이준서 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 ** **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)(법무법인케이씨엘)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 순천향대학교 산학협력단 대한민국 충청남도 아산시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.12.31 수리 (Accepted) 1-1-2008-0910935-98
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2009.06.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2009.07.11 수리 (Accepted) 9-1-2009-0040174-29
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.11.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0530440-92
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.01.19 수리 (Accepted) 1-1-2011-0043980-22
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.01.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0043981-78
7 등록결정서
Decision to grant
2011.07.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0424209-87
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2016-0013703-86
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.11.11 수리 (Accepted) 4-1-2020-5248644-91
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번호 청구항
1 1
하기 화학식 1의 친전자체 화합물을, 키랄 팔라듐 촉매의 존재하에서, 아민과 반응시켜 광학 활성 아스파르트산 유도체를 제조하는 것을 특징으로 하는 키랄 촉매를 이용한 광학 활성 아스파르트산 유도체의 제조방법: [화학식 1] 상기 화학식 1에서, 상기 R1은 C1-C30의 알킬기, 고리화 알킬기, 벤질기 또는 아릴기이고, 상기 Z는 C1-C20의 알콕시, 아민, 아마이드, 하이드록시 아민 또는 5-6각 고리형 헤테로 원자 화합물이며, 상기 헤테로 원자는 질소, 산소 또는 황임
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 키랄 팔라듐 촉매는, 하기 화학식 2의 화합물 또는 그 광학 이성질체인 화학식 3의 화합물인 것을 특징으로 하는 키랄 촉매를 이용한 광학 활성 아스파르트산 유도체의 제조방법: [화학식 2] [화학식 3] 상기 화학식 2 또는 3에서, 상기 Ar은 페닐, 4-메틸페닐(4-methylphenyl) 또는 3,5-디메틸페닐(3,5-dimethylphenyl)이며, 상기 X는 BF4, OTf(trifluoromethanesulfonate), SbF6 또는 PF6임
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 아민은, C1-C30의 1, 2 차 알킬아민 또는 헤테로아민, 또는 벤젠고리의 o-, p-, m- 위치에 알킬, 할로겐 또는 에스터가 치환된 방향족 아민 화합물인 것을 특징으로 하는 키랄 촉매를 이용한 광학 활성 아스파르트산 유도체의 제조방법
4 4
제 3 항에 있어서, 상기 아민은, 하기 화학식 4의 구조를 갖는 화합물들 중 하나 이상인 것을 특징으로 하는 키랄 촉매를 이용한 광학 활성 아스파르트산 유도체의 제조방법: [화학식 4]
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 아스파르트산 유도체는, 하기 화학식 5의 구조를 갖는 화합물인 것을 특징으로 하는 키랄 촉매를 이용한 광학 활성 아스파르트산 유도체의 제조방법: [화학식 5] 또는 상기 화학식 5에서, 상기 R1은 C1-C30의 알킬기, 고리화 알킬기, 벤질기 또는 아릴기이고, 상기 Z는 C1-C20의 알콕시, 아민, 아마이드, 하이드록시 아민 또는 5-6각 고리형 헤테로 원자 화합물이며, 상기 헤테로 원자는 질소, 산소 또는 황이고, 상기 R2 및 R3는 각각 독립적으로 수소, C1-C30의 알킬기 또는 아릴기이며, R2와 R3는 서로 연결되어 고리를 형성할 수 있고, 상기 아릴기는 치환된 아릴기이며, 상기 치환기는 수소, 알킬기, 알콕시 또는 알콕시 카보닐기임
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 Z의 고리형 헤테로 원자 화합물은, 옥사졸리디논(oxazolidinone), 피롤리논(pyrrolinone), 2-아미노 피리딘, 2-아미노 싸이오펜 또는 2-아미노 푸란인 것을 특징으로 하는 키랄 촉매를 이용한 광학 활성 아스파르트산 유도체의 제조방법
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 제조방법은, 반응과정에서 극성 또는 비극성 용매를 사용할 수 있으며, 상기 극성 용매는 알코올이고, 상기 비극성 용매는 톨루엔, 자일렌, 헥산, 테트라하이드로퓨란, 다이옥산, 벤젠 또는 디클로로메탄인 것을 특징으로 하는 키랄 촉매를 이용한 광학 활성 아스파르트산 유도체의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.