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나노 입자 제조 시스템
- 기술번호 : KST2014020538
- 담당센터 : 인천기술혁신센터
- 전화번호 : 032-420-3580
| 요약 | 나노 입자 제조 시스템이 제공된다. 이 제조 시스템은 벌크 타깃이 장착되는 어블레이션 챔버, 나노 입자를 발생시키기 위해 벌크 타깃에 에너지 빔을 조사하는 빔 발생부, 발생된 나노 입자를 이송하기 위해 어블레이션 챔버에 캐리어 가스를 제공하는 캐리어 가스 공급부, 및 캐리어 가스에 의해 이송된 나노 입자가 증착되는 증착 부재가 장착되는 증착 부재 장착부를 포함한다.나노, 상변이, GST, 광 흡수, 태양 전지 |
|---|---|
| Int. CL | B82Y 40/00 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01) |
| CPC | B82B 3/0004(2013.01) B82B 3/0004(2013.01) B82B 3/0004(2013.01) B82B 3/0004(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020070012227 (2007.02.06) |
| 출원인 | 이화여자대학교 산학협력단 |
| 등록번호/일자 | 10-0840622-0000 (2008.06.17) |
| 공개번호/일자 | |
| 공고번호/일자 | (20080624) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 소멸 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2007.02.06) |
| 심사청구항수 | 24 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 이화여자대학교 산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 서대문구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 조윌렴 | 대한민국 | 서울 강남구 |
| 2 | 김태영 | 대한민국 | 서울 노원구 |
| 3 | 윤혜란 | 대한민국 | 충남 천안시 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 오세준 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려) |
| 2 | 권혁수 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소) |
| 3 | 송윤호 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 이화여자대학교 산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 서대문구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 특허출원서 Patent Application |
2007.02.06 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0111395-23 |
| 2 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2007.12.14 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2007-0677961-21 |
| 3 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2008.02.12 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0103450-49 |
| 4 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2008.02.12 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2008-0103457-68 |
| 5 | 등록결정서 Decision to grant |
2008.04.15 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2008-0201614-53 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 벌크 타깃이 장착되는 어블레이션 챔버;나노 입자를 발생시키기 위해, 상기 벌크 타깃에 에너지 빔을 조사하는 빔 발생부;발생된 상기 나노 입자를 이송하기 위해, 상기 어블레이션 챔버에 캐리어 가스를 제공하는 캐리어 가스 공급부;상기 캐리어 가스에 의해 이송된 상기 나도 입자를 열처리하는 열처리부; 및상기 열처리부에 의해 열처리된 상기 나노 입자가 증착되는 증착 부재가 장착되는 증착 부재 장착부를 포함하는 나노 입자 제조 장치 |
| 2 |
2 제 1항에 있어서,상기 벌크 타깃은 게르마늄 안티몬 텔룰라이드계, 게르마늄 비스무스 텔룰라이드계, 게르마늄 안티몬 셀레나이드계, 게르마늄 비스무스 셀레나이드계, 인듐 안티몬 텔룰라이드계, 인듐 비스무스 텔룰라이드계, 인듐 안티몬 셀레나이드계, 인듐 비스무스 셀레나이드계, 인듐 안티몬 게르마나이드계, 갈륨 안티몬 텔룰라이드계, 갈륨 비스무스 텔룰라이드계, 갈륨 셀렌 텔루라이드계, 갈륨 안티몬 셀레나이드계, 갈륨 비스무스 셀레나이드계, 스태넘 안티몬 텔룰라이드계, 스태넘 비스무스 텔룰라이드계, 스태넘 안티몬 셀레나이드계 및 스태넘 비스무스 셀레나이드계 칼코겐화물 중에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 입자 제조 장치 |
| 3 |
