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복수의 화합물 반도체층을 포함하는 발광 구조물;
상기 화합물 반도체층 위에 전극;
상기 화합물 반도체층 아래에 전극층을 포함하며,
상기 전극은 상기 화합물 반도체층 위에 접촉된 오믹 접촉층; 상기 오믹 접촉층 위에 제1베리어층; 상기 제1베리어층 위에 구리를 포함하는 전도층; 상기 전도층 위에 제2베리어층; 및 상기 제2베리어층 위에 본딩층을 포함하는 반도체 발광소자
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2
제1항에 있어서, 상기 오믹 접촉층은 Cr, Cr-Alloy, Al, Al-Alloy, Ti, Ti-Alloy, Ag, Ag-Alloy, Ni, Ni-Alloy 중 적어도 하나를 포함하는 반도체 발광소자
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3
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1베리어층 및 상기 제2베리어층은 Ni, Ni-Alloy, Ti, Ti-Alloy 중 적어도 하나를 포함하는 반도체 발광소자
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4
제3항에 있어서, 상기 전도층의 두께는 500nm~5000nm 이며,
상기 제1베리어층과 상기 제2베리어층은 10nm ~ 500nm로 형성되는 반도체 발광소자
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5
제3항에 있어서, 상기 화합물 반도체층의 상층은 N형 반도체층이며,
상기 오믹 접촉층은 N-face 면에 접촉되는 반도체 발광소자
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6
제3항에 있어서, 상기 화합물 반도체층과 상기 전극층 사이에 오믹층; 상기 전극층 아래에 접합층; 및 상기 화합물 반도체층의 하면 둘레에 투광성의 채널층을 포함하는 반도체 발광소자
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7
제6항에 있어서, 상기 오믹층과 상기 화합물 반도체층 사이에 상기 오믹층보다 전기 전도성이 낮은 비 금속의 전류 블록킹층을 포함하는 반도체 발광소자
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8
제6항에 있어서, 상기 채널층은 투광성 산화물, 투광성 질화물, 및 투광성 절연물질 중 적어도 하나를 포함하는 반도체 발광소자
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9
제6항에 있어서, 상기 오믹층은 상기 채널층의 하면 내측에 접촉되며, 상기 채널층의 하면 외측에는 상기 전극층 또는 상기 접합층이 접촉되는 반도체 발광소자
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10
제6항에 있어서, 상기 채널층의 아래에 캡핑층을 포함하며,
상기 캡핑층의 하면에는 상기 전극층 및 접합층 중 적어도 하나가 접촉되는 반도체 발광소자
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11
제10항에 있어서, 상기 캡핑층은 Ti, Ni, Pt, Pd, Cu, Al, Ir, Rh 물질 중 어느 하나 또는 복수의 혼합 금속으로 이루어지는 반도체 발광소자
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12
제1항에 있어서, 상기 전극층 아래에 전도성 지지부재를 포함하는 반도체 발광소자
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13
제1항에 있어서, 상기 화합물 반도체층 위에 러프니스 패턴을 포함하는 반도체 발광소자
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14
기판 위에 복수의 화합물 반도체층을 형성하는 단계;
상기 화합물 반도체층 위에 전극층을 형성하는 단계;
상기 기판을 제거하는 단계;
상기 화합물 반도체층을 에칭하는 단계; 및
상기 화합물 반도체층 위에 전극을 형성하는 단계를 포함하며,
상기 전극 형성 단계는, 상기 화합물 반도체층 위에 오믹 접촉층을 형성하는 단계; 상기 오믹 접촉층 위에 제1베리어층을 형성하는 단계; 상기 제1베리어층 위에 구리를 포함한 전도층을 형성하는 단계; 상기 전도층 위에 제2베리어층을 형성하는 단계; 및 상기 제2베리어층 위에 본딩층을 형성하는 단계를 포함하는 반도체 발광소자 제조방법
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15
제14항에 있어서, 상기 전극층 형성 전에,
상기 화합물 반도체층의 상면 둘레에 투광성의 채널층을 형성하고, 상기 화합물 반도체층 위에 오믹층을 형성한 다음, 상기 오믹층 위에 반사 금속을 형성하는 단계를 포함하는 반도체 발광소자 제조방법
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16
제14항에 있어서, 상기 기판 제거 전에,
상기 전극층 위에 접합층을 형성하고, 상기 접합층 위에 전도성 지지부재를 형성한 후, 상기 기판을 물리적 또는 화학적 방식으로 제거하는 반도체 발광소자 제조방법
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