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고온ㆍ고부식성 환경에서 사용 가능한 분리막 제조방법

  • 기술번호 : KST2014021926
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기체 또는 액체 상태에 있는 혼합물질을 분리하고, 고온 또는 고부식 조건의 상태에서 사용될 수 있는 분리막의 제조방법에 관한 것으로, 평판형 또는 중공사형 고분자 재료를 출발 물질로 하여, 이 출발물질을 소성탄화 시키고, 여기에 화학증착법(CVD) 또는 화학침투법(CVI)에 의해 일산화규소(SiO), 실란(SiH4), 테트라에톡시실란(TEOS) 등을 증발 또는 열분해시켜서, 막을 구성하는 표면 및 내부에 탄소와 규소가 서로 화학반응으로 결합함으로써 내열성 및 내식성이 우수한 탄화규소(SiC) 계의 세라믹으로 표면이 피복되면서 내부도 함께 탄화규소로 변화되어 상당히 높은 고온, 엄격한 부식성 조건에서 사용할 수 있는 분리막의 제조방법을 제공함에 있다. 본 발명은 물의 열화학적 분해에 의한 수소제조 공정에서 고온, 고부식성 환경에 적용시킬 수 있는 수소 분리를 위한 분리막, 또한 지구 온난화 대책으로서 개발중에 있는 연소가스에서 탄산가스를 분리하기 위한 공정에서 고온에서 사용될 수 있는 고 성능을 갖는 분리막의 제조 방법을 제공함에 있다. 분리막, 탄소-실리카막, 내열내식성 탄소막, 수소분리, 이산화탄소 분리
Int. CL B01D 71/02 (2006.01.01) B01D 71/64 (2006.01.01) B01D 69/06 (2006.01.01) B01D 69/08 (2006.01.01)
CPC B01D 71/022(2013.01) B01D 71/022(2013.01) B01D 71/022(2013.01) B01D 71/022(2013.01) B01D 71/022(2013.01) B01D 71/022(2013.01) B01D 71/022(2013.01) B01D 71/022(2013.01) B01D 71/022(2013.01)
출원번호/일자 1020040003496 (2004.01.17)
출원인 한국에너지기술연구원
등록번호/일자 10-0551467-0000 (2006.02.06)
공개번호/일자 10-2005-0075829 (2005.07.22) 문서열기
공고번호/일자 (20060214) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.01.17)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 황갑진 대한민국 대전광역시유성구
2 박주식 대한민국 대전광역시유성구
3 이상호 대한민국 대전광역시유성구
4 최호상 대한민국 대구광역시수성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 최영규 대한민국 서울특별시 금천구 가산디지털*로 ***, B동 ***호 새천년 국제특허법률사무소 (가산동, 우림 라이온스밸리)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2004.01.17 수리 (Accepted) 1-1-2004-0020049-25
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2004.12.22 수리 (Accepted) 4-1-2004-5107350-13
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2005.05.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2005.06.17 수리 (Accepted) 9-1-2005-0037028-52
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2005.07.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0356240-67
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2005.09.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2005-0540013-80
7 의견서
Written Opinion
2005.09.27 수리 (Accepted) 1-1-2005-0539988-34
8 등록결정서
Decision to grant
2006.01.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0054504-55
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.01.04 수리 (Accepted) 4-1-2012-5001923-88
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.07 수리 (Accepted) 4-1-2014-5003356-15
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.10 수리 (Accepted) 4-1-2015-0013224-83
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.01.19 수리 (Accepted) 4-1-2017-5010650-13
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.01.08 수리 (Accepted) 4-1-2019-5004978-55
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166801-48
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166803-39
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2020-5197654-62
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번호 청구항
1 1
소성탄화되는 고분자 물질을 출발물질로 하여 진공 또는 불활성 가스 분위기 중의 어느 하나로 선택된 조건하에서 소성탄화 처리하는 단계와;상기 소성탄화된 고분자물질에 규소함유 물질을 증기 또는 분해물질로 작용시키는 화학증착법(CVD) 또는 화학기상침투법(CVI) 중 어느 하나를 선택하여 고분자물질의 표면에 규소 또는 규소화합물을 침투시켜 규소계 세라믹을 형성시키는 침투규소화 처리단계를 거쳐 기상 또는 액상에서 혼합물을 분리하는 분리막을 제조하되,상기 소성탄화 및 규소화 처리단계시 500℃ ~ 1400℃의 소성온도로 30분 ~ 7시간 조정함으로써 세공의 공경을 제어하고,상기 소성탄화되는 고분자물질은 가열에 의해 용융되지 않고 소성탄화 되는 폴리이미드계열 고분자 물질이며,상기 규소화합물은 일산화규소(SiO), 실란(SiH4), 테트라에톡시실란(TEOS)등등으로 이루어진 군중에서 선택된 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 내열식성 탄소-실리카막의 제조 방법
2 2
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3 3
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4 4
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5 5
제 1항에 있어서, 상기 고분자 물질은 평판형 또는 중공사형 고분자 재료중의 어느 하나인 것을 특징으로 하는 내열식성 탄소-실리카막의 제조 방법
6 6
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7 7
제 1항에 있어서, 상기 고분자 물질을 평판 또는 관형 다공성 지지체 위에 도포 처리하여 복합막을 만든 후 소성처리 방법을 특징으로 하는 내열식성 탄소-실리카막의 제조 방법
8 8
제 1항에 있어서, 피 분리 물질의 투과저항을 낮추기 위해 상분리나 분해현상 또는 증발에 의한 기체 생성현상(졸-겔 법)을 응용하여 불균질화시켜서 막의 표면에만 분리 활성층을 가지는 얇은 조밀층을 형성시키고 내부에는 공극이 많은 다공성 지지층이 형성되도록 마이크로 구조의 비대칭막으로 형성한 것을 특징으로 하는 내열식성 탄소-실리카막의 제조 방법
9 9
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10 10
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11 11
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12 12
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13 12
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패밀리정보가 없습니다
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