3 제 1항에 있어서,상기 벌크 타깃은 카파 인듐 디셀레나이드 또는 카파 인듐 갈륨 디셀레나이드인 것을 특징으로 하는 나노 입자 제조 장치 |
| 4 |
4 제 1항에 있어서,상기 빔 발생부는 아르곤 플루오라이드 엑시머 레이저, 크립톤 플루오라이드 엑시머 레이저, 크세논 클로라이드 엑시머 레이저 및 큐-스위치 엔디야그 레이저 중에서 선택된 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 입자 제조 장치 |
| 5 |
5 삭제 |
| 6 |
6 제 1항에 있어서,상기 열처리부는 상기 증착 부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 입자 제조 장치 |
| 7 |
7 제 1항에 있어서,상기 나노 입자와 반응하여 상기 나노 입자를 둘러싸는 피막을 형성하는 반응 물질을 제공하는 반응 물질 공급부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 입자 제조 장치 |
| 8 |
8 제 7항에 있어서,상기 반응 물질은 카드뮴 셀레나이드, 징크 셀레나이드 및 징크 설파이드 중에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 입자 제조 장치 |
| 9 |
9 제 7항에 있어서,상기 반응 물질 공급부는 상기 반응 물질을 이송하기 위한 반응 물질용 캐리어 가스를 더 제공하는 것을 특징으로 하는 나노 입자 제조 장치 |
| 10 |
10 제 1항에 있어서,상기 증착 부재 장착부는 상기 증착 부재의 온도를 측정하기 위한 온도 감지 장치를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 입자 제조 장치 |
| 11 |
11 벌크 타깃이 장착된 어블레이션 챔버를 준비하는 것;빔 발생부로부터 상기 벌크 타깃에 에너지 빔을 조사하여 나노 입자를 발생시키는 것;상기 어블레이션 챔버에 캐리어 가스를 제공하여 발생된 상기 나노 입자를 이송하는 것; 및상기 캐리어 가스에 의해 이송된 상기 나노 입자를 증착 부재 장착부에 장착된 증착 부재에 증착하는 것을 포함하는 나노 입자의 제조 방법 |
| 12 |
12 제 11항에 있어서,상기 벌크 타깃은 게르마늄 안티몬 텔룰라이드계, 게르마늄 비스무스 텔룰라이드계, 게르마늄 안티몬 셀레나이드계, 게르마늄 비스무스 셀레나이드계, 인듐 안티몬 텔룰라이드계, 인듐 비스무스 텔룰라이드계, 인듐 안티몬 셀레나이드계, 인듐 비스무스 셀레나이드계, 인듐 안티몬 게르마나이드계, 갈륨 안티몬 텔룰라이드계, 갈륨 비스무스 텔룰라이드계, 갈륨 셀렌 텔루라이드계, 갈륨 안티몬 셀레나이드계, 갈륨 비스무스 셀레나이드계, 스태넘 안티몬 텔룰라이드계, 스태넘 비스무스 텔룰라이드계, 스태넘 안티몬 셀레나이드계 및 스태넘 비스무스 셀레나이드계 칼코겐화물 중에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 입자의 제조 방법 |
| 13 |
13 제 11항에 있어서,상기 벌크 타깃은 카파 인듐 디셀레나이드 또는 카파 인듐 갈륨 디셀레나이드인 것을 특징으로 하는 나노 입자의 제조 방법 |
| 14 |
14 제 11항에 있어서,상기 빔 발생부는 아르곤 플루오라이드 엑시머 레이저, 크립톤 플루오라이드 엑시머 레이저, 크세논 클로라이드 엑시머 레이저 및 큐-스위치 엔디야그 레이저 중에서 선택된 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 입자의 제조 방법 |
| 15 |
15 제 11항에 있어서,상기 캐리어 가스에 의해 이송된 상기 나노 입자를 열처리부에서 열처리하는 것을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 입자의 제조 방법 |
| 16 |
16 제 11항에 있어서,상기 캐리어 가스의 압력에 의해 상기 어블레이션 챔버 및 상기 열처리부의 압력이 조절되는 것을 특징으로 하는 나노 입자의 제조 방법 |
| 17 |
17 제 16항에 있어서,상기 압력은 0 |
| 18 |
18 제 11항에 있어서,상기 캐리어 가스의 흐름 속도에 의해 상기 열처리 시간이 조절되는 것을 특징으로 하는 나노 입자의 제조 방법 |
| 19 |
19 제 18항에 있어서,상기 흐름 속도는 1~2,000cc/min 범위인 것을 특징으로 하는 나노 입자의 제조 방법 |
| 20 |
20 제 15항에 있어서,상기 열처리부는 상온에서 700℃ 범위의 온도를 갖는 것을 특징으로 하는 나노 입자의 제조 방법 |
| 21 |
21 제 20항에 있어서,상기 열처리부는 100~300℃ 범위의 온도를 갖는 것을 특징으로 하는 나노 입자의 제조 방법 |
| 22 |
22 제 11항에 있어서,반응 물질 공급부로부터 제공된 반응 물질을 상기 나노 입자와 반응시켜 상기 나노 입자를 둘러싸는 피막을 형성하는 것을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 입자의 제조 방법 |
| 23 |
23 제 22항에 있어서,상기 반응 물질은 카드뮴 셀레나이드, 징크 셀레나이드 및 징크 설파이드 중에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 입자의 제조 방법 |
| 24 |
24 제 22항에 있어서,상기 반응 물질 공급부는 상기 반응 물질을 이송하기 위한 반응 물질용 캐리어 가스를 더 제공하는 것을 특징으로 하는 나노 입자의 제조 방법 |
| 25 |
25 제 11항에 있어서,상기 증착 부재 장착부는 상기 증착 부재의 온도를 측정하기 위한 온도 감지 장치를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 입자의 제조 방법 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 패밀리정보가 없습니다 |
