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고순도 CuInSe2 박막의 제조방법 및 그로부터 제조된태양전지용 CuInSe2 박막

  • 기술번호 : KST2014020392
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 비대칭 구조를 갖는 구리 전구체를 화학증기증착법으로 증착하여 기판 상에 구리 박막을 제조한 후, 상기 구리 박막이 형성된 기판에 인듐-셀레늄을 포함하는 비대칭 전구체를 온화한 온도 및 시간 조건 하에서 연속 증착하여, 구리: 인듐: 셀레늄의 비율이 1:1:2를 충족하는 단일상의 고순도 CuInSe2 박막의 제조방법 및 그로부터 제조된 CuInSe2 박막에 관한 것이다. 본 발명의 제조방법은 비대칭 전구체를 이용하고 화학증기증착법으로 증착함으로써, 종래보다 상대적으로 낮은 온도 및 단축된 시간 내에 조성의 변화 없이 일정하고, 불순물의 유입없이 고순도의 CuInSe2 박막을 제조할 수 있으며, 제조된 고순도의 CuInSe2 박막은 태양전지의 광흡수 박막층, 양자점 또는 LED 박막분야에 유용하게 적용될 수 있다. 나아가, 본 발명의 고순도의 CuInSe2 박막은 초박막 광흡수층 태양전지(Extremely Thin Absorber layer Solar cells, ETA Solar Cells) 분야에 활용할 수 있다. 화학증기증착법, 비대칭 구리전구체, 인듐, 셀레늄, 태양전지소자
Int. CL C23C 16/54 (2006.01.01) C23C 16/52 (2018.01.01) C23C 16/06 (2006.01.01)
CPC C23C 16/54(2013.01) C23C 16/54(2013.01) C23C 16/54(2013.01)
출원번호/일자 1020080096584 (2008.10.01)
출원인 중앙대학교 산학협력단, 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1062398-0000 (2011.08.30)
공개번호/일자 10-2010-0037320 (2010.04.09) 문서열기
공고번호/일자 (20110905) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.10.01)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 중앙대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 동작구
2 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 심일운 대한민국 서울시 중구
2 옥강민 대한민국 서울시 양천구
3 박종필 대한민국 경기도 성남시 중원구
4 김신규 대한민국 서울 동작구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신동준 대한민국 서울특별시 서초구 사임당로 **, **층 (서초동, 신영빌딩)(특허법인세원)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구
2 중앙대학교 산학협력단 대한민국 서울 동작구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.10.01 수리 (Accepted) 1-1-2008-0690591-80
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2008.10.22 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2008-0732105-99
3 [출원인지분변경]권리관계변경신고서
[Applicant Share Change] Report on Change of Proprietary Status
2008.10.23 수리 (Accepted) 1-1-2008-0735522-39
4 서류반려이유안내서
Notice of Reason for Return of Document
2008.10.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2008-0121517-14
5 서류반려통지서
Notice for Return of Document
2008.12.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2008-0132091-13
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2009.09.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2009.10.13 수리 (Accepted) 9-1-2009-0057000-92
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.12.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0574524-48
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.02.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0102467-39
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.02.14 수리 (Accepted) 1-1-2011-0102466-94
11 출원인정보변경(경정)신고서
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2011.07.20 수리 (Accepted) 4-1-2011-5148879-89
12 출원인정보변경(경정)신고서
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2011.07.20 수리 (Accepted) 4-1-2011-5148883-62
13 등록결정서
Decision to grant
2011.08.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0466747-02
14 출원인정보변경(경정)신고서
