맞춤기술찾기

이전대상기술

탄소나노튜브 강화 복합범프와 이를 이용한 칩온글라스 실장방법과 플립칩 실장방법

  • 기술번호 : KST2014020581
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 칩온글라스 실장과 플립칩 실장용 범프 및 이를 이용한 칩온글라스 실장방법과 플립칩 실장방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 탄소나노튜브가 혼합되어 있는 도금액을 이용하여 전기도금 방법으로 범프 금속과 탄소나노튜브를 동시전기도금하여 범프 금속 내에 탄소나노튜브를 강화재로 함유시키는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 강화 복합범프 및 상기 탄소나노튜브 강화 복합범프가 형성된 반도체 칩을 액정표시소자나 유기발광소자, 플라즈마 디스플레이의 유리기판에 칩온글라스 실장하는 방법과 회로기판이나 플랙시블 기판에 플립칩 실장하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의해 탄소나노튜브를 범프 금속의 기지 내에 함유분포 시킴에 따라 범프의 기계적 성질과 열적 성질을 향상시키는 장점이 있으며, 전기도금 방법을 사용하여 범프 금속과 탄소나노튜브를 동시전기도금 함으로써 탄소나노튜브를 범프 금속의 기지 내에 용이하게 함유시킬 수 있는 장점이 있다. 또한 본 발명에 의해 반도체 칩을 칩온글라스 실장이나 플립칩 실장시 탄소나노튜브로 강화된 복합범프를 사용함으로써 범프 접속부의 접속 특성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다. 복합범프, 탄소나노튜브, 전기도금, 칩온글라스, 플립칩
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) H01L 21/60 (2011.01) H01L 23/48 (2011.01)
CPC H01L 24/11(2013.01) H01L 24/11(2013.01) H01L 24/11(2013.01) H01L 24/11(2013.01) H01L 24/11(2013.01) H01L 24/11(2013.01)
출원번호/일자 1020060031656 (2006.04.06)
출원인 오태성
등록번호/일자 10-0741286-0000 (2007.07.13)
공개번호/일자 10-2006-0041196 (2006.05.11) 문서열기
공고번호/일자 (20070723) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.04.06)
심사청구항수 8

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 오태성 대한민국 서울특별시 송파구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 오태성 대한민국 서울 양천구
2 이광용 대한민국 서울 동대문구
3 정부양 대한민국 서울 중랑구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
대리인 정보가 없습니다

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 오태성 대한민국 서울 양천구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.04.06 수리 (Accepted) 1-1-2006-0242608-68
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2007.02.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2007.03.13 수리 (Accepted) 9-1-2007-0012743-28
4 등록결정서
Decision to grant
2007.04.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0235720-91
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2008-5189774-06
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.07.22 수리 (Accepted) 4-1-2010-5135027-78
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.12 수리 (Accepted) 4-1-2015-5032207-35
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체 칩을 액정표시소자나 유기발광소자, 플라즈마 디스플레이의 유리기판에 칩온글라스 실장하거나 회로기판이나 플랙시블 기판에 플립칩 실장하기 위한 반도체 칩의 범프에 있어서, 탄소나노튜브가 혼합되어 있는 도금액을 이용하여 전기도금 방법으로 범프 금속과 탄소나노튜브를 동시전기도금하여 범프 금속기지 내에 탄소나노튜브를 강화재로 함유시키는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 강화 복합범프와 그 제조방법
2 2
상기 청구항 1에 있어서, 탄소나노튜브와 동시도금하기 위한 범프 금속은 Sn(주석), Au(금), Cu(구리), Ni(니켈) 중에서 선택된 어느 하나의 성분 또는 둘 이상의 합금성분으로 이루어진 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 강화 복합범프와 그 제조방법
3 3
상기 청구항 1에 있어서, 탄소나노튜브와 동시도금하여 형성한 복합범프는 Sn(주석), Au(금), Cu(구리), Ni(니켈) 중에서 선택된 어느 하나 또는 둘 이상의 도금층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 강화 복합범프와 그 제조방법
4 4
상기 청구항 1에 있어서, 탄소나노튜브와 동시도금하기 위한 범프 금속은 Sn(주석)을 주성분으로 하며, Bi(비스무스), Cu(구리), Ag(은), In(인듐), Pb(납) 중에서 선택된 어느 하나 또는 둘 이상이 함유된 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 강화 복합범프와 그 제조방법
5 5
상기 청구항 1에 있어서, 범프 금속에 함유시킬 탄소나노튜브로서 다중벽 탄소나노튜브를 사용하거나 또는 단일벽 탄소나노튜브를 사용하거나 또는 다중벽 탄소나노튜브와 단일벽 탄소나노튜브를 혼합하여 사용하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 강화 복합범프와 그 제조방법
6 6
상기 청구항 1의 탄소나노튜브 강화 복합범프를 형성한 반도체 칩을 이방성 전도필름 또는 비전도성 접착제 또는 이방성 전도 접착제 또는 비전도성 필름을 사용하여 액정표시소자나 유기발광소자, 플라즈마 디스플레이의 유리기판에 칩온글라스 본딩하는 것을 특징으로 하는 반도체 칩의 칩온글라스 실장방법
7 7
상기 청구항 1의 탄소나노튜브 강화 복합범프를 형성한 반도체 칩을 이방성 전도필름 또는 비전도성 접착제 또는 이방성 전도 접착제 또는 비전도성 필름을 사용하여 회로기판이나 플랙시블 기판에 플립칩 본딩하는 것을 특징으로 하는 반도체 칩의 플립칩 실장방법
8 8
상기 청구항 1의 탄소나노튜브 강화 복합범프를 형성한 반도체 칩을 회로기판이나 플랙시블 기판에 플립칩 본딩한 후에 반도체 칩과 기판 사이에 언더필을 주입하는 것을 특징으로 하는 반도체 칩의 플립칩 실장방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.