|---|
| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
| 공개전문 정보가 없습니다 |
|---|
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| 특허 등록번호 | 10-0840622-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20070206 출원 번호 : 1020070012227 공고 연월일 : 20080624 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20080415 청구범위의 항수 : 24 유별 : B82B 3/00 발명의 명칭 : 나노 입자 제조 시스템 및 이를 이용한 방법 존속기간(예정)만료일 : 20180618 |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 이화여자대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 573,000 원 | 2008년 06월 18일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 568,000 원 | 2011년 06월 03일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 568,000 원 | 2012년 05월 15일 | 납입 |
| 제 6 년분 | 금 액 | 568,000 원 | 2013년 05월 03일 | 납입 |
| 제 7 년분 | 금 액 | 1,012,000 원 | 2014년 06월 13일 | 납입 |
| 제 8 년분 | 금 액 | 1,133,440 원 | 2015년 10월 13일 | 납입 |
| 제 9 년분 | 금 액 | 1,194,160 원 | 2016년 12월 16일 | 납입 |
| 제 10 년분 | 금 액 | 1,560,000 원 | 2017년 06월 16일 | 납입 |
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- 정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
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| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 특허출원서 | 2007.02.06 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0111395-23 |
| 2 | 의견제출통지서 | 2007.12.14 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2007-0677961-21 |
| 3 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2008.02.12 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0103450-49 |
| 4 | [명세서등 보정]보정서 | 2008.02.12 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2008-0103457-68 |
| 5 | 등록결정서 | 2008.04.15 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2008-0201614-53 |
| 기술번호 | KST2014020538 |
|---|---|
| 자료제공기관 | NTB |
| 기술공급기관 | 이화여자대학교 |
| 기술명 | 나노 입자 제조 시스템 |
| 기술개요 |
나노 입자 제조 시스템이 제공된다. 이 제조 시스템은 벌크 타깃이 장착되는 어블레이션 챔버, 나노 입자를 발생시키기 위해 벌크 타깃에 에너지 빔을 조사하는 빔 발생부, 발생된 나노 입자를 이송하기 위해 어블레이션 챔버에 캐리어 가스를 제공하는 캐리어 가스 공급부, 및 캐리어 가스에 의해 이송된 나노 입자가 증착되는 증착 부재가 장착되는 증착 부재 장착부를 포함한다.나노, 상변이, GST, 광 흡수, 태양 전지 |
| 개발상태 | 특허만신청(등록) |
| 기술의 우수성 | |
| 응용분야 | 태양전지 |
| 시장규모 및 동향 | |
| 희망거래유형 | 기술매매,라이센스, |
| 사업화적용실적 | |
| 도입시고려사항 |
| 과제고유번호 | 1340010332 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2006-005-J04001 |
| 연구과제명 | 나노구조설계및물성연구 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국학술진흥재단 |
| 연구주관기관명 | 이화여자대학교 |
| 성과제출연도 | 2006 |
| 연구기간 | 200609~200908 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | BT(생명공학기술) |
| 과제고유번호 | 1340010332 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2006-005-J04001 |
| 연구과제명 | 나노구조설계및물성연구 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국학술진흥재단 |
| 연구주관기관명 | 이화여자대학교 |
| 성과제출연도 | 2006 |
| 연구기간 | 200609~200908 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | BT(생명공학기술) |
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