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2011.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5195109-43
15 출원인정보변경(경정)신고서
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2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
16 출원인정보변경(경정)신고서
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2014.01.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000494-54
17 출원인정보변경(경정)신고서
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2014.10.20 수리 (Accepted) 4-1-2014-5123944-33
18 출원인정보변경(경정)신고서
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2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
19 출원인정보변경(경정)신고서
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2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
20 출원인정보변경(경정)신고서
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2018.07.04 수리 (Accepted) 4-1-2018-5125629-51
21 출원인정보변경(경정)신고서
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2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
22 출원인정보변경(경정)신고서
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2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
23 출원인정보변경(경정)신고서
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2019.07.29 수리 (Accepted) 4-1-2019-5151122-15
24 출원인정보변경(경정)신고서
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2019.08.01 수리 (Accepted) 4-1-2019-5153932-16
25 출원인정보변경(경정)신고서
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2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
비대칭 구조를 갖는 구리 전구체를 아르곤 분위기 상태 또는 진공 상태에서 화학증기증착법에 의해 증착하여 기판 상에 구리 박막을 제조한 후, 상기 구리 박막이 형성된 기판에 인듐-셀레늄을 포함하는 비대칭 전구체를 이용하여 아르곤 분위기 상태 또는 진공 상태에서 350∼450℃ 온도의 온화한 반응조건(mild condition)하에서 40분 이상 화학증기증착법에 의해 연속 증착하되, 상기 비대칭 구조를 갖는 구리 전구체가 하기 화학식 1로 표시되는 구리 에틸부트릴아세테이트 또는 하기 화학식 2로 표시되는 구리 에틸이소부트릴아세테이트에서 선택되고, 상기 인듐-셀레늄을 포함하는 비대칭 전구체가 화학식 3으로 표시되는 인듐 에틸부틸디셀레노카바메이트인 것을 특징으로 하는 CuInSe2 박막의 제조방법
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서, 상기 비대칭 구조를 갖는 구리 전구체가 아르곤 분위기 하에서 버블러 온도 80∼120℃, 기판 온도 300∼360℃에서 3시간 이상 화학증기증착법에 의해 증착되어 구리 박막을 제조하는 것을 특징으로 하는 상기 CuInSe2 박막의 제조방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 비대칭 구조를 갖는 구리 전구체가 진공 조건하에서 버블러 온도 80∼120℃, 기판 온도 300∼310℃에서 3시간 이상 화학증기증착법에 의해 증착되어 구리 박막을 제조하는 것을 특징으로 하는 상기 CuInSe2 박막의 제조방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 비대칭 구조를 갖는 구리 전구체가 기판 상에 200 내지 2,000nm 두께로 증착된 구리 박막을 제조하는 것을 특징으로 하는 상기 CuInSe2 박막의 제조방법
7 7
제1항에 있어서, 상기 인듐-셀레늄을 포함하는 비대칭 전구체가 아르곤 분위기 상태 또는 진공 상태에서 버블러 온도 180∼220℃, 기판 온도 350∼450℃에서 40분 이상 화학증기증착법에 의해 증착되어 CuInSe2 박막을 제조하는 것을 특징으로 하는 상기 CuInSe2 박막의 제조방법
8 8
제7항에 있어서, 상기 증착이후, 열처리 공정을 더 수행하는 것을 특징으로 하는 상기 CuInSe2 박막의 제조방법
9 9
기판 상에, 하기 화학식 1로 표시되는 구리 에틸부트릴아세테이트 또는 하기 화학식 2로 표시되는 구리 에틸이소부트릴아세테이트에서 선택되는 비대칭 구조의 구리 전구체; 및 하기 화학식 3으로 표시되는 인듐-셀레늄을 포함하는 비대칭 전구체가 화학증기증착법에 의해 연속 증착되어, 구리: 인듐: 셀레늄의 비율이 1:1:2를 충족하는 것을 특징으로 하는 단일상의 CuInSe2 박막
10 10
제9항에 있어서, 상기 CuInSe2 박막의 밴드갭이 1
11 11
제9항에 있어서, 상기 CuInSe2 박막이 태양전지의 광흡수 박막층, 양자점 또는 LED 박막 중에 선택된 어느 하나 분야에 적용되는 것을 특징으로 하는 상기 CuInSe2 박막
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 서울특별시 서울대학교 산학협력단 서울시 산학연 사업-기술기반구축사업 나노 바이오 시스템 및 응